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FQPF8N60C

FQPF8N60C Fairchild

fqpf8n60c-d.pdf
Produktcode: 13455
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
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Technische Details FQPF8N60C Fairchild

  • MOSFET, N, TO-220F
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:7.5A
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220F
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:48W
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:30A
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)
  • Transistor Case Style:TO-220F

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQPF8N60C FQPF8N60C Hersteller : ON Semiconductor fqpf8n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF8N60C FQPF8N60C Hersteller : onsemi fqpf8n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
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FQPF8N60C FQPF8N60C Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF8N60C_D-1809715.pdf MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
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UC3842BN
Produktcode: 17968
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description UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3842BN
Hersteller: ST/UTC
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 11...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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KBP310 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42661
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description KBP310.pdf
KBP310 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Urew: 1000V
I dir: 3A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 80 A
№ 7: 8541 10 00 10
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UC3842AN (DIP-8)
Produktcode: 3097
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UC3842A,43A,UC2842A,43A.pdf
UC3842AN (DIP-8)
Hersteller: Toshiba
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: Allgemeine Anwendung
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
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