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2SK3562 2SK3562
Produktcode: 30574
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Toshiba description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 6
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 76 Stück
6 Stück - stock Köln
70 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503(0)-T1-A Renesas N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3429+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3429
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510-Z-E1-AZ 2SK3510-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510-Z-E1-AZ Renesas RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 75V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+8.00 EUR
100+7.41 EUR
500+6.83 EUR
1000+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511-S19-AY 2SK3511-S19-AY Renesas Electronics Corporation RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
90+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511-S19-AY Renesas RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Switching N-Channel Power MOS FET
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+6.41 EUR
100+5.93 EUR
500+5.47 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.12 EUR
16000+0.11 EUR
24000+0.10 EUR
40000+0.10 EUR
56000+0.10 EUR
80000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 138148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
45+0.40 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.12 EUR
48000+0.11 EUR
72000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 7460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.16 EUR
25+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 70770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.07 EUR
10+0.66 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 290936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2567+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ONSEMI ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.57 EUR
409+0.38 EUR
413+0.36 EUR
518+0.28 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2567+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ONSEMI ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.90 EUR
280+0.56 EUR
285+0.53 EUR
409+0.35 EUR
413+0.34 EUR
518+0.26 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 47760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 19891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.16 EUR
25+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3562(Q) 2SK3562(Q) Toshiba 2sk3562_en_wm_20100129.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3564.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3564.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564 Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba 2SK3564_datasheet_en_20131101-1649730.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 42-46 Tag (e)
1+2.90 EUR
50+1.34 EUR
100+1.24 EUR
500+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565 Toshiba description Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565 Toshiba description Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) TOSHIBA 10779.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.35 EUR
34+2.12 EUR
43+1.69 EUR
45+1.60 EUR
48+1.52 EUR
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) TOSHIBA 10779.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
34+2.12 EUR
43+1.69 EUR
45+1.60 EUR
48+1.52 EUR
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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300+1.65 EUR
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2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3566.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.50 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
65+1.10 EUR
69+1.04 EUR
250+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3566.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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48+1.50 EUR
53+1.37 EUR
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65+1.10 EUR
69+1.04 EUR
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2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba 2SK3566_datasheet_en_20131101-1369486.pdf MOSFETs N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
auf Bestellung 603 Stücke:
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1+3.15 EUR
10+2.80 EUR
25+1.63 EUR
100+1.47 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.61 EUR
50+1.75 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 750
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2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 750
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2SK3568(Q,M) Toshiba Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 11650 Stücke:
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460+1.32 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 460
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2SK3570-ZK-E1-AZ 2SK3570-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 800 Stücke:
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307+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 307
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2SK3570-ZK-E1-AZ Renesas RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 20V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.79 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 339
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2SK3573-AZ 2SK3573-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
123+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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2SK3573-ZK-E1-AZ 2SK3573-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
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123+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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2SK3573-ZK-E1-AZ Renesas RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 20V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+4.48 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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2SK3575-AZ 2SK3575-AZ Renesas Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
126+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 126
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2SK35
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK350 07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK350
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3502
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3502-01MR-80
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3503
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503-T1 NEC 09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503-T1 NEC SOT23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK350401 FUJI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3505-01MR-MY FUJI-ELECT 07+ TO-220
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3509 SANKEN 09+
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK351
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK351 07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3562
Produktcode: 30574
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description
2SK3562
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 6
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 76 Stück
6 Stück - stock Köln
70 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503(0)-T1-A
Hersteller: Renesas
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3429+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3429
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510-Z-E1-AZ RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3510-Z-E1-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3510-Z-E1-AZ RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 75V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+8.00 EUR
100+7.41 EUR
500+6.83 EUR
1000+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511-S19-AY RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3511-S19-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3511-S19-AY RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Switching N-Channel Power MOS FET
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+6.41 EUR
100+5.93 EUR
500+5.47 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.12 EUR
16000+0.11 EUR
24000+0.10 EUR
40000+0.10 EUR
56000+0.10 EUR
80000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 138148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.63 EUR
45+0.40 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.12 EUR
48000+0.11 EUR
72000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
auf Bestellung 7460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.16 EUR
25+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: onsemi
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 70770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.07 EUR
10+0.66 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 290936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2567+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
285+0.57 EUR
409+0.38 EUR
413+0.36 EUR
518+0.28 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2567+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
180+0.90 EUR
280+0.56 EUR
285+0.53 EUR
409+0.35 EUR
413+0.34 EUR
518+0.26 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-7-TB-E
Hersteller: onsemi
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
auf Bestellung 47760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.84 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-7-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3557-7-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-7-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
auf Bestellung 19891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.16 EUR
25+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3562(Q) 2sk3562_en_wm_20100129.pdf
2SK3562(Q)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
66+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564
2SK3564(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564_datasheet_en_20131101-1649730.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 42-46 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.90 EUR
50+1.34 EUR
100+1.24 EUR
500+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565 description
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565 description
Hersteller: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565(STA4,Q,M) 10779.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
34+2.12 EUR
43+1.69 EUR
45+1.60 EUR
48+1.52 EUR
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565(STA4,Q,M) 10779.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
34+2.12 EUR
43+1.69 EUR
45+1.60 EUR
48+1.52 EUR
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
300+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3565(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
300+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
65+1.10 EUR
69+1.04 EUR
250+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
53+1.37 EUR
59+1.22 EUR
65+1.10 EUR
69+1.04 EUR
250+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566_datasheet_en_20131101-1369486.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.15 EUR
10+2.80 EUR
25+1.63 EUR
100+1.47 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.61 EUR
50+1.75 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 750
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3568(Q,M)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
460+1.32 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 460
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3570-ZK-E1-AZ RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3570-ZK-E1-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
307+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 307
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3570-ZK-E1-AZ RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 20V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
339+1.79 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 339
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3573-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3573-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3573-ZK-E1-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3573-ZK-E1-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3573-ZK-E1-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 20V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+4.48 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3575-AZ
2SK3575-AZ
Hersteller: Renesas
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
126+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK35
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK350
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK350
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3502
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3502-01MR-80
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503-T1
Hersteller: NEC
09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3503-T1
Hersteller: NEC
SOT23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK350401
Hersteller: FUJI
auf Bestellung 2100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3505-01MR-MY
Hersteller: FUJI-ELECT
07+ TO-220
auf Bestellung 700 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3509
Hersteller: SANKEN
09+
auf Bestellung 280 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK351
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2SK351
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
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