ZXTP2012ZTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTP2012ZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ZXTP2012ZTA nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W |
auf Bestellung 8464000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4.3A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4.3A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4.3A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4.3A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz |
auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat |
auf Bestellung 20463 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W |
auf Bestellung 8465646 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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ZXTP2012ZTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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