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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3415PBF IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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IR irf3415pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 43 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/200
Montage: THT
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415 IRF3415 International Rectifier info-tirf3415.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
45+1.93 EUR
57+1.51 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 2491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.39 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.44 EUR
100+2.33 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.52 EUR
5000+1.37 EUR
10000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.27 EUR
60+2.84 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.34 EUR
51+3.33 EUR
100+2.2 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.34 EUR
5000+1.19 EUR
10000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.27 EUR
60+2.9 EUR
100+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBF IRF3415SPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 8949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.71 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.58 EUR
1600+1.46 EUR
2400+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.86 EUR
100+2.73 EUR
500+2.14 EUR
800+1.98 EUR
2400+1.96 EUR
4800+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.06 EUR
100+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.66 EUR
54+3.26 EUR
100+2.33 EUR
500+1.89 EUR
800+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.36 EUR
50+3.42 EUR
100+2.32 EUR
500+1.8 EUR
800+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.66 EUR
54+3.19 EUR
100+2.25 EUR
500+1.8 EUR
800+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.36 EUR
50+3.5 EUR
100+2.4 EUR
500+1.9 EUR
800+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S IR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b T0-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STR
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 AUIRF3415 International Rectifier IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415
Produktcode: 23681
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IR IRF3415.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 43 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 AUIRF3415
Produktcode: 62937
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8 Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415L IRF3415L Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S IRF3415S Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBF IRF3415SPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRR IRF3415STRR Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRRPBF IRF3415STRRPBF Infineon Technologies irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF International Rectifier/Infineon irf3415pbf_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 43 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF International Rectifier irf3415pbf.pdf MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S International Rectifier irf3415spbf.pdf Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF Infineon irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 AUIRF3415 Infineon Technologies auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3415PBF Infineon/IR Транзистор польовий IRF3415PBF Infineon/IR Infineon/IR Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=150V; Id=43A; Pdmax=200W; Rds=0,042 Ohm   Транзистори польові
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1-1616917-6 TE Connectivity / Raychem MOSFETs 52700126=TRANSISTOR MOSFET IRF3415PBF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 43 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/200
Montage: THT
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415 description info-tirf3415.pdf
IRF3415
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+2.58 EUR
45+1.93 EUR
57+1.51 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 2491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.43 EUR
10+3.39 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.77 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.44 EUR
100+2.33 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.52 EUR
5000+1.37 EUR
10000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.27 EUR
60+2.84 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.34 EUR
51+3.33 EUR
100+2.2 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.34 EUR
5000+1.19 EUR
10000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.27 EUR
60+2.9 EUR
100+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 8949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
385+1.71 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.58 EUR
1600+1.46 EUR
2400+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF Infineon_IRF3415S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.84 EUR
10+3.86 EUR
100+2.73 EUR
500+2.14 EUR
800+1.98 EUR
2400+1.96 EUR
4800+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.76 EUR
10+3.06 EUR
100+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.66 EUR
54+3.26 EUR
100+2.33 EUR
500+1.89 EUR
800+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.36 EUR
50+3.42 EUR
100+2.32 EUR
500+1.8 EUR
800+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.66 EUR
54+3.19 EUR
100+2.25 EUR
500+1.8 EUR
800+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF INFN-S-A0012732232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.36 EUR
50+3.5 EUR
100+2.4 EUR
500+1.9 EUR
800+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF infineonirf3415sdatasheetv0101en.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 96 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
Hersteller: IR
T0-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STR
auf Bestellung 2400 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 IRSDS11392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF3415
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
173+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415
Produktcode: 23681
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description IRF3415.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 43 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Montage: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415
Produktcode: 62937
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AUIRF3415
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415L irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415L
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415S
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf
IRF3415STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRR irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRRPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
IRF3415STRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415pbf_IR.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 43 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF irf3415pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415S irf3415spbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df28f8191b
Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8
AUIRF3415
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3415PBF Infineon/IR
Транзистор польовий IRF3415PBF Infineon/IR
Hersteller: Infineon/IR
Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=150V; Id=43A; Pdmax=200W; Rds=0,042 Ohm   Транзистори польові
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1-1616917-6
Hersteller: TE Connectivity / Raychem
MOSFETs 52700126=TRANSISTOR MOSFET IRF3415PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH