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FQP4N90C

FQP4N90C ON

fqp4n90c-datasheetd.pdf
Produktcode: 60621
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQP4N90C FQP4N90C Hersteller : ON Semiconductor fqpf4n90c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP4N90C Hersteller : ONS FQPF4N90C-D.PDF MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
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FQP4N90C FQP4N90C Hersteller : ON Semiconductor fqpf4n90cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FQP4N90C FQP4N90C Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003588136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQP4N90C FQP4N90C Hersteller : onsemi FQPF4N90C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
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FQP4N90C FQP4N90C Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF4N90C_D-1809785.pdf MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
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UC3843BD1 (SO-8)
Produktcode: 14241
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
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BZV55-C20
Produktcode: 41967
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BZV55.pdf
BZV55-C20
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 20
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 15.6mV/K
auf Bestellung 196 Stück:
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10+0.03 EUR
100+0.023 EUR
1000+0.018 EUR
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UC2845BN
Produktcode: 192338
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en.CD00000966.pdf
UC2845BN
Hersteller: Gbicronic
IC > IC Netzteile
Gehäuse: PDIP-8
Eigenschaften: Current Mode PWM Controllers 0.5mA
Spannung, eing., V: 4,95...5,5 V
I-ausg., A: 1 A
Fosc, kHz: 52 kHz
Temperaturbereich: -40…+150°C
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Дротяний припій, 1mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 100g (WG-01X-01-1-100-6 / LC60-1.00/0.1)
Produktcode: 15924
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description cynel.pdf
Дротяний припій, 1mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 100g (WG-01X-01-1-100-6 / LC60-1.00/0.1)
+1
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Draht Lötmaterial Sn-60% Pb-40% 1,00mm 0,1kg.
Gewicht: 100g.
Durchschnitt: 1mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
auf Bestellung 340 Stück:
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erwartet 1200 Stück:
1200 Stück - erwartet 20.07.2025
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FQPF4N90C
Produktcode: 86951
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fqp4n90c-datasheet.pdf
FQPF4N90C
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/17
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
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