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FQP4N90C

FQP4N90C ON

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Produktcode: 60621
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/15
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQP4N90C ONS/FAI FQP%28F%294N90C.pdf MOSFET N-CH 900V 4A TO-220 Транзистори
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FQP4N90C FQP4N90C onsemi FQPF4N90C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
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FQP4N90C FQP4N90C onsemi FQPF4N90C-D.PDF MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP4N90C FQP%28F%294N90C.pdf
Hersteller: ONS/FAI
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220 Транзистори
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FQP4N90C FQPF4N90C-D.PDF
FQP4N90C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
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FQP4N90C FQPF4N90C-D.PDF
FQP4N90C
Hersteller: onsemi
MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
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UC3843BD1 (SO-8)
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UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 250 kHz
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 164 St.:
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 20 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 15.6mV/K
auf Bestellung 1586 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.048 EUR
10+0.036 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.021 EUR
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung eing., V: 8,2...30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 364 St.:
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10+1 EUR
100+0.87 EUR
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UC2845BN
Produktcode: 192338
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en.CD00000966.pdf
UC2845BN
Hersteller: Gbicronic
IC > IC Netzteile
Gehäuse: PDIP-8
Funktion und Eigenschaften: Current Mode PWM Controllers 0.5mA
Spannung eing., V: 4,95...5,5 V
I-ausg., A: 1 A
Fosc, kHz: 52 kHz
Temperaturbereich: -40…+150°C
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UC3843BD1013TR
Produktcode: 56902
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UC3843BD1013TR
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: Switching Controllers 0.5mA Current Mode,500 kHz,4.90 V to 5.10 V
8542 39 90 00
auf Bestellung 236 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.68 EUR
10+0.5 EUR
100+0.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH