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IRF3415PBF

IRF3415PBF

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Produktcode: 34305
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 43 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/200
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
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IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
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IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
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IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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90+1.92 EUR
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500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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89+1.88 EUR
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111+1.38 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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79+2.14 EUR
100+1.88 EUR
500+1.48 EUR
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IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+3.92 EUR
65+2.63 EUR
89+1.87 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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64+2.59 EUR
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IRF3415PBF
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Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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61+2.76 EUR
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IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
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IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
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45+5.27 EUR
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IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
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IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
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1N5822
Produktcode: 172107
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1N582x.pdf
1N5822
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 0,125 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,525 В
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 70 А
auf Bestellung: 3081 St.
  • 3081 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.14 EUR
10+0.13 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 9 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Produktcode: 3397
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HI_Voltage_070726.pdf
4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 4,7 nF
Nennspannung: 2 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Z5V
Toleranz: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=8,5 mm
Part Number: KF3D472Z-L516BD8.5
UKTZED: 8532 24 00 00
verfügbar: 146 St.
  • 146 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1259 St.
  • 1259 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.19 EUR
10+0.14 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE15CA
Produktcode: 3237
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p6ke15ca-1011824.pdf
P6KE15CA
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 15 V
Sperrspannung, Vrm: 12,8 В
Leckstrom, Irm: 5 мкА
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: THT
Zolltarifnummer: 8541 10 00 10
auf Bestellung: 244 St.
  • 244 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3842AN (DIP-8)
Produktcode: 3097
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UC3842A,43A,UC2842A,43A.pdf
UC3842AN (DIP-8)
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: für allgemeine Verwendung
Eingangsspannung, V: 30 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Frequenz Fosc, kHz: 500 кГц
Temperaturbereich: 0…+70°С
auf Bestellung: 27 St.
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AnzahlPrivatkunde
2+0.64 EUR
10+0.58 EUR
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,5 kOhm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-1K5R-Hitano)
Produktcode: 2720
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MOR_080911.pdf
1,5 kOhm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-1K5R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 1,5 kOhm
Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 11x4.0 mm; Ø Anschluss = 0.76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
-55...+125°C
HS-Code: 8533 21 00 00
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1216 St.
  • 1216 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.12 EUR
13+0.098 EUR
100+0.079 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
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