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IRF3415PBF IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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IR irf3415pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 55 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3415 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 96 Stücke:
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IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b T0-263
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IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b TO-263
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IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b 07+ TO-263
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IRF3415STR
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IRF3415
Produktcode: 23681
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IR IRF3415.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 43
Rds(on), Ohm: 0.042
JHGF: THT
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AUIRF3415 AUIRF3415
Produktcode: 62937
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IRF3415PBF
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irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
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IRF3415 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
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IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
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IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
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Hersteller: IR
T0-263
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Hersteller: IR
TO-263
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Hersteller: IR
07+ TO-263
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IRF3415STR
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auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRF3415
Produktcode: 23681
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 43
Rds(on), Ohm: 0.042
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AUIRF3415
Produktcode: 62937
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AUIRF3415
Transistoren > MOSFET N-CH
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