ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ZXTP2012ASTZ nach Preis ab 0.78 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 4213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXTP2012ASTZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |