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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SK3562 Produktcode: 30574
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Toshiba |
![]() Gehäuse: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 6 Rds(on), Ohm: 01.09.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
verfügbar: 76 Stück
6 Stück - stock Köln
70 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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2SK3503(0)-T1-A | Renesas | N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3510-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3510-Z-E1-AZ | Renesas |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3511-S19-AY | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3511-S19-AY | Renesas |
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auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3541T2L | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V |
auf Bestellung 128000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3541T2L | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V |
auf Bestellung 138148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3541T2L | Rohm Semiconductor |
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auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3557-6-TB-E | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Output: 200mW Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3557-6-TB-E | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Power - Output: 200mW Technology: JFET Noise Figure: 1dB Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Voltage - Rated: 15 V Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V |
auf Bestellung 7460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3557-6-TB-E | onsemi |
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auf Bestellung 70770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 290936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3557-6-TB-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3557-6-TB-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3557-7-TB-E | onsemi |
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auf Bestellung 47760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3557-7-TB-E | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3557-7-TB-E | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V |
auf Bestellung 19891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3562(Q) | Toshiba |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SK3564(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.7Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3564(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.7Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK3564(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3564(STA4,Q,M) | Toshiba |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 42-46 Tag (e) |
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2SK3565 | Toshiba |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK3565 | Toshiba |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK3565(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3565(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK3565(STA4,Q,M) | Toshiba |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3565(STA4,Q,M) | Toshiba |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3566(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3566(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK3566(STA4,Q,M) | Toshiba |
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auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3566(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V |
auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3566(STA4,Q,M) | Toshiba |
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auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3566(STA4,Q,M) | Toshiba |
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auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3566(STA4,Q,M) | Toshiba |
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auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3568(Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 11650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3570-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3570-ZK-E1-AZ | Renesas |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3573-AZ | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 5629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3573-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK3573-ZK-E1-AZ | Renesas |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3575-AZ | Renesas |
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V |
auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK35 |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
2SK350 | 07+ |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
2SK350 |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
2SK3502 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
2SK3502-01MR-80 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
2SK3503 |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
2SK3503-T1 | NEC | 09+ |
auf Bestellung 9018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
2SK3503-T1 | NEC | SOT23 |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
2SK350401 | FUJI |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
2SK3505-01MR-MY | FUJI-ELECT | 07+ TO-220 |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
2SK3509 | SANKEN | 09+ |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
2SK351 |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
2SK351 | 07+ |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
2SK3562 Produktcode: 30574
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 6
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 6
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 76 Stück
6 Stück - stock Köln
70 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
70 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.72 EUR |
10+ | 0.68 EUR |
2SK3503(0)-T1-A |
Hersteller: Renesas
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3429+ | 0.18 EUR |
2SK3510-Z-E1-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 7.09 EUR |
2SK3510-Z-E1-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 75V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 8.00 EUR |
