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ZXTP2012GTA

ZXTP2012GTA Diodes Zetex

6742712845071750zxtp2012g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXTP2012GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : Diodes Zetex 6742712845071750zxtp2012g.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXTP2012g.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 742 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
66+1.09 EUR
93+ 0.77 EUR
105+ 0.68 EUR
117+ 0.61 EUR
122+ 0.59 EUR
250+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 66
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXTP2012g.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
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23+ 1.15 EUR
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500+ 0.76 EUR
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
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37+1.43 EUR
45+ 1.16 EUR
100+ 0.9 EUR
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 844 Stücke:
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 5A
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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ZXTP2012GTA Hersteller : DIODES/ZETEX ZXTP2012G.pdf PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : Diodes Inc 6742712845071750zxtp2012g.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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