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ZXTP2012GTA Diodes Zetex

Name: ZXTP2012GTA
Brand: Diodes Zetex
SKU: 39036476-5
Price: 460.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Technische Details ZXTP2012GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote ZXTP2012GTA nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.31 EUR

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ZXTP2012GTA

Hersteller : Diodes Zetex

Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ZXTP2012GTA

Hersteller : Diodes Zetex

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ZXTP2012GTA

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W

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ZXTP2012GTA

Hersteller : DIODES INCORPORATED

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AEE5D06651672143&compId=ZXTP2012g.pdf?ci_sign=8c160409ff0ff2735e792c644dfbb25e033a5a06

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
52+	1.4 EUR
82+	0.88 EUR
119+	0.6 EUR
250+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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ZXTP2012GTA

Hersteller : DIODES INCORPORATED

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82+	0.88 EUR
119+	0.6 EUR

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ZXTP2012GTA

Hersteller : Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat

auf Bestellung 6996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2+	2.08 EUR
10+	1.3 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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ZXTP2012GTA

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W

auf Bestellung 99384 Stücke:

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8+	2.31 EUR
13+	1.46 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.76 EUR

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ZXTP2012GTA

Hersteller : DIODES INC.

DIOD-S-A0002833564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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ZXTP2012GTA

Hersteller : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 74 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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ZXTP2012GTA

Hersteller : Diodes Inc

Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 7000 Stücke:

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ZXTP2012GTA

Hersteller : DIODES/ZETEX

PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
20+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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Hersteller : Diodes Zetex

Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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