100+ | 7.41 EUR |
500+ | 6.83 EUR |
1000+ | 6.19 EUR |
2SK3511-S19-AY |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 5.68 EUR |
2SK3511-S19-AY |
![]() |
Hersteller: Renesas
Switching N-Channel Power MOS FET
Switching N-Channel Power MOS FET
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
95+ | 6.41 EUR |
100+ | 5.93 EUR |
500+ | 5.47 EUR |
1000+ | 4.95 EUR |
2SK3541T2L |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8000+ | 0.12 EUR |
16000+ | 0.11 EUR |
24000+ | 0.10 EUR |
40000+ | 0.10 EUR |
56000+ | 0.10 EUR |
80000+ | 0.09 EUR |
2SK3541T2L |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 138148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 0.63 EUR |
45+ | 0.40 EUR |
100+ | 0.25 EUR |
500+ | 0.19 EUR |
1000+ | 0.17 EUR |
2000+ | 0.15 EUR |
2SK3541T2L |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8000+ | 0.12 EUR |
48000+ | 0.11 EUR |
72000+ | 0.10 EUR |
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.27 EUR |
6000+ | 0.25 EUR |
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 7460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 1.16 EUR |
25+ | 0.72 EUR |
100+ | 0.46 EUR |
500+ | 0.35 EUR |
1000+ | 0.31 EUR |
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: onsemi
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 70770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.07 EUR |
10+ | 0.66 EUR |
100+ | 0.44 EUR |
500+ | 0.34 EUR |
1000+ | 0.29 EUR |
3000+ | 0.24 EUR |
9000+ | 0.23 EUR |
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 290936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2567+ | 0.24 EUR |
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
285+ | 0.57 EUR |
409+ | 0.38 EUR |
413+ | 0.36 EUR |
518+ | 0.28 EUR |
1000+ | 0.18 EUR |
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2567+ | 0.24 EUR |
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.28 EUR |
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3557-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
180+ | 0.90 EUR |
280+ | 0.56 EUR |
285+ | 0.53 EUR |
409+ | 0.35 EUR |
413+ | 0.34 EUR |
518+ | 0.26 EUR |
1000+ | 0.16 EUR |
2SK3557-7-TB-E |
![]() |
Hersteller: onsemi
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 47760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 0.84 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
100+ | 0.39 EUR |
500+ | 0.34 EUR |
1000+ | 0.28 EUR |
3000+ | 0.24 EUR |
9000+ | 0.22 EUR |
2SK3557-7-TB-E |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.27 EUR |
6000+ | 0.25 EUR |
9000+ | 0.24 EUR |
15000+ | 0.22 EUR |
2SK3557-7-TB-E |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 19891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 1.16 EUR |
25+ | 0.72 EUR |
100+ | 0.46 EUR |
500+ | 0.35 EUR |
1000+ | 0.32 EUR |
2SK3562(Q) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3564(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
48+ | 1.52 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
2SK3564(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
48+ | 1.52 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
2SK3564(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.54 EUR |
2SK3564(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 42-46 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.90 EUR |
50+ | 1.34 EUR |
100+ | 1.24 EUR |
500+ | 1.02 EUR |
2SK3565 | ![]() |
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.43 EUR |
2SK3565 | ![]() |
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.43 EUR |
2SK3565(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
31+ | 2.35 EUR |
34+ | 2.12 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
50+ | 1.47 EUR |
2SK3565(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
31+ | 2.35 EUR |
34+ | 2.12 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
50+ | 1.47 EUR |
2SK3565(STA4,Q,M) |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
300+ | 1.65 EUR |
2SK3565(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
300+ | 1.66 EUR |
2SK3566(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
48+ | 1.50 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
250+ | 1.00 EUR |
2SK3566(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
48+ | 1.50 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
250+ | 1.00 EUR |
2SK3566(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
MOSFETs N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.15 EUR |
10+ | 2.80 EUR |
25+ | 1.63 EUR |
100+ | 1.47 EUR |
500+ | 1.18 EUR |
1000+ | 1.05 EUR |
2SK3566(STA4,Q,M) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.61 EUR |
50+ | 1.75 EUR |
100+ | 1.57 EUR |
2SK3566(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 3.23 EUR |
2SK3566(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
750+ | 0.79 EUR |
2SK3566(STA4,Q,M) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
750+ | 1.54 EUR |
2SK3568(Q,M) |
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
460+ | 1.32 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
1000+ | 1.10 EUR |
2SK3570-ZK-E1-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
307+ | 1.65 EUR |
2SK3570-ZK-E1-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 20V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
339+ | 1.79 EUR |
500+ | 1.65 EUR |
2SK3573-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 4.13 EUR |
2SK3573-ZK-E1-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 4.13 EUR |
2SK3573-ZK-E1-AZ |
![]() |
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 20V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
136+ | 4.48 EUR |
500+ | 4.12 EUR |
1000+ | 3.76 EUR |
2SK3575-AZ |
Hersteller: Renesas
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
126+ | 4.01 EUR |
2SK350 |
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3502-01MR-80 |
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3503-T1 |
Hersteller: NEC
09+
09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3503-T1 |
Hersteller: NEC
SOT23
SOT23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK350401 |
Hersteller: FUJI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3505-01MR-MY |
Hersteller: FUJI-ELECT
07+ TO-220
07+ TO-220
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK3509 |
Hersteller: SANKEN
09+
09+
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SK351 |
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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