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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1930 2SA1930
Produktcode: 15193
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Toshiba 2SA1930.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220F
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 180 V
Spannung Ucb, V: 180 V
Strom Ic, A: 2 A
Stromverstärkung h21, max: 320
auf Bestellung: 249 St.
  • 249 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.49 EUR
10+1.34 EUR
100+1.24 EUR
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2SA1930-Q/2SC5171-Q 2SA1930-Q/2SC5171-Q
Produktcode: 174703
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Toshiba Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц
Spannung Uce, V: 180 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 2 А
Bemerkung: NPN/PNP-Paar
erwartet: 30 Paar
  • 30 Paar - erwartet 15.11.2026
auf Bestellung: 2 Paar
  • 2 Paar - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.62 EUR
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2SA1930 2SA1930 EVVO 2SA1930.pdf?rlkey=s3z2o3cy4h80sh0cookx6ll4u&st=24o75z7x&dl=0 Description: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,TO-
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+3.87 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SA1930 JSMICRO JSMicro Semiconductor Transistor PNP; 320; 20W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 T2SA1930 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2SA1930+2SC5171 komplet SPTECH 2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SA1930-Q/2SC5171-Q T2SA1930/2sc5171
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+13.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930Q 2-10R1A CDIL PNP 180V 2A Complementary to 2SC5171 TCSA1930 T2SA1930
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2SA1930(ROHS) TOSHIBA
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1930+2SC5171
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1930/2SC5171
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5171 2SC5171 CDIL T2SC5171_JSM_JSMICRO_0001.pdf NPN 2A 180V 20W 200MHz 100Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5171 2SC5171 CDIL T2SC5171_JSM_JSMICRO_0001.pdf NPN 2A 180V 20W 200MHz 100Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(LBS2MATQ,M 2SA1930(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(ONK,Q,M) 2SA1930(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(Q,M) 2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,CKQ(J 2SA1930,CKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,LBS2DIAQ(J 2SA1930,LBS2DIAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,ONKQ(J 2SA1930,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,Q(J 2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930A1 SIRECTIFIER 2SA1930A1-SIR-DTE.pdf _Catalogue_2025-2027.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220F
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 2A
Case: TO220F
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930A2 2SA1930A2 SIRECTIFIER _Catalogue_2025-2027.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 2A
Case: TO220AB
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930A6 2SA1930A6 SIRECTIFIER _Catalogue_2025-2027.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO263
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 2A
Case: TO263
Current gain: 100...320
Mounting: SMD
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930 Toshiba 2SA1930.pdf?rlkey=s3z2o3cy4h80sh0cookx6ll4u&st=24o75z7x&dl=0 2SA1930Q PNP 180V 2A Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930 (Q,M) Toshiba Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930
Produktcode: 15193
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2SA1930.pdf
2SA1930
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220F
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 MHz
Spannung Uce, V: 180 V
Spannung Ucb, V: 180 V
Strom Ic, A: 2 A
Stromverstärkung h21, max: 320
auf Bestellung: 249 St.
  • 249 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.49 EUR
10+1.34 EUR
100+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930-Q/2SC5171-Q
Produktcode: 174703
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2SA1930-Q/2SC5171-Q
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
Grenzfrequenz fT, MHz: 200 МГц
Spannung Uce, V: 180 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 2 А
Bemerkung: NPN/PNP-Paar
erwartet: 30 Paar
  • 30 Paar - erwartet 15.11.2026
auf Bestellung: 2 Paar
  • 2 Paar - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930 2SA1930.pdf?rlkey=s3z2o3cy4h80sh0cookx6ll4u&st=24o75z7x&dl=0
2SA1930
Hersteller: EVVO
Description: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,TO-
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.95 EUR
10+3.87 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930 JSMICRO
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor PNP; 320; 20W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 T2SA1930 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930+2SC5171 komplet
Hersteller: SPTECH
2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SA1930-Q/2SC5171-Q T2SA1930/2sc5171
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+13.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930Q 2-10R1A
Hersteller: CDIL
PNP 180V 2A Complementary to 2SC5171 TCSA1930 T2SA1930
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(ROHS)
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930+2SC5171
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930/2SC5171
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5171 T2SC5171_JSM_JSMICRO_0001.pdf
2SC5171
Hersteller: CDIL
NPN 2A 180V 20W 200MHz 100Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5171 T2SC5171_JSM_JSMICRO_0001.pdf
2SC5171
Hersteller: CDIL
NPN 2A 180V 20W 200MHz 100Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(LBS2MATQ,M 2SA1930.pdf
2SA1930(LBS2MATQ,M
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(ONK,Q,M) 2SA1930.pdf
2SA1930(ONK,Q,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(Q,M) 2SA1930.pdf
2SA1930(Q,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,CKQ(J 2SA1930.pdf
2SA1930,CKQ(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,LBS2DIAQ(J 2SA1930.pdf
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,ONKQ(J 2SA1930.pdf
2SA1930,ONKQ(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,Q(J 2SA1930.pdf
2SA1930,Q(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930A1 2SA1930A1-SIR-DTE.pdf _Catalogue_2025-2027.pdf
Hersteller: SIRECTIFIER
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220F
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 2A
Case: TO220F
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930A2 _Catalogue_2025-2027.pdf
2SA1930A2
Hersteller: SIRECTIFIER
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 2A
Case: TO220AB
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930A6 _Catalogue_2025-2027.pdf
2SA1930A6
Hersteller: SIRECTIFIER
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 180V; 2A; TO263
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 2A
Case: TO263
Current gain: 100...320
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930 2SA1930.pdf?rlkey=s3z2o3cy4h80sh0cookx6ll4u&st=24o75z7x&dl=0
Hersteller: Toshiba
2SA1930Q PNP 180V 2A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930 (Q,M)
Hersteller: Toshiba
Транзистори
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