Suchergebnisse für "IRF2805" : 22
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF2805 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 150nC On-state resistance: 4.7mΩ |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 150nC On-state resistance: 4.7mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2805PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2805PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11829 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805PBF | International Rectifier HiRel Products |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805 | IR | 09+ SMD |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRF2805PBF | International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805S | IR | 07+ TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2805S | IR | TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2805 Produktcode: 4025
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF2805PBF Produktcode: 186509
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Lieblingsprodukt
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IRF2805PBF | Infineon Technologies |
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IRF2805STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 135A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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IRF2805STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 135A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF2805 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 3.91 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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46+ | 1.57 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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46+ | 1.57 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
auf Bestellung 2123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 2.08 EUR |
10+ | 1.56 EUR |
1000+ | 1.55 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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80+ | 1.77 EUR |
95+ | 1.43 EUR |
100+ | 1.33 EUR |
500+ | 1.27 EUR |
1000+ | 1.13 EUR |
3000+ | 0.91 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1000+ | 1.83 EUR |
60000+ | 1.61 EUR |
90000+ | 1.44 EUR |
120000+ | 1.31 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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89+ | 1.6 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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117+ | 1.21 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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224+ | 2.36 EUR |
500+ | 2.06 EUR |
1000+ | 1.82 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
97+ | 1.46 EUR |
108+ | 1.26 EUR |
111+ | 1.19 EUR |
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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97+ | 1.47 EUR |
100+ | 1.36 EUR |
500+ | 1.3 EUR |
1000+ | 1.16 EUR |
3000+ | 0.94 EUR |
IRF2805 |
Hersteller: IR
09+ SMD
09+ SMD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier Corporation
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2805S |
Hersteller: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2805S |
Hersteller: IR
TO-263
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2805 Produktcode: 4025
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IRF2805PBF Produktcode: 186509
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Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRF2805PBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF2805STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
IRF2805STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH