Suchergebnisse für "G80N60" : 15

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
G80N60 FSC
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G80N60UF
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 SIHG80N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg80n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.31 EUR
10+16.95 EUR
25+15.47 EUR
50+15.44 EUR
100+13.29 EUR
250+13.06 EUR
500+12.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg80n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.52 EUR
25+14.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg80n60ef.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.36 EUR
10+19.32 EUR
25+15.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G80N60
Produktcode: 77783
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G80N60UF
Produktcode: 86430
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G80N60UFD(Transistor)
Produktcode: 100656
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Fairchild sgh80n60ufd.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 VISHAY sihg80n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 VISHAY sihg80n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 SIHG80N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg80n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 443 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 VISHAY sihg80n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 VISHAY sihg80n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G80N60
Hersteller: FSC
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G80N60UF
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
SIHG80N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.31 EUR
10+16.95 EUR
25+15.47 EUR
50+15.44 EUR
100+13.29 EUR
250+13.06 EUR
500+12.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
SIHG80N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.52 EUR
25+14.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
SIHG80N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.36 EUR
10+19.32 EUR
25+15.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G80N60
Produktcode: 77783
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G80N60UF
Produktcode: 86430
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G80N60UFD(Transistor)
Produktcode: 100656
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

sgh80n60ufd.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
SIHG80N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 443 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH