Suchergebnisse für "G80N60" : 13
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Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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G80N60 | FSC |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
G80N60UF |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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SIHG80N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG80N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G80N60 Produktcode: 77783
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Lieblingsprodukt
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Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
G80N60UF Produktcode: 86430
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Lieblingsprodukt
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Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
G80N60UFD(Transistor) Produktcode: 100656
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Lieblingsprodukt
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Fairchild |
![]() Gehäuse: TO247AC Vces: 600 V Vce: 2,1 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 195 W |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SIHG80N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 268A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 443nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SIHG80N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 268A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 443nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SIHG80N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 254A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SIHG80N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 254A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
G80N60 |
Hersteller: FSC
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG80N60E-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 21.51 EUR |
10+ | 16.09 EUR |
100+ | 13.89 EUR |
500+ | 13.16 EUR |
1000+ | 12.43 EUR |
SIHG80N60EF-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.54 EUR |
10+ | 14.87 EUR |
G80N60 Produktcode: 77783
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Lieblingsprodukt
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G80N60UF Produktcode: 86430
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Stück im Wert von UAH
G80N60UFD(Transistor) Produktcode: 100656
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
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SIHG80N60E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHG80N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SIHG80N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SIHG80N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH