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IRF2805PBF

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Produktcode: 186509
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRF2805PBF

  • MOSFET, N, 55V, 175A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.0047ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:175A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:4.7ohm
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:700A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRF2805PBF nach Preis ab 1.21 EUR bis 6.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.7 EUR
55+1.55 EUR
60+1.43 EUR
64+1.34 EUR
100+1.26 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.89 EUR
79+2.17 EUR
100+1.94 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.32 EUR
60+2.87 EUR
77+2.18 EUR
100+1.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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60+2.81 EUR
77+2.09 EUR
100+1.86 EUR
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.44 EUR
60+2.77 EUR
79+2.03 EUR
100+1.8 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
auf Bestellung 3740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
50+2.32 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON INFN-S-A0012838053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.72 EUR
67+3.5 EUR
100+2.57 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF2805PBF International Rectifier irf2805pbf.pdf description MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
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2+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF2805PBF description irf2805.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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AnzahlPrivatkunde
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55+1.55 EUR
60+1.43 EUR
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IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+1.57 EUR
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IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
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60+2.81 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
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IRF2805PBF description INFN-S-A0012838053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2805PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
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AnzahlPrivatkunde
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IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 116 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
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