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FQPF8N60C

FQPF8N60C Fairchild

fqpf8n60c-d.pdf
Produktcode: 13455
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
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Technische Details FQPF8N60C Fairchild

  • MOSFET, N, TO-220F
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:7.5A
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220F
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:48W
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:30A
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)
  • Transistor Case Style:TO-220F

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FQPF8N60C FQPF8N60C ON Semiconductor fqpf8n60c-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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    KBP310 (Diodenbrücke)
    Produktcode: 42661
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    		description KBP310.pdf
    KBP310 (Diodenbrücke)
    Hersteller: YJ
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
    Gehäuse: KBP
    Urew: 1000V
    I dir: 3A
    Zus.Info: Einiphasen-Brücke
    Auwechselbar:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
    Монтаж: THT
    Імпульсний струм, А: 80 A
    № 7: 8541 10 00 10
    verfügbar: 736 St.
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    1N4007
    Produktcode: 176822
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    		1N4001-ds.PDF
    1N4007
    Hersteller: MIC
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
    Gehäuse: DO-41
    Urev.,V: 1000 V
    Iausricht.,А: 1 A
    Beschreibung: Випрямний
    Монтаж: THT
    Падіння напруги Vf: 1,1 V
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    MJE13009F (Bipolartransistor NPN)
    Produktcode: 104845
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    		mje13009f.pdf
    MJE13009F (Bipolartransistor NPN)
    Hersteller: Fairchild
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: TO-220ISO
    fT: 4 MHz
    Uceo,V: 400 V
    Ucbo,V: 700 V
    Ic,A: 12 A
    Montage: THT
    auf Bestellung 195 St.:
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