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STP4NK60Z

STP4NK60Z

STP4NK60Z.pdf
Produktcode: 2561
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 126 St.
  • 126 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details STP4NK60Z ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
  • Power Dissipation Pd:70mW
  • Pulse Current Idm:16A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:600V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics stp4nk60z.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics stp4nk60z.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.21 EUR
150+1.12 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics stp4nk60z.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.19 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics stp4nk60z.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.2 EUR
100+1.78 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics STP4NK60Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.5 EUR
43+1.99 EUR
49+1.77 EUR
62+1.38 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics en.DM00090931.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
50+2.36 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z STP4NK60Z STMicroelectronics en.DM00090931.pdf description MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+2.78 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z STP4NK60Z STMICROELECTRONICS SGSTS50743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
81+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z ST en.DM00090931.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z en.DM00090931.pdf description
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
144+1.21 EUR
150+1.12 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+2.19 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+2.2 EUR
100+1.78 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.5 EUR
43+1.99 EUR
49+1.77 EUR
62+1.38 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.82 EUR
50+2.36 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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STP4NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.86 EUR
10+2.78 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z description SGSTS50743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP4NK60Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.75 EUR
81+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60Z description en.DM00090931.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 289 St.
  • 289 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+1.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NK60ZFP
Produktcode: 3364
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description STP4NK60ZFP_.pdf
STP4NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/18.8
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 103 St.
  • 103 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.83 EUR
10+0.68 EUR
100+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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FQPF8N60C
Hersteller: Fairchild/ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 965/28
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
auf Bestellung: 71 St.
  • 71 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.5 EUR
10+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60Z
Produktcode: 14727
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
erwartet: 55 St.
  • 55 St. - erwartet 09.08.2026
auf Bestellung: 5 St.
  • 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
100+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU6K (Diodenbrücke)
Produktcode: 19753
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KBU6K (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Sperrspannung Urev, V: 800 V
Durchlassstrom Idir, A: 6 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: KBU6A, KBU6B, KBU6D, KBU6G, KBU6J, KBU6005, KBU601, KBU602, KBU604, KBU606, KBU608, KBU4005, KBU401, KBU402, KBU404, KBU406, KBU408, RS401, RS402, RS403, RS404, RS405, RS406
Montage: THT
Impulsstrom, A: 250 А
UKTZED: 8541 10 00 10
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.55 EUR
10+0.5 EUR
100+0.37 EUR
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