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ZXTP2012ZTA

ZXTP2012ZTA Diodes Incorporated

ZXTP2012Z.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Part Status: Active
auf Bestellung 9811000 Stücke:
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Technische Details ZXTP2012ZTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 4.3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA Diodes Incorporated ZXTP2012Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
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ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA Diodes Incorporated ZXTP2012Z.pdf Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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9+2.57 EUR
13+1.63 EUR
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ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA DIODES INC. DIOD-S-A0006455671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 664 Stücke:
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ZXTP2012ZTA DIODES/ZETEX ZXTP2012Z.pdf Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTP2012ZTA TZXTP2012ZTA Diodes
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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