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STP4NK60Z

STP4NK60Z

STP4NK60Z.pdf
Produktcode: 2561
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar 223 Stück:
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Technische Details STP4NK60Z ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
  • Power Dissipation Pd:70mW
  • Pulse Current Idm:16A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:600V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics STP4NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
56+1.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 51
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics STP4NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics stp4nk60z-1851335.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00090931.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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100+1.67 EUR
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS50743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z Hersteller : ST en.DM00090931.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
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STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60ZFP
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STP4NK60ZFP
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 92 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.06 EUR
10+0.84 EUR
100+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Adapter SO8/MSOP8-DIP8 2-seitig
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Adapter SO8/MSOP8-DIP8 2-seitig
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
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erwartet: 500 Stück
500 Stück - erwartet 02.06.2025
Anzahl Preis
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10+0.24 EUR
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1N4007
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 57619 Stück:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 446 Stück
3 Stück - stock Köln
443 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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