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STP14NK60ZFP

STP14NK60ZFP


STP14NK60ZFP.pdf
Produktcode: 901
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 12
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP14NK60ZFP ST

  • MOSFET N CH 600V 13.5A TO-220FP
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:6A
  • On State Resistance:450mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220FP
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C

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STP14NK60ZFP STP14NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics STB14NK60ZT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STP14NK60ZFP STP14NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics STB14NK60ZT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STP14NK60ZFP STP14NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 401dm00115736.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP14NK60ZFP STP14NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 401dm00115736.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP14NK60ZFP STP14NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics stb14nk60zt4-1850193.pdf MOSFET N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A
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STP14NK60ZFP STP14NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics en.DM00115736.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 800 Stück
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10+ 0.72 EUR
1000uF 16V EXR 10x21mm (EXR102M16B-Hitano)
Produktcode: 2431
EXR_080421.pdf
1000uF 16V EXR 10x21mm (EXR102M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
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0,1 Ohm 5% 1W 2512 (Widerstand SMD)
Produktcode: 3427
rl_20190531-hitano.pdf
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,1 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
verfügbar: 1882 Stück
erwartet: 4000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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100+ 0.048 EUR
1000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
DB3
Produktcode: 22619
DB3, DB4, SMDB3.pdf
DB3
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: DO-35
U,zu,V: 28-36V
Imax,A: 2A
verfügbar: 9249 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.03 EUR
100+ 0.022 EUR
LL4148
Produktcode: 2413
FAIR-S-A0002364043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ll4148.pdf LL4148.pdf LL4148.pdf
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
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