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STP4NK60Z

STP4NK60Z

STP4NK60Z.pdf
Produktcode: 2561
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP4NK60Z ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
  • Power Dissipation Pd:70mW
  • Pulse Current Idm:16A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:600V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 1017044914725147dm00090931.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics STP4NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00090931.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS50743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STP4NK60Z en.DM00090931.pdf
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STP4NK60Z STP4NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00090931.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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STP6NK60ZFP
Produktcode: 1169
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STP6NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 6
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 905/33
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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STP4NK60ZFP
Produktcode: 3364
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STP4NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 127 St.:
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FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 132 St.
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1+1.26 EUR
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STP10NK60Z
Produktcode: 14727
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STP10NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
JHGF: THT
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