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2SK2545

2SK2545 Toshiba

2sk2545.pdf
Produktcode: 32870
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Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/30
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK2545 Toshiba TO-220 Транзистори
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2SK2545 Toshiba MOSFETs 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
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2SK2545
Hersteller: Toshiba
TO-220 Транзистори
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2SK2545
Hersteller: Toshiba
MOSFETs 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
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STP10NK60Z
Produktcode: 14727
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STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
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IRF1405PBF
Produktcode: 27155
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IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 169 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Montage: THT
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2SK3562
Produktcode: 30574
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description
2SK3562
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1050/28
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
erwartet: 5 St.
  • 5 St. - erwartet
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3878
Produktcode: 56955
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2sk3878-datasheet.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200
Montage: THT
auf Bestellung: 72 St.
  • 72 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.37 EUR
10+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH