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ZXTP2012GTA

ZXTP2012GTA Diodes Incorporated

ZXTP2012G.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 898000 Stücke:
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Technische Details ZXTP2012GTA Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 3 W.

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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
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ZXTP2012GTA Hersteller : DIODES/ZETEX ZXTP2012G.pdf PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g
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