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STP4NK60Z

STP4NK60Z

STP4NK60Z.pdf
Produktcode: 2561
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar 187 Stück:
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Technische Details STP4NK60Z ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
  • Power Dissipation Pd:70mW
  • Pulse Current Idm:16A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:600V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
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173+0.91 EUR
183+ 0.84 EUR
250+ 0.8 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.66 EUR
2000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 173
STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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174+0.91 EUR
183+ 0.83 EUR
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500+ 0.75 EUR
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics STP4NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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73+ 0.99 EUR
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103+ 0.69 EUR
250+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 55
STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics STP4NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00090931.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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500+ 2.23 EUR
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics stp4nk60z-1851335.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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13+4 EUR
25+ 2.13 EUR
100+ 2.04 EUR
250+ 2.01 EUR
500+ 1.9 EUR
1000+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS50743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z Hersteller : ST en.DM00090931.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25
STP4NK60Z en.DM00090931.pdf
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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PC817A
Produktcode: 18418		 pc817a.pdf
PC817A
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I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
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erwartet 6000 Stück:
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Spannung, eing., V: 0...30V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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2SK3562
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Gehäuse: TO-220F
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Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
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Produktcode: 88555
Adapter SO8/MSOP8-DIP8 2-seitig
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Опис: Перехідник SO8 / MSOP8-DIP8 двосторонній
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
auf Bestellung 1733 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.29 EUR
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Hersteller: PANJIT/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Trr, ns: 150 ns
auf Bestellung 898 Stück:
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