Suchergebnisse für "IRF3415" : 43

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IRF3415PBF IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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IR irf3415pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.3 EUR
38+1.9 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
38+1.9 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 4203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.18 EUR
100+1.71 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.03 EUR
10+2.49 EUR
100+1.8 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.03 EUR
69+1.99 EUR
100+1.43 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.97 EUR
2500+0.92 EUR
3000+0.86 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.09 EUR
100+1.51 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.96 EUR
3000+0.9 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.3 EUR
112+1.22 EUR
113+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3415S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 6048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.15 EUR
10+2.82 EUR
100+2.06 EUR
500+1.83 EUR
800+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.91 EUR
10+2.74 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+2.92 EUR
69+1.99 EUR
100+1.86 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.22 EUR
9600+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.58 EUR
56+2.44 EUR
57+2.33 EUR
100+1.7 EUR
250+1.61 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.58 EUR
56+2.44 EUR
57+2.33 EUR
100+1.7 EUR
250+1.61 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b T0-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STR
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 AUIRF3415 International Rectifier IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
210+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 210
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415
Produktcode: 23681
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IR IRF3415.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 43
Rds(on), Ohm: 0.042
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 AUIRF3415
Produktcode: 62937
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IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8 Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415 IRF3415 Infineon / IR description MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415L IRF3415L Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S IRF3415S Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBF IRF3415SPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRR IRF3415STRR Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRRPBF IRF3415STRRPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 AUIRF3415 Infineon Technologies auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1-1616917-6 TE Connectivity / Raychem MOSFETs 52700126=TRANSISTOR MOSFET IRF3415PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
38+1.9 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
38+1.9 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 4203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.08 EUR
10+2.18 EUR
100+1.71 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.03 EUR
10+2.49 EUR
100+1.8 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
47+3.03 EUR
69+1.99 EUR
100+1.43 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.97 EUR
2500+0.92 EUR
3000+0.86 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+2.09 EUR
100+1.51 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.96 EUR
3000+0.9 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+1.3 EUR
112+1.22 EUR
113+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF Infineon-IRF3415S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 6048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.15 EUR
10+2.82 EUR
100+2.06 EUR
500+1.83 EUR
800+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.91 EUR
10+2.74 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+2.92 EUR
69+1.99 EUR
100+1.86 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.22 EUR
9600+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+3.58 EUR
56+2.44 EUR
57+2.33 EUR
100+1.7 EUR
250+1.61 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+3.58 EUR
56+2.44 EUR
57+2.33 EUR
100+1.7 EUR
250+1.61 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
Hersteller: IR
T0-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: IR
TO-263
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IRF3415STR
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AUIRF3415 IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF3415
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IRF3415
Produktcode: 23681
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description IRF3415.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 43
Rds(on), Ohm: 0.042
JHGF: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415
Produktcode: 62937
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AUIRF3415
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF3415 description
IRF3415
Hersteller: Infineon / IR
MOSFETs
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IRF3415L irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415L
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415S
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc
IRF3415STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRRPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc
IRF3415STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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AUIRF3415 auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8
AUIRF3415
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1-1616917-6
Hersteller: TE Connectivity / Raychem
MOSFETs 52700126=TRANSISTOR MOSFET IRF3415PBF
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