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SSS7N60B SSS7N60B
Produktcode: 32907
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Fairchild SSP7N60Buii.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 7
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 28 Stück
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FQI7N60B
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MDF7N60BTH
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MDF7N60BTH=SSS7N60
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MFD7N60BTH
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SSH7N60B
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SSI7N60B
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SSP7N60B Fairchild 0638
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SSP7N60B FSC
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SSW7N60B FAIRCHILD 07+ TO-263
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SSW7N60B FAIRCHILD TO-263
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APT47N60BC3 (TO-247)
Produktcode: 95890
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Transistoren > MOSFET N-CH
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APT47N60BC3G APT47N60BC3G MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA873D558421874A&compId=APT47N60BC3G.pdf?ci_sign=0699b97c03a1bae742a67f3bdde3db5092a1a926 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT47N60BC3G APT47N60BC3G MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA873D558421874A&compId=APT47N60BC3G.pdf?ci_sign=0699b97c03a1bae742a67f3bdde3db5092a1a926 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT77N60BC6 APT77N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT77N60BC6 APT77N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT77N60BC6 APT77N60BC6 Microchip Technology APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-247
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IXGA7N60B IXGA7N60B IXYS media-3322422.pdf IGBTs 14 Amps 600V 2.0 Rds
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APT47N60BC3G MICROSEMI 6283-apt47n60bc3g-apt47n60sc3g-datasheet TO 247/MOSFET N-CH 47A 600V APT47N
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APT47N60BCFG MICROSEMI TO 247/FREDFET N-CH 46A 600V APT47N
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SSS7N60B
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SSS7N60B
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 7
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
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MDF7N60BTH
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MFD7N60BTH
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SSP7N60B
Hersteller: Fairchild
0638
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SSP7N60B
Hersteller: FSC
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SSS7N60=MDF7N60BTH
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SSW7N60B
Hersteller: FAIRCHILD
07+ TO-263
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SSW7N60B
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
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APT47N60BC3 (TO-247)
Produktcode: 95890
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Transistoren > MOSFET N-CH
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APT47N60BC3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA873D558421874A&compId=APT47N60BC3G.pdf?ci_sign=0699b97c03a1bae742a67f3bdde3db5092a1a926
APT47N60BC3G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT47N60BC3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA873D558421874A&compId=APT47N60BC3G.pdf?ci_sign=0699b97c03a1bae742a67f3bdde3db5092a1a926
APT47N60BC3G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
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On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
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Kind of package: tube
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APT77N60BC6 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet
APT77N60BC6
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT77N60BC6 77173-apt77n60bc6-apt77n60sc6-datasheet
APT77N60BC6
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT77N60BC6 APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf
APT77N60BC6
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-247
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IXGA7N60B media-3322422.pdf
IXGA7N60B
Hersteller: IXYS
IGBTs 14 Amps 600V 2.0 Rds
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APT47N60BC3G 6283-apt47n60bc3g-apt47n60sc3g-datasheet
Hersteller: MICROSEMI
TO 247/MOSFET N-CH 47A 600V APT47N
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APT47N60BCFG
Hersteller: MICROSEMI
TO 247/FREDFET N-CH 46A 600V APT47N
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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