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IRF2805 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
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IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 759 Stücke:
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44+1.63 EUR
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65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
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IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 759 Stücke:
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44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies Infineon_IRF2805_DataSheet_v01_01_EN-3362839.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
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IRF2805PBF International Rectifier HiRel Products irf2805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de928518eb description Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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224+2.39 EUR
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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104+1.33 EUR
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf2805s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf2805s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2805 IR 09+ SMD
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IRF2805PBF International Rectifier Corporation irf2805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de928518eb description N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
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IRF2805S IR 07+ TO-263
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IRF2805S IR TO-263
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IRF2805
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2805PBF
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irf2805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de928518eb description Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F9415D53DF1A303005056AB0C4F&compId=irf2805spbf.pdf?ci_sign=de92fdc8f6ae8f1bc7e2c301ba6d3231b8470cbf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F9415D53DF1A303005056AB0C4F&compId=irf2805spbf.pdf?ci_sign=de92fdc8f6ae8f1bc7e2c301ba6d3231b8470cbf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF2805
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
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IRF2805PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a
IRF2805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a
IRF2805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IRF2805PBF description Infineon_IRF2805_DataSheet_v01_01_EN-3362839.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
auf Bestellung 148 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+2.11 EUR
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IRF2805PBF description irf2805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de928518eb
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Anzahl Preis
224+2.39 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.84 EUR
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IRF2805PBF description infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.38 EUR
500+1.32 EUR
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IRF2805PBF description infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16000 Stücke:
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Anzahl Preis
1000+1.95 EUR
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IRF2805PBF description infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
78+1.84 EUR
89+1.56 EUR
100+1.43 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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IRF2805PBF description infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13720 Stücke:
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Anzahl Preis
99+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 99
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IRF2805PBF description infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.57 EUR
104+1.33 EUR
110+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 92
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IRF2805PBF description infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
71+2.02 EUR
91+1.51 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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IRF2805STRLPBF infineon-irf2805s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2805STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Anzahl Preis
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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IRF2805STRLPBF infineon-irf2805s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2805STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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IRF2805
Hersteller: IR
09+ SMD
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IRF2805PBF description irf2805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de928518eb
Hersteller: International Rectifier Corporation
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2805S
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRF2805S
Hersteller: IR
TO-263
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IRF2805
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IRF2805PBF
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF2805PBF description infineon-irf2805-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2805STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F9415D53DF1A303005056AB0C4F&compId=irf2805spbf.pdf?ci_sign=de92fdc8f6ae8f1bc7e2c301ba6d3231b8470cbf
IRF2805STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF2805STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F9415D53DF1A303005056AB0C4F&compId=irf2805spbf.pdf?ci_sign=de92fdc8f6ae8f1bc7e2c301ba6d3231b8470cbf
IRF2805STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH