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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SA1104
Produktcode: 160967
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Sanken 2sa1104-savantic.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PN
U, V: 120 V
U, V: 120 V
I, А: 8 А
h21,max: 180
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1123
Produktcode: 153274
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Panasonic 2sa1123-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92B
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
h21,max: 450
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1145-Y
Produktcode: 112786
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2sa1145-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1156-Y
Produktcode: 112789
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NEC datasheet2SA1156-Y.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
U, V: 400 V
U, V: 400 V
I, А: 0,5 A
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1160 2SA1160
Produktcode: 184995
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2sa1160.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 140 MHz
U, V: 10 V
U, V: 20 V
I, А: 2 A
h21,max: 120
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1121SC91TR-E Renesas 2SA1121SC91TR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1253+0.43 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTL-E Renesas RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CCTL-E
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2781+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTR-E Renesas HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CCTR-E
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2781+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CDTL-E Renesas RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CDTL-E
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CDTR-E Renesas HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CDTR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2781+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1152-A Renesas RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1152-A
auf Bestellung 21330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
810+0.66 EUR
1000+0.59 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 810
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1156 NEC PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1156-AZ Renesas NECCS05568-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1156-AZ
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 429
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 27286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(B 2SA1162-GR,LF(B Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1563+0.14 EUR
2000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 1563
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXGF(T 2SA1162-GR,LXGF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1232+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1232
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 11997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 14821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 5909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.5 EUR
10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 27929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(B 2SA1162-Y,LF(B Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 7108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2359+0.061 EUR
2500+0.057 EUR
5000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 2359
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 54784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 54784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 8229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162GT1 ON Semiconductor 2sa1162gt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.04 EUR
100000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1 ON Semiconductor 2sa1162gt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.04 EUR
100000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba 17AC8351287AA7E4543C41BF7E62969828662432D4129FBB529C553220469CF9.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1804 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba 17AC8351287AA7E4543C41BF7E62969828662432D4129FBB529C553220469CF9.pdf Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
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2SA1163-GR,LF(B 2SA1163-GR,LF(B Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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2SA1163-GR,LF(B 2SA1163-GR,LF(B Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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2SA1163-GR,LF(T 2SA1163-GR,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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2SA1163-GR,LF(T 2SA1163-GR,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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2SA1163-GR,LF(T 2SA1163-GR,LF(T Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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2SA1163-GRTE85LF 2SA1163-GRTE85LF Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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2SA1179-6-TB-E ON Semiconductor ONSMS23740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1179-6-TB-E
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2SA1179-6-TB-E ON Semiconductor ONSMS23740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1179-6-TB-E
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2SA1179N6-CPA-TB-E 2SA1179N6-CPA-TB-E ON Semiconductor en7198-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2SA1179N6-CPA-TB-E 2SA1179N6-CPA-TB-E ON Semiconductor en7198-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6834+0.078 EUR
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2SA1179N6-TB-E 2SA1179N6-TB-E ON Semiconductor en7198-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2SA1182-GR,LF 2SA1182-GR,LF Toshiba 9976A794F89E3DD9271EDA0267201C1CA756EDE4EB6B137B649F8939B34B776A.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V
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8+0.39 EUR
12+0.24 EUR
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3000+0.077 EUR
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2SA1182-GR,LF(B Toshiba 2SA1182-GR,LF(B
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2SA1182-Y,LF 2SA1182-Y,LF Toshiba 9976A794F89E3DD9271EDA0267201C1CA756EDE4EB6B137B649F8939B34B776A.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.081 EUR
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2SA1182-Y,LF(T 2SA1182-Y,LF(T TOSHIBA 4163495.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1182-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1432 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1182-Y,LF(T 2SA1182-Y,LF(T TOSHIBA 4163495.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1182-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1432 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1190DTZ-E Renesas RNCCS01544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 90V 0.1A 400mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 34950 Stücke:
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1516+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1190DTZ-E Renesas RNCCS01544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 90V 0.1A 400mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 75472 Stücke:
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1516+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1516
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA110 TO-39
auf Bestellung 590 Stücke:
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2SA1104
Produktcode: 160967
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2sa1104-savantic.pdf
Hersteller: Sanken
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PN
U, V: 120 V
U, V: 120 V
I, А: 8 А
h21,max: 180
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1123
Produktcode: 153274
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2sa1123-datasheet.pdf
Hersteller: Panasonic
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92B
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
h21,max: 450
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1145-Y
Produktcode: 112786
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2sa1145-datasheet.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1156-Y
Produktcode: 112789
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datasheet2SA1156-Y.pdf
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
U, V: 400 V
U, V: 400 V
I, А: 0,5 A
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1160
Produktcode: 184995
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2sa1160.pdf
2SA1160
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 140 MHz
U, V: 10 V
U, V: 20 V
I, А: 2 A
h21,max: 120
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1121SC91TR-E
