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IRF2805PBF

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Produktcode: 186509
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRF2805PBF

  • MOSFET, N, 55V, 175A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.0047ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:175A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:4.7ohm
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:700A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRF2805PBF nach Preis ab 1.06 EUR bis 5.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.64 EUR
2000+1.48 EUR
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+1.64 EUR
2000+1.45 EUR
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
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67+2.15 EUR
100+1.78 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.25 EUR
66+2.2 EUR
100+1.8 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.53 EUR
2000+1.34 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.26 EUR
66+2.16 EUR
100+1.74 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.21 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.3 EUR
59+1.23 EUR
61+1.17 EUR
64+1.13 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31000 Stücke:
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1000+2.43 EUR
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies Infineon_IRF2805_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.67 EUR
10+3.7 EUR
100+2.59 EUR
500+2.16 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.9 EUR
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
auf Bestellung 4424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.97 EUR
50+2.98 EUR
100+2.69 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON INFN-S-A0012838053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
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IRF2805PBF IRF2805PBF Infineon Technologies infineonirf2805datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IRF2805PBF International Rectifier irf2805pbf.pdf description MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
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2+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPreis
1000+1.64 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPreis
1000+1.64 EUR
2000+1.45 EUR
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IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPreis
67+2.15 EUR
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IRF2805PBF description infineonirf2805datasheetv0101en.pdf
IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
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AnzahlPreis
65+2.25 EUR
66+2.2 EUR
100+1.8 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.53 EUR
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5000+1.29 EUR
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IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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66+2.16 EUR
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IRF2805PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 957 Stücke:
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IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31000 Stücke:
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IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
auf Bestellung 1709 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
auf Bestellung 4424 Stücke:
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IRF2805PBF description INFN-S-A0012838053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2805PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 175 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2805PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CN, Udss=55V, Id=75A, Rds(on)=4.7mOhm, TO-220AB, -55...+175 Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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