Suchergebnisse für "2SK3075" : 5

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SK3075
Produktcode: 30852
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3075 Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588F9727223D56469&compId=2SK3075(TE12L%2CQ).pdf?ci_sign=a0f40415e59ad8b6b85e1014e2657710e545cca2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO271AA
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Kind of channel: depletion
Output power: 7.5W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 11.7dB
Efficiency: 50%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588F9727223D56469&compId=2SK3075(TE12L%2CQ).pdf?ci_sign=a0f40415e59ad8b6b85e1014e2657710e545cca2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO271AA
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Kind of channel: depletion
Output power: 7.5W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 11.7dB
Efficiency: 50%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3075
Produktcode: 30852
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3075
Hersteller: Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3075(TE12L,Q) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588F9727223D56469&compId=2SK3075(TE12L%2CQ).pdf?ci_sign=a0f40415e59ad8b6b85e1014e2657710e545cca2
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO271AA
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Kind of channel: depletion
Output power: 7.5W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 11.7dB
Efficiency: 50%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3075(TE12L,Q) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE588F9727223D56469&compId=2SK3075(TE12L%2CQ).pdf?ci_sign=a0f40415e59ad8b6b85e1014e2657710e545cca2
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO271AA
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Kind of channel: depletion
Output power: 7.5W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 11.7dB
Efficiency: 50%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH