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2SK3562

2SK3562 Toshiba

Produktcode: 30574
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Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1050/28
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
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Technische Details 2SK3562 Toshiba

  • MOSFET, N, 600V, TO-220SIS
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:6A
  • On State Resistance:1.25ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220SIS
  • Termination Type:Through Hole
  • Max Voltage Vds:600V
  • Power Dissipation Pd:40W
  • Pulse Current Idm:24A
  • Transistor Case Style:TO-220SIS

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK3562 Toshiba description Транзистори
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2SK3562 2SK3562 Toshiba description MOSFETs N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm
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2SK3562 description
Hersteller: Toshiba
Транзистори
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2SK3562 description
2SK3562
Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 224 St.
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STP4NK60Z
Produktcode: 2561
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description STP4NK60Z.pdf
STP4NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 109 St.
  • 109 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.55 EUR
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Sicherung 5x20mm 630mA 250V (GT1-4602A-630mA/250V)
Produktcode: 22667
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Sicherung 5x20mm 630mA 250V (GT1-4602A-630mA/250V)
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz, in Glas, 0.63A 250V 5x20mm F
Nennstrom: 0,63 A
Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
verfügbar: 496 St.
  • 496 St. - stock Köln
erwartet: 5000 St.
  • 5000 St. - erwartet 14.01.2027
auf Bestellung: 446 St.
  • 446 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.48 EUR
10+0.42 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.043 EUR
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/30
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 93 St.
  • 93 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1 EUR
100+0.89 EUR
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ENR_080611.pdf
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ENR
Typ: bipolar, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 1000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 4874 St.
  • 4874 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.12 EUR
100+0.1 EUR
1000+0.086 EUR
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