Hersteller: NEC
QFP

Hersteller: Transcom
Transistoren > HF-Transistoren
Gehäuse: ohne Gehäuse 760x290mm
Frequenz, fT: 12 GHz
Typ: rauscharmer GaAs-FET mittlerer Leistung

Hersteller: Analog Devices
IC GAAS MESFET SW SPDT 16QFN Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT

Hersteller: LITE-ON
HSDL-4230 Series 5 mm 17° Clear 500 mA 875 nm TS AIGaAs Infrared Lamp HSDL-4230 Lite-On OIN Hsdl4230
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: GaAs
04+

Hersteller: G-NOR Electronics Co., LTD
Світлодіодний семисегментний індикатор, U, В = 2, ?д, нм = 635, Габ. розм, мм = 20,1 х 16,0 х 7,0, К-ть розр. = 2, Колір свіч.= червоний, Полярність = зі спільним анодом, Яскр. св, мКд = 12 @ 20 мА, GaAsP/GaP,... Оптоелектроніка Корпус: 20.1х16.0х7.0mm О
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: GAAS IC
00+

Hersteller: HGPower®
Netzteile und Ladegeräte > Netzgeräte im Plastikgehäuse (Stecker- und Tischnetzteile)
Beschreibung: AC/DC Adapter, Tisch-, Anschluss 4 Anschlüsse.
Eingangsspannung Uin, V: 90...264 VAC
Ausgangsspannung Uout, V: 15 V
Ausgangsstrom Iout, A: 8 A
Leistung, W: 120 W
Abmessungen, mm: 180x70x43 mm

Hersteller: HGPower®
Netzteile und Ladegeräte > Netzgeräte im Plastikgehäuse (Stecker- und Tischnetzteile)
Beschreibung: Tisch-, Anschluss 4 Anschlüsse
Eingangsspannung Uin, V: 90...264 VAC
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 10 A
Leistung, W: 120 W
Abmessungen, mm: 180x70x43 mm

Hersteller: TriQuint Semiconductor
Transistoren > HF-Transistoren

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Hersteller: Amtek
100F-4P2C-GAAS510 TP8-4P2C Вилка телефонная 4P2C позол. 6^ Розніми телефонні та RJ-45

Hersteller: Amtek
100F-4P4C-GAAS5-L TP8-4P4C Вилка телефонная 4P4C позол. 6^ Розніми телефонні та RJ-45

Hersteller: Amtek
100F-6P4C-GAAS5 TP8-6P4C Вилка телефонная 6P4C позол. 6^ Розніми телефонні та RJ-45

Hersteller: Amtek
100F-6P6C-GAAS6-L TP8-6P6C Вилка телефонная 6P6C позол. 6^ Розніми телефонні та RJ-45

Hersteller: ALPHALAS GmbH
Надшвидкий фотодетектор InGaAs UPD-70-IR2-P з часом насичення 70 ps, спектральний діапазон 800-1700 nm, з полірованим вікном та з’єднанням SMA. З блоком живлення для фотодетекторів PS-UPD-12-WW вхід: 100-240 V AC, вихід: 12 V DC Фотодіоди

Hersteller: Alpha

SOT-6
PHEMT GaAs IC SPDT Switch DC–2.5 GHz
8542 39 90 00

Hersteller: Maxim
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eingangsspannung, V: -0,5...-9,4 V
Ausgangsstrom Iout, A: 4 A
Temperaturbereich: -40...+85°C
Fixed -2V or Adjustable -0,5V to -9,4V, Low-Noise, Regulated, -2V GaAsFET Bias, -40,,,+85C
UKTZED: 8542 29 50 00

Hersteller: MACOM
PIN Diode ALGaAs beam lead, F > 110 GHz MA4AGBLP912.pdf Діоди ВЧ

Hersteller: MACOM
PIN Diode ALGaAs Flip-Chip, 100 MHz - 50 GHz, Rs=5,2 Ohm, Ct=18 fF MA4AGFCP910.pdf Діоди ВЧ

Hersteller: MACOM
GaAs Flip Chip PIN Diode, 2ns switching speed, Vr=50 V, Ct=0,025 pF, Rs=4,2 Ohm @ 10 GHz MA4GP907.pdf Діоди ВЧ

Hersteller: MACOM
PIN Diodes Diode,Solderable AlGaAs, Ctot=0,025 pF, Vr=45 V, Tsw=2 ns Діоди ВЧ

