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STP14NK60ZFP


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Produktcode: 901
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP14NK60ZFP ST

  • MOSFET N CH 600V 13.5A TO-220FP
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:6A
  • On State Resistance:450mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220FP
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP14NK60ZFP STP14NK60ZFP STMicroelectronics en.dm00115736.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP14NK60ZFP STP14NK60ZFP STMicroelectronics STB14NK60ZT4.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STP14NK60ZFP ST en.DM00115736.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A STP14NK60ZFP TSTP14NK60ZFP
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
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Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,46 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/40
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Montage: THT
auf Bestellung: 3819 St.
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10+1.73 EUR
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GBU10_GBU15_GBU25.pdf
Hersteller: YJ/SEP
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Gehäuse: GBU
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 10 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008
Montage: THT
Impulsstrom, A: 250 А
UKTZED: 8541 10 00 10
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