STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
- 3 St. - stock Köln
erwartet: 10 St.
- 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 213 St.
- 213 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.37 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STP10NK60ZFP ST
- MOSFET, N, TO-220FP
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:600V
- Cont Current Id:10A
- On State Resistance:0.75ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3.75V
- Case Style:TO-220FP
- Termination Type:Through Hole
- Max Voltage Vds:600V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.75ohm
- Power Dissipation Pd:35W
- Pulse Current Idm:36A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Transistor Case Style:TO-220FP
Weitere Produktangebote STP10NK60ZFP nach Preis ab 2.74 EUR bis 85.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP10NK60ZFP | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 35W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm |
auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
STP10NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
STP10NK60ZFP | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
|
STP10NK60ZFP | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP10NK60ZFP |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10 EUR |
| 49+ | 4.76 EUR |
| 100+ | 4.01 EUR |
| 500+ | 2.74 EUR |
| STP10NK60ZFP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 85.08 EUR |
| STP10NK60ZFP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP10NK60ZFP |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mit diesem Produkt kaufen
| STP10NK60Z Produktcode: 14727
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
auf Bestellung: 50 St.
- 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.73 EUR |
| 10+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.4 EUR |
| STP14NK60ZFP Produktcode: 901
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 4 St.
- 4 St. - stock Köln
erwartet: 10 St.
- 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 159 St.
- 159 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.86 EUR |
| 10+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822
22
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 37143 St.
- 37143 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 0.039 EUR |
| 39+ | 0.031 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| FQPF8N60C Produktcode: 13455
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fairchild/ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 965/28
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 965/28
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 1 St.
- 1 St. - stock Köln
erwartet: 12 St.
- 12 St. - erwartet
auf Bestellung: 193 St.
- 193 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 1.31 EUR |
| UF4007 Produktcode: 17804
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Bemerkung: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Montage: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Warennummer: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Bemerkung: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Montage: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Warennummer: 8541 10 00 10
verfügbar: 915 St.
- 915 St. - stock Köln
auf Bestellung: 241 St.
- 241 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.6 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.036 EUR |








