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FQPF8N60C

FQPF8N60C Fairchild/ON

fqpf8n60c-d.pdf
Produktcode: 13455
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Hersteller: Fairchild/ON
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 7,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 965/28
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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Technische Details FQPF8N60C Fairchild/ON

  • MOSFET, N, TO-220F
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:7.5A
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220F
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:48W
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:30A
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)
  • Transistor Case Style:TO-220F

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQPF8N60C FQPF8N60C ON Semiconductor fqpf8n60c-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 10636 Stücke:
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FQPF8N60C
Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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Produktcode: 4775
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STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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KBP310 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42661
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description KBP310.pdf
KBP310 (Diodenbrücke)
Hersteller: Yangjie/SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 3 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Montage: THT
Impulsstrom, A: 80 А
UKTZED: 8541 10 00 10
verfügbar: 205 St.
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100uF 400V EXR 18x41mm (low imp.) (EXR101M2GB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 38814
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EXR_080421.pdf
100uF 400V EXR 18x41mm (low imp.) (EXR101M2GB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)100uF 400V EXR 18x41mm (low imp.) (EXR101M2GB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
100uF 400V EXR 18x41mm (low imp.) (EXR101M2GB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)100uF 400V EXR 18x41mm (low imp.) (EXR101M2GB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 400 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -25...+105°C
Abmessungen: 18x41 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 5 St.
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auf Bestellung: 78 St.
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.7 EUR
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MJE13009F (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 104845
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mje13009f.pdf
MJE13009F (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220ISO
Transitfrequenz fT: 4 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 400 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 700 В
Kollektorstrom Ic, A: 12 А
Montage: THT
auf Bestellung: 161 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 37446 St.
  • 37446 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.039 EUR
10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH