Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > STP10NK60Z
STP10NK60Z

STP10NK60Z

STP10NK60Z.pdf
Produktcode: 14727
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 150 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+1.67 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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ST STP10NK60Z.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 326 St.
  • 3 St. - stock Köln
  • 323 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.9 EUR
10+0.86 EUR
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 326 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP10NK60Z STP10NK60Z ST info-tstp10nk60z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C; STP10NK60Z TSTP10NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.4 EUR
100+3.03 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.28 EUR
2000+2.15 EUR
5000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.59 EUR
50+3.51 EUR
100+3.19 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.5 EUR
2000+2.43 EUR
5000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.06 EUR
23+3.81 EUR
26+3.3 EUR
32+2.7 EUR
50+2.38 EUR
100+2.11 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics en.CD00002815.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.5 EUR
10+4.3 EUR
100+3.89 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.17 EUR
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STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
50+4.27 EUR
100+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP10NK60Z STP10NK60Z STMICROELECTRONICS SGSTS36170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP10NK60Z
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C; STP10NK60Z TSTP10NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
20+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.4 EUR
100+3.03 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.28 EUR
2000+2.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.59 EUR
50+3.51 EUR
100+3.19 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.5 EUR
2000+2.43 EUR
5000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+5.06 EUR
23+3.81 EUR
26+3.3 EUR
32+2.7 EUR
50+2.38 EUR
100+2.11 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.5 EUR
10+4.3 EUR
100+3.89 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.17 EUR
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STP10NK60Z en.CD00002815.pdf
STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+8.33 EUR
50+4.27 EUR
100+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP10NK60Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 1221 Stücke:
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 326 St.
  • 3 St. - stock Köln
  • 323 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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10+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NK60ZFP
Produktcode: 901
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description STP14NK60ZFP.pdf
STP14NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 196 St.
  • 4 St. - stock Köln
  • 192 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+1.86 EUR
10+1.67 EUR
1000+1.19 EUR
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LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF ll4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf LL4148.pdf 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-80
Urev., V: 100 V
Iausr., A: 0,2 A
Beschreibung: 4 ns
Montage: SMD
auf Bestellung 59399 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2200uF 25V EHR 13x26mm (EHR222M25BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2990
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EHR_081225.pdf
2200uF 25V EHR 13x26mm (EHR222M25BA-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, weiter Temperaturbereich 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 4158 St.
  • 195 St. - stock Köln
  • 3963 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.5 EUR
10+0.35 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
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100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31676
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 11499 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 430 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+0.095 EUR
10+0.071 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.037 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH