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IRFB4115PBF

IRFB4115PBF

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Produktcode: 37473
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
auf Bestellung: 49 St.
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.5 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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auf Bestellung 12391 Stücke:
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226+2.89 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.5 EUR
10000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 165 Stücke:
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28+3.09 EUR
30+2.93 EUR
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auf Bestellung 8945 Stücke:
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32+5.58 EUR
60+2.83 EUR
100+2.7 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.08 EUR
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON INFN-S-A0012838127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1384 Stücke:
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22+11.9 EUR
33+7.24 EUR
100+4.84 EUR
500+4.12 EUR
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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28+3.09 EUR
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8945 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
32+5.58 EUR
60+2.83 EUR
100+2.7 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.08 EUR
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFB4115PBF infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf
IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.59 EUR
60+2.9 EUR
100+2.81 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.26 EUR
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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IRFP4227PBF
Produktcode: 26521
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IRFP4227PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
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IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
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IRFP4668PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung: 127 St.
  • 127 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR4620PBF
Produktcode: 37550
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IRFR4620PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 24 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: SMD
auf Bestellung: 27 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF
Produktcode: 104275
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IRFB3077PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 41 St.
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P1170.274NLT (270uH 20% 0,91A 460mOhm)
Produktcode: 105062
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Hersteller: Pulse
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 270 µH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: 0.91A
Typ: P1170
Abmessungen: 12,24x12,24x6 mm
Betriebsstrom, A: 0,91 A
auf Bestellung: 26 St.
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