ZXTP2012ASTZ Diodes Zetex
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Technische Details ZXTP2012ASTZ Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 3.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ZXTP2012ASTZ nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINEPackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN |
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R |
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| ZXTP2012ASTZ | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; unipolar; 60V; 3.5A; 1W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: unipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Pulsed collector current: 15A Current gain: 10...300 Mounting: THT Quantity in set/package: 2000pcs. Frequency: 120MHz |
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