2SK3878 Toshiba
Hersteller: Toshiba
N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 9 А, Rds = 1 Ом, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-3PN Од. вим: шт
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Technische Details 2SK3878 Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: SC-65, Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В, Drain-Strom Idd, A: 9 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200, Montage: THT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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2SK3878 Produktcode: 56955
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Toshiba |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SC-65 Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В Drain-Strom Idd, A: 9 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200 Montage: THT |
auf Bestellung: 65 St.
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| 2SK3878 | Toshiba |
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200
Montage: THT
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