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2SK3562 2SK3562
Produktcode: 30574
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Toshiba description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 6
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 51 Stück
6 Stück - stock Köln
45 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503(0)-T1-A Renesas N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2880+0.19 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2880
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503(0)-T1-A Renesas N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2880+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2880
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503(0)-T1-A Renesas N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2880+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2880
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510-Z-E1-AZ 2SK3510-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+7.23 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510-Z-E1-AZ Renesas RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 75V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+7 EUR
100+6.41 EUR
500+5.85 EUR
1000+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511-S19-AY 2SK3511-S19-AY Renesas Electronics Corporation RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511-S19-AY Renesas RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Switching N-Channel Power MOS FET
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+5.59 EUR
104+5.13 EUR
500+4.67 EUR
1000+4.24 EUR
10000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 82290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
50+0.36 EUR
100+0.22 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
16000+0.099 EUR
24000+0.094 EUR
40000+0.088 EUR
56000+0.085 EUR
80000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 9882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.62 EUR
31+0.58 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 44A71A45084A9FDC217E44500E43EE228AFDD9F19923D52FA0FDC11554BB58D9.pdf JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 34288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+0.57 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ONSEMI ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 242936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2151+0.25 EUR
10000+0.22 EUR
100000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ONSEMI ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2151+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2SK3557-D.PDF JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 39794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.82 EUR
10+0.6 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 12990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
29+0.61 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3562(Q) 2SK3562(Q) Toshiba 1202sk3562_en_datasheet_090929.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3562(Q,M) Toshiba 2SK3562(Q,M)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564 Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.27 EUR
127+1.11 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.27 EUR
127+1.11 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565 Toshiba description Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3570-ZK-E1-AZ 2SK3570-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3570-ZK-E1-AZ Renesas RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 20V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.1 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 261
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3573-AZ 2SK3573-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
108+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3573-ZK-E1-AZ 2SK3573-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
108+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3573-ZK-E1-AZ Renesas RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 20V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+3.87 EUR
500+3.54 EUR
1000+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3575-AZ 2SK3575-AZ Renesas Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
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111+4.09 EUR
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2SK35
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2SK350
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2SK350 07+
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2SK3502
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2SK3502-01MR-80
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2SK3503
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2SK3503-T1 NEC 09+
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2SK3503-T1 NEC SOT23
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2SK350401 FUJI
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2SK3505-01MR-MY FUJI-ELECT 07+ TO-220
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2SK3509 SANKEN 09+
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2SK351 07+
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2SK351
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510 NEC
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2SK3510 NEC 07+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511 07+ SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511Z
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511Z 07+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK352
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3520-01MR-MY FUJI-ELECT TO-220 07+
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2SK3521-01S-TE24R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3523-01R FUJI 05+06+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3528-01R FUJI 05+06+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3562
Produktcode: 30574
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description
2SK3562
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 6
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 51 Stück
6 Stück - stock Köln
45 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503(0)-T1-A
Hersteller: Renesas
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2880+0.19 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2880
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503(0)-T1-A
Hersteller: Renesas
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
2880+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2880
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503(0)-T1-A
Hersteller: Renesas
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
2880+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2880
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510-Z-E1-AZ RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3510-Z-E1-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+7.23 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510-Z-E1-AZ RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 75V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+7 EUR
100+6.41 EUR
500+5.85 EUR
1000+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511-S19-AY RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3511-S19-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
78+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511-S19-AY RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Switching N-Channel Power MOS FET
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+5.59 EUR
104+5.13 EUR
500+4.67 EUR
1000+4.24 EUR
10000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 82290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+0.58 EUR
50+0.36 EUR
100+0.22 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.11 EUR
16000+0.099 EUR
24000+0.094 EUR
40000+0.088 EUR
56000+0.085 EUR
80000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 9882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+0.62 EUR
31+0.58 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 44A71A45084A9FDC217E44500E43EE228AFDD9F19923D52FA0FDC11554BB58D9.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: onsemi
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 34288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.62 EUR
10+0.57 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 242936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2151+0.25 EUR
10000+0.22 EUR
100000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2151+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-7-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-D.PDF
2SK3557-7-TB-E
Hersteller: onsemi
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 39794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.82 EUR
10+0.6 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-7-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 12990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.83 EUR
29+0.61 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3562(Q) 1202sk3562_en_datasheet_090929.pdf
2SK3562(Q)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3562(Q,M)
Hersteller: Toshiba
2SK3562(Q,M)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564
2SK3564(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
116+1.27 EUR
127+1.11 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
116+1.27 EUR
127+1.11 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565 description
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3570-ZK-E1-AZ RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3570-ZK-E1-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3570-ZK-E1-AZ RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 20V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
261+2.1 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 261
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3573-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3573-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
108+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3573-ZK-E1-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3573-ZK-E1-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
108+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3573-ZK-E1-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 20V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
142+3.87 EUR
500+3.54 EUR
1000+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3575-AZ
2SK3575-AZ
Hersteller: Renesas
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
111+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK35
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK350
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK350
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3502
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3502-01MR-80
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503-T1
Hersteller: NEC
09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503-T1
Hersteller: NEC
SOT23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK350401
Hersteller: FUJI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3505-01MR-MY
Hersteller: FUJI-ELECT
07+ TO-220
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3509
Hersteller: SANKEN
09+
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK351
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK351
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510
Hersteller: NEC
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510
Hersteller: NEC
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511
07+ SMD
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511Z
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511Z
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK352
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3520-01MR-MY
Hersteller: FUJI-ELECT
TO-220 07+
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3521-01S-TE24R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3523-01R
Hersteller: FUJI
05+06+
auf Bestellung 5119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3528-01R
Hersteller: FUJI
05+06+
auf Bestellung 158500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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