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IRF3415PBF

IRF3415PBF

irf3415pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 34305
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 49 St.:
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IRF3415PBF IRF3415PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50000 Stücke:
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IRF3415PBF IRF3415PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
57+1.26 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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IRF3415PBF IRF3415PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
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IRF3415PBF IRF3415PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Hersteller : Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
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IRF3415PBF IRF3415PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Hersteller : Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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5+4.05 EUR
10+2.62 EUR
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1000+1.34 EUR
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IRF3415PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415PBF - MOSFET, N-KANAL, 150V, 43A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1850 Stücke:
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IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
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IRF3415PBF IRF3415PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
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irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
IRFB4115PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
JHGF: THT
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4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Produktcode: 3397
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HI_Voltage_070726.pdf
4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 4,7nF
Nennspannung: 2000V
TKE: Z5V
Präzision: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=5,8mm
Part Nummer: KF3D472Z-L516BD8.5
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 1717 St.
146 St. - stock Köln
1571 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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0,33 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R33)
Produktcode: 3296
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SQP_080911.pdf
0,33 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R33)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,33 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
auf Bestellung 360 St.:
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10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
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P6KE15CA
Produktcode: 3237
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p6ke15ca-1011824.pdf
P6KE15CA
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 15
n: 12,8 V
n: 5 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
№ 8: 8541 10 00 10
auf Bestellung 582 St.:
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Anzahl Preis
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10+0.18 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
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UC3842AN (DIP-8)
Produktcode: 3097
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UC3842A,43A,UC2842A,43A.pdf
UC3842AN (DIP-8)
Hersteller: Toshiba
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: Allgemeine Anwendung
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
auf Bestellung 80 St.:
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erwartet 20 St.:
Anzahl Preis
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