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STP10NK60Z

STP10NK60Z

STP10NK60Z.pdf
Produktcode: 14727
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
JHGF: THT
auf Bestellung 117 St.:
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STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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Hersteller : ST STP10NK60Z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 406 St.
3 St. - stock Köln
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
47+3.15 EUR
50+3.01 EUR
100+2.54 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5654 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 47
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.16 EUR
33+2.2 EUR
35+2.07 EUR
37+1.94 EUR
50+1.84 EUR
100+1.76 EUR
200+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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33+2.2 EUR
35+2.07 EUR
37+1.94 EUR
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002815.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 3070 Stücke:
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10+3.19 EUR
100+2.97 EUR
500+2.62 EUR
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.53 EUR
50+3.35 EUR
100+3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS36170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP10NK60Z Hersteller : ST en.CD00002815.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C; STP10NK60Z TSTP10NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 406 St.
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STP14NK60ZFP
Produktcode: 901
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description STP14NK60ZFP.pdf
STP14NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 12
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 217 St.
4 St. - stock Köln
213 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.56 EUR
10+1.4 EUR
1000+1 EUR
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LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 29075 St.:
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LNK304GN
Produktcode: 36956
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description linkswitch-tn_family_datasheet.pdf
LNK304GN
Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SMD-8
Eigenschaften: Імпульсний регулятор напруги
Spannung, eing., V: 85...265 V
I-ausg., A: 170 mA
Fosc, kHz: 66 kHz
Temperaturbereich: -40…+150°C
auf Bestellung 101 St.:
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100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)
Produktcode: 31676
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ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
8532 22 00 00
auf Bestellung 3441 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 St.:
10000 St. - erwartet 15.06.2026
Anzahl Preis
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10+0.06 EUR
100+0.034 EUR
1000+0.031 EUR
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