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IRFB4115PBF

Name: IRFB4115PBF
Brand: IR
SKU: 37473
Price: 2.20 EUR
Availability: InStock

irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f

Produktcode: 37473

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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
JHGF: THT

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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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500+	1.41 EUR
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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4115PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 383 Stücke:

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28+	2.62 EUR
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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

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10+	3.83 EUR
100+	2.65 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	1.99 EUR
2000+	1.86 EUR

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IRFB4115PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4115PBF

Hersteller : International Rectifier

HEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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IRFB4115PBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 62 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 380, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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IRFB4115PBF

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg

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IRFP4227PBF
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Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 65
Rds(on), Ohm: 0.021
JHGF: THT

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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT

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IRF3415PBF
Produktcode: 34305

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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT

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IRFR4620PBF
Produktcode: 37550

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irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
JHGF: SMD

auf Bestellung 40 St.:

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IRFB3077PBF
Produktcode: 104275

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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010

auf Bestellung 81 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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