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2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba 2SK3320_datasheet_en_20140301.pdf?did=19706&prodName=2SK3320 JFETs Junction FET N-Ch x2 1.2V to 14mA 10mA
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2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba 162sk3320_en_datasheet_071101.pdf Trans JFET N-CH Si 5-Pin USV T/R
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2SK3322(1)-ZK-E2-AZ Renesas 2SK3322.pdf 2SK3322(1)-ZK-E2-AZ
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2SK3325B-S19-AY Renesas RNCCS18680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET 3TO-220AB
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2SK3326(2)-AZ Renesas 2SK3326(2)-AZ
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2SK3326(9)AZ Renesas 2SK3326.pdf 2SK3326(9)AZ
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2SK332 NEC 07+
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2SK332 NEC
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2sk3320 TOSHIBA
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2SK3322Z
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2SK3324 NEC
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2SK3325
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2SK3325Z
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2SK3326AZ
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2SK3327 NEC
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2SK3328 TOSHIBA
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2SK332D
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2SK332F
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STB3NK60ZT4 STB3NK60ZT4 STMICROELECTRONICS 2307463.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
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STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.76ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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2SK3320
Produktcode: 128726
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Transistoren > MOSFET N-CH
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2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320_datasheet_en_20140301.pdf?did=19706&prodName=2SK3320
2SK3320-BL(TE85L,F
Hersteller: Toshiba
JFETs Junction FET N-Ch x2 1.2V to 14mA 10mA
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10+1.08 EUR
100+0.71 EUR
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2SK3320-BL(TE85L,F 162sk3320_en_datasheet_071101.pdf
2SK3320-BL(TE85L,F
Hersteller: Toshiba
Trans JFET N-CH Si 5-Pin USV T/R
auf Bestellung 3455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
126+1.6 EUR
200+0.97 EUR
500+0.62 EUR
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3000+0.43 EUR
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2SK3322(1)-ZK-E2-AZ 2SK3322.pdf
Hersteller: Renesas
2SK3322(1)-ZK-E2-AZ
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188+2.86 EUR
500+2.6 EUR
1000+2.37 EUR
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2SK3325B-S19-AY RNCCS18680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET 3TO-220AB
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122+4.39 EUR
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2SK3326(2)-AZ
Hersteller: Renesas
2SK3326(2)-AZ
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68+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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2SK3326(9)AZ 2SK3326.pdf
Hersteller: Renesas
2SK3326(9)AZ
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Anzahl Preis
84+6.39 EUR
100+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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2SK332
Hersteller: NEC
07+
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2SK332
Hersteller: NEC
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2sk3320
Hersteller: TOSHIBA
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2SK3322Z
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2SK3324
Hersteller: NEC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3325
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3325Z
auf Bestellung 5800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3326AZ
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3327
Hersteller: NEC
auf Bestellung 5800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3328
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK332D
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2SK332E
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2SK332F
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STB3NK60ZT4 2307463.pdf
STB3NK60ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB4NK60ZT4 SGST-S-A0004683673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB4NK60ZT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.76ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SK3320
Produktcode: 128726
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Transistoren > MOSFET N-CH
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