Hersteller: Hittite
Плата для розробки ВЧ QFN-32 10-16 GHz GaAs MMIC I/Q Mixer DOWNCONVERTE EV1HMC1113LP5.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: MAXIM
ІМС SO8 Low-Noise, Regulated, -2V GaAsFET Bias, Vin=2,5-10 V, Vout=(-2V preset & -0.5...-9,4 adjustable) Інтегральні мікросхеми

Hersteller: RFMD
ІМС QFN-32 9GHz to 14GHz GaAs pHEMT up-converter, incorporating an integrated LO buffer amplifier Інтегральні мікросхеми

Hersteller: RFMD
ІМС QFN-32 9GHz to 14GHz GaAs pHEMT up-converter, incorporating an integrated LO buffer amplifier Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: MACOM
Solderable GaAs Constant Gamma Flip-Chip Varactor Diode, Quality Factor, Q 3000 MAVR-000120-14110G.pdf Варикапи

Hersteller: MACOM
Solderable GaAs Constant Gamma Flip-Chip Varactor Diode, Quality Factor, Q 3000   MAVR-000120-114110P Варикапи

Hersteller: Hittite
ГКН з буферним підсилювачем GaAs InGaP HBT ММІС, 3.55-3,9 ГГц Генератори ВЧ/НВЧ

Hersteller: Hittite
ГКН з буферним підсилювачем GaAs InGaP HBT ММІС, 3.9-4,45 ГГц Генератори ВЧ/НВЧ

Hersteller: MACOM
GaAs Tuning Varactor Ctot=0,9-1,1pF (Vr=4V), Qmin=3000 (Vr=4V, f=50MHz), Vbr=22V, If=50 mA MA46H201-1056.pdf Діоди ВЧ

Hersteller: MACOM
Solderable GaAs Flip Chip Schottky Diode, DC-80 GHz, Ct=0,045 pF MADS-001317-1500AG.pdf Діоди ВЧ

Hersteller: Keysight Technologies
Діод Шотткі GaAs Detector Diode Cj=0,035 pF fc > 200 GHz HSCH-9161.pdf Діоди ВЧ

Hersteller: MACOM
Діод Шотткі DC-26 GHz GaAs Beam Lead Schottky Diode Vb=7,0 V Ct=0,045 pF, Rs=4 Ohm MA4E2037.pdf Діоди ВЧ

Hersteller: MACOM (Metelics)
Діод Шотткі GaAs beam lead Bv=10 V Cl=0,035 pF @ 1 MHz, F Діоди ВЧ

Hersteller: Qorvo
RFPOL Drain-switch Driver / Gate-bias Regulator Automatic Power GaN/GaAs Sequencing and Bias Calibration Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: AMCOM Communications, Inc.
GaAs MMIC power amplifier 23dB 36dBm 20% 0,01-3,5 ГГц 18 Вт Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: Analog Devices
SOT26 GaAs MMIC 3 Watt T/R Switch, DC-3 GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: NXP
ІМС QFN-24 GaAs InGaP RF Amplifier 1,5-2,7 GHz, P1dB=32 dBm, Gain=43 dB, Vs=5 V, Id=0,265 A Інтегральні мікросхеми

Hersteller: Analog Devices
ІМС QFN-20 GaAs MMIC I/Q Mixer 8 - 12 GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: Analog Devices
GaAs MMIC SMT Double balanced mixer 1,5-4,5 GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: Analog Devices
ІМС QFN-24 (4х4mm) GaAs PHEMT Medium Power Amplifier, 17-24 GHz, IOP3=+36 dBm, Gain=22 dB, Psat=+26 dBm @ 23% PAE, Vs=5 V, Id=250 mA Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: Analog Devices
ИМС RF GaAs MMIC I/Q Mixer 8,5-13,5 GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: Analog Devices
ІМС ВЧ QFN-24 (4ч4mm) GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier, 7,5-26,5 GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: RFMD
ІМС GaAs HBT RF amplifier IC DC to 6 Ghz Gss=20 dB Nf=3,5 dB P1dB=18 dBm RF3374.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ

Hersteller: RFMD
ІМС GaAs HBT RF amplifier IC DC to 6 Ghz Gss=22dB Nf=2dB P1dB=11dBm RF3376.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