ZXTP2012ZQTA Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 521000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 0.66 EUR |
| 2000+ | 0.62 EUR |
| 5000+ | 0.59 EUR |
| 10000+ | 0.56 EUR |
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Technische Details ZXTP2012ZQTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ZXTP2012ZQTA nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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ZXTP2012ZQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K |
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ZXTP2012ZQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
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ZXTP2012ZQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP2012ZQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP2012ZQTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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