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TK12A65D

TK12A65D Toshiba

tk12a65d.pdf
Produktcode: 184921
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Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-220SIS
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,46 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/40
Montage: THT
auf Bestellung: 90 St.
  • 90 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+1.94 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK12A65D
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STP14NK60ZFP
Produktcode: 901
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description STP14NK60ZFP.pdf
STP14NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
auf Bestellung: 187 St.
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SPA11N65C3
Produktcode: 60017
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spp-infineon-datasheet.pdf
SPA11N65C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,38 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/5.5
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
auf Bestellung: 56 St.
  • 56 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.19 EUR
10+2.92 EUR
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47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2430
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EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 980 St.
  • 980 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
auf Bestellung: 56 St.
  • 56 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.26 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.046 EUR
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 289 St.
  • 289 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.13 EUR
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3050 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
  • 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 1189 St.
  • 1189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
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