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BSC0906NS BSC0906NS Infineon Technologies Infineon_BSC0906NS_DataSheet_v02_06_EN-3361152.pdf MOSFETs N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 7749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.88 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
5000+0.32 EUR
10000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0906NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.19 EUR
97+0.74 EUR
131+0.55 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
250+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0906NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
97+0.74 EUR
131+0.55 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
250+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
auf Bestellung 7998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
311+0.52 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.40 EUR
5000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 311
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NS E8189 BSC0906NS E8189 Infineon Technologies MOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0906NS_DataSheet_v02_06_EN-3361152.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NS Infineon_BSC0906NS_DataSheet_v02_06_EN-3361152.pdf
BSC0906NS
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 7749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.36 EUR
10+0.88 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
5000+0.32 EUR
10000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS-DTE.pdf
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
97+0.74 EUR
131+0.55 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
250+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS-DTE.pdf
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
97+0.74 EUR
131+0.55 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
250+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c
BSC0906NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c
BSC0906NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
auf Bestellung 7998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.62 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC0906NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
311+0.52 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.40 EUR
5000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 311
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC0906NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NS E8189
BSC0906NS E8189
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs
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BSC0906NSATMA1 Infineon_BSC0906NS_DataSheet_v02_06_EN-3361152.pdf
BSC0906NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC0906NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC0906NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH