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ZXTP2012GTA Diodes Zetex


6742712845071750zxtp2012g.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.45 EUR
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Technische Details ZXTP2012GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote ZXTP2012GTA nach Preis ab 0.43 EUR bis 3.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Zetex 6742712845071750zxtp2012g.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
3000+0.46 EUR
5000+0.45 EUR
7000+0.44 EUR
10000+0.43 EUR
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Zetex 6742712845071750zxtp2012g.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 263000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.73 EUR
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 898000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
3000+0.68 EUR
5000+0.64 EUR
7000+0.62 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA DIODES INCORPORATED ZXTP2012g.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.86 EUR
74+1.17 EUR
111+0.77 EUR
250+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 898508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA DIODES INC. DIOD-S-A0002833564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
137+1.7 EUR
192+1.12 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
auf Bestellung 2178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
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ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA DIODES INC. ZXTP2012G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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ZXTP2012GTA DIODES/ZETEX ZXTP2012G.pdf PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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ZXTP2012GTA 6742712845071750zxtp2012g.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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3000+0.46 EUR
5000+0.45 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 263000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTP2012GTA ZXTP2012G.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 898000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
3000+0.68 EUR
5000+0.64 EUR
7000+0.62 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXTP2012GTA ZXTP2012g.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+1.86 EUR
74+1.17 EUR
111+0.77 EUR
250+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 898508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.64 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
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ZXTP2012GTA DIOD-S-A0002833564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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AnzahlPrivatkunde
89+2.82 EUR
137+1.7 EUR
192+1.12 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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ZXTP2012GTA ZXTP2012G.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
auf Bestellung 2178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.42 EUR
10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.9 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES/ZETEX
PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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