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STP4NK60Z

STP4NK60Z

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Produktcode: 2561
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 145 St.
  • 15 St. - stock Köln
  • 130 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Technische Details STP4NK60Z ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
  • Power Dissipation Pd:70mW
  • Pulse Current Idm:16A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:600V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics stp4nk60z.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.06 EUR
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STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics stp4nk60z.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics stp4nk60z.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.23 EUR
100+1.84 EUR
500+1.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics stp4nk60z.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2450 Stücke:
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79+2.24 EUR
100+1.81 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics en.DM00090931.pdf description MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
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1+4.86 EUR
10+2.78 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.45 EUR
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STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics STP4NK60Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 16 Stücke:
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16+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STP4NK60Z STP4NK60Z STMICROELECTRONICS SGSTS50743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z ST en.DM00090931.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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auf Bestellung 3 Stücke:
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 97 Stücke:
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1+4.86 EUR
10+2.78 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.45 EUR
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 16 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STP4NK60Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 93 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z description en.DM00090931.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 326 St.
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STP6NK60ZFP
Produktcode: 1169
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STP6NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 905/33
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 520 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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STP4NK60ZFP
Produktcode: 3364
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STP4NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/18.8
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 105 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.68 EUR
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FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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FQPF8N60C
Hersteller: Fairchild/ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 965/28
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
verfügbar: 92 St.
  • 1 St. - stock Köln
  • 91 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+1.5 EUR
10+1.31 EUR
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STP10NK60Z
Produktcode: 14727
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STP10NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
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erwartet 150 St.:
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