Hersteller: Renesas
2SA1121SC91TR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1253+0.43 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1122CCTL-E
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2781+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1122CCTR-E
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2781+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CDTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1122CDTL-E
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1521+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CDTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1122CDTR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2781+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1152-A RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1152-A
auf Bestellung 21330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
810+0.66 EUR
1000+0.59 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 810
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2SA1156
Hersteller: NEC
PNP 0.5A 400V 10W 2SA1156 T2SA1156
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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2SA1156-AZ NECCS05568-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1156-AZ
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
429+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 429
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2SA1162-GR,LF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-GR,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 27286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.039 EUR
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2SA1162-GR,LF(B 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1526 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2368 Stücke:
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1563+0.14 EUR
2000+0.081 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXGF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LXGF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1605 Stücke:
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1232+0.18 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-GR,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 11997 Stücke:
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Anzahl Preis
6+0.51 EUR
10+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-O,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 14821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-O,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 5909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.5 EUR
10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-Y,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 27929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(B docget.pdf
2SA1162-Y,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 7108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2359+0.061 EUR
2500+0.057 EUR
5000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 2359
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 54784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 54784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF E00FB978F4146E00712EA277E598013927ADDA60498850E54363AA04CDB4ECBA.pdf
2SA1162-Y,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 8229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.51 EUR
10+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162GT1 2sa1162gt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
100000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(D 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
Hersteller: Toshiba
2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15152+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1 2sa1162gt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
100000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF 17AC8351287AA7E4543C41BF7E62969828662432D4129FBB529C553220469CF9.pdf
2SA1163-BL,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 200625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.39 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(T 4163496.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(T 4163496.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(T 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-BL,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1049+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1049
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF 17AC8351287AA7E4543C41BF7E62969828662432D4129FBB529C553220469CF9.pdf
2SA1163-GR,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
auf Bestellung 22979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.36 EUR
13+0.22 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF(B 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-GR,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF(B 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-GR,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1520+0.094 EUR
2500+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 1520
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF(T 4163496.pdf
2SA1163-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 30127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF(T 4163496.pdf
2SA1163-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 30127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GR,LF(T 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-GR,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 14132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
906+0.19 EUR
1793+0.077 EUR
2000+0.069 EUR
6000+0.061 EUR
12000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 906
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-GRTE85LF 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
2SA1163-GRTE85LF
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1179-6-TB-E ONSMS23740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
2SA1179-6-TB-E
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5465+0.098 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 5465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1179-6-TB-E ONSMS23740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
2SA1179-6-TB-E
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5465+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 5465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1179N6-CPA-TB-E en7198-d.pdf
2SA1179N6-CPA-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6399000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6834+0.078 EUR
10000+0.067 EUR
100000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 6834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1179N6-CPA-TB-E en7198-d.pdf
2SA1179N6-CPA-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6834+0.078 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1179N6-TB-E en7198-d.pdf
2SA1179N6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 247962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6834+0.078 EUR
10000+0.067 EUR
100000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 6834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1182-GR,LF 9976A794F89E3DD9271EDA0267201C1CA756EDE4EB6B137B649F8939B34B776A.pdf
2SA1182-GR,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V
auf Bestellung 10531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.39 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1182-GR,LF(B
Hersteller: Toshiba
2SA1182-GR,LF(B
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1849+0.077 EUR
2500+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 1849
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1182-Y,LF 9976A794F89E3DD9271EDA0267201C1CA756EDE4EB6B137B649F8939B34B776A.pdf
2SA1182-Y,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 1715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.41 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1182-Y,LF(T 4163495.pdf
2SA1182-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1182-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1182-Y,LF(T 4163495.pdf
2SA1182-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1182-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1190DTZ-E RNCCS01544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans GP BJT PNP 90V 0.1A 400mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 34950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1516+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1516
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1190DTZ-E RNCCS01544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans GP BJT PNP 90V 0.1A 400mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 75472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1516+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1516
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA110
TO-39
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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