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2SA1930 2SA1930
Produktcode: 15193
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Toshiba 2SA1930.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220F
fT: 200 MHz
U, V: 180
U, V: 180
I, А: 2
h21,max: 320
auf Bestellung 304 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.89 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930-Q/2SC5171-Q 2SA1930-Q/2SC5171-Q
Produktcode: 174703
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Toshiba Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
fT: 200 MHz
U, V: 180 V
U, V: 180 V
I, А: 2 A
Bem.: Пара NPN/PNP
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930 JSMicro Semiconductor Transistor PNP; 320; 20W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 JSMICRO T2SA1930 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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2SA1930 YZPST Transistor PNP; 320; 2W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 YZPST T2SA1930 YZP
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930-Q/2SC5171-Q Toshiba 2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SA1930+2SC5171 komplet T2SA1930/2sc5171
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930-Q/2SC5171-Q SPTECH 2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SA1930+2SC5171 komplet T2SA1930/2sc5171
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(ROHS) TOSHIBA
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930+2SC5171
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1930/2SC5171
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSA1930 CDIL PNP 180V 2A Complementary to 2SC5171 2SA1930Q 2-10R1A T2SA1930
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSC5171 CDIL NPN 2A 180V 20W 200MHz 100Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930 (Q,M) onsemi / Fairchild Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(LBS2MATQ,M 2SA1930(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(ONK,Q,M) 2SA1930(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(Q,M) 2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,CKQ(J 2SA1930,CKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,LBS2DIAQ(J 2SA1930,LBS2DIAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,ONKQ(J 2SA1930,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,Q(J 2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930.pdf Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930
Produktcode: 15193
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2SA1930.pdf
2SA1930
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220F
fT: 200 MHz
U, V: 180
U, V: 180
I, А: 2
h21,max: 320
auf Bestellung 304 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.89 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930-Q/2SC5171-Q
Produktcode: 174703
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2SA1930-Q/2SC5171-Q
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
fT: 200 MHz
U, V: 180 V
U, V: 180 V
I, А: 2 A
Bem.: Пара NPN/PNP
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor PNP; 320; 20W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 JSMICRO T2SA1930 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930
Hersteller: YZPST
Transistor PNP; 320; 2W; 180V; 2A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SA1930,Q(J; 2SA1930(Q,M); TCSA1930; 2SA1930 YZPST T2SA1930 YZP
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930-Q/2SC5171-Q
Hersteller: Toshiba
2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SA1930+2SC5171 komplet T2SA1930/2sc5171
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930-Q/2SC5171-Q
Hersteller: SPTECH
2SA1930 : Tranzystor PNP; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SC5171 : Tranzystor NPN; 320; 2W; 180V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C; 2SA1930+2SC5171 komplet T2SA1930/2sc5171
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(ROHS)
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930+2SC5171
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930/2SC5171
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSA1930
Hersteller: CDIL
PNP 180V 2A Complementary to 2SC5171 2SA1930Q 2-10R1A T2SA1930
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCSC5171
Hersteller: CDIL
NPN 2A 180V 20W 200MHz 100Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930 (Q,M)
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(LBS2MATQ,M 2SA1930.pdf
2SA1930(LBS2MATQ,M
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(ONK,Q,M) 2SA1930.pdf
2SA1930(ONK,Q,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930(Q,M) 2SA1930.pdf
2SA1930(Q,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,CKQ(J 2SA1930.pdf
2SA1930,CKQ(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,LBS2DIAQ(J 2SA1930.pdf
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,ONKQ(J 2SA1930.pdf
2SA1930,ONKQ(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1930,Q(J 2SA1930.pdf
2SA1930,Q(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH