2SK3075(TE12L,Q)

Suchergebnisse für "2SK3075" : 7

Art der Ansicht :

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
2SK3075(TE12L,Q)	TOSHIBA	Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 520MHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3075(TE12L,Q)	TOSHIBA	Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 520MHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3075 Produktcode: 30852 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt		Transistoren > MOSFET N-CH	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3075	Toshiba		Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3075(TE12L,Q)	TOSHIBA	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 20W Case: TO271AA Gate-source voltage: ±25V Kind of package: reel Frequency: 520MHz Kind of channel: depletion Output power: 7.5W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 11.7dB Efficiency: 50%	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3075(TE12L,Q)	TOSHIBA	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 20W Case: TO271AA Gate-source voltage: ±25V Kind of package: reel Frequency: 520MHz Kind of channel: depletion Output power: 7.5W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 11.7dB Efficiency: 50% Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SK3075(TE12L,Q)

TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 755 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)