Suchergebnisse für "FQP4N90C" : 4
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FQP4N90C Produktcode: 60621
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Lieblingsprodukt
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ON |
![]() Uds,V: 900 V Idd,A: 2,3 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/15 JHGF: THT |
auf Bestellung 39 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQP4N90C | ONS |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP4N90C | onsemi / Fairchild |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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FQP4N90C | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V |
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FQP4N90C Produktcode: 60621
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
JHGF: THT
auf Bestellung 39 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.98 EUR |
FQP4N90C |
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Hersteller: ONS
MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 7.68 EUR |
FQP4N90C |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP4N90C |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
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