Suchergebnisse für "2SK3075" : 7

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2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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2SK3075
Produktcode: 30852
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2SK3075 Toshiba Array
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2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA 2SK3075(TE12L,Q).pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO271AA
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Open-loop gain: 11.7dB
Output power: 7.5W
Efficiency: 50%
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depletion
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2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA 2SK3075(TE12L,Q).pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
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Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Open-loop gain: 11.7dB
Output power: 7.5W
Efficiency: 50%
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2SK3075(TE12L,Q) docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075
2SK3075(TE12L,Q)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
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Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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2SK3075(TE12L,Q)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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2SK3075
Produktcode: 30852
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2SK3075
Hersteller: Toshiba
Array
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Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO271AA
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Open-loop gain: 11.7dB
Output power: 7.5W
Efficiency: 50%
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depletion
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Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; Pout: 7.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: TO271AA
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel
Frequency: 520MHz
Open-loop gain: 11.7dB
Output power: 7.5W
Efficiency: 50%
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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