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ZXTP2012ZTA

ZXTP2012ZTA Diodes Zetex

zxtp2012z.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details ZXTP2012ZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA Hersteller : Diodes Zetex zxtp2012z.pdf Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2012Z.pdf Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
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ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA Hersteller : Diodes Zetex zxtp2012z.pdf Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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250+0.63 EUR
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ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2012Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
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ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXTP2012Z.pdf Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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ZXTP2012ZTA Hersteller : DIODES/ZETEX ZXTP2012Z.pdf Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTP2012ZTA TZXTP2012ZTA Diodes
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Anzahl Preis
50+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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