2SK3878 Toshiba
Hersteller: Toshiba
N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 9 А, Rds = 1 Ом, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-3PN Од. вим: шт
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Technische Details 2SK3878 Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: SC-65, Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В, Drain-Strom Idd, A: 9 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200, Montage: THT.
Weitere Produktangebote 2SK3878 nach Preis ab 5.26 EUR bis 6.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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2SK3878 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK3878 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2SK3878 |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM
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auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 5.26 EUR |
| 2SK3878 |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); 2SK3878 JSMICRO T2SK3878 JSM
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 5+ | 6.63 EUR |