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IRF3415PBF

IRF3415PBF

irf3415pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 34305
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 43 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/200
Montage: THT
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.29 EUR
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
45+1.93 EUR
57+1.51 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
100+2.23 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.36 EUR
60+2.9 EUR
100+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies infineonirf3415datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.96 EUR
56+3.05 EUR
100+2.11 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF3415PBF IRF3415PBF Infineon Technologies irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.39 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.71 EUR
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IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1363 Stücke:
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IRF3415PBF irf3415pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df20e21919 IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
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IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.29 EUR
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IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+0.29 EUR
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IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 49000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+2.58 EUR
45+1.93 EUR
57+1.51 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRF3415PBF infineonirf3415datasheetv0101en.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.14 EUR
100+2.23 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.46 EUR
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IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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60+2.9 EUR
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IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14713 Stücke:
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36+4.96 EUR
56+3.05 EUR
100+2.11 EUR
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IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+5.28 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF3415PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.43 EUR
10+3.39 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.82 EUR
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IRF3415PBF INFN-S-A0012732505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3415PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3415PBF Транзисторы HEXFET
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IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
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IRFB4115PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 104 A
Montage: THT
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5822
Produktcode: 172107
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1N582x.pdf
1N5822
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 0,125 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,525 V
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 70 A
auf Bestellung 4701 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Produktcode: 3397
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HI_Voltage_070726.pdf
4,7nF 2kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3D472Z-L516BD8.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 4,7 nF
Nennspannung: 2k V
Dielektrikum-Code (TCC): Z5V
Toleranz: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=8,5 mm
Part Number: KF3D472Z-L516BD8.5
UKTZED: 8532 24 00 00
verfügbar: 1705 St.
  • 146 St. - stock Köln
  • 1559 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.14 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.063 EUR
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P6KE15CA
Produktcode: 3237
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p6ke15ca-1011824.pdf
P6KE15CA
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 15 V
Sperrspannung, Vrm: 12,8 V
Leckstrom, Irm: 5 µA
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: THT
Zolltarifnummer: 8541 10 00 10
auf Bestellung 332 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3842AN (DIP-8)
Produktcode: 3097
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UC3842A,43A,UC2842A,43A.pdf
UC3842AN (DIP-8)
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: Allgemeine Anwendung
Spannung eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
auf Bestellung 67 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.48 EUR
10+0.43 EUR
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