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IRFB4115PBF

IRFB4115PBF

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Produktcode: 37473
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 160 Stücke:
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48+3.67 EUR
68+2.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 197 Stücke:
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21+4.07 EUR
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30+2.93 EUR
33+2.62 EUR
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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32+5.59 EUR
54+3.15 EUR
100+3.02 EUR
500+2.39 EUR
1000+1.87 EUR
3000+1.69 EUR
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON INFN-S-A0012838127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f Description: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
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IRFP4227PBF
Produktcode: 26521
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IRFP4227PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
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IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
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IRFP4668PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
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IRFR4620PBF
Produktcode: 37550
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IRFR4620PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 24 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: SMD
auf Bestellung: 28 St.
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IRFB3077PBF
Produktcode: 104275
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IRFB3077PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 45 St.
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AnzahlPrivatkunde
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10+3.06 EUR
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P1170.274NLT (270uH 20% 0,91A 460mOhm)
Produktcode: 105062
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Hersteller: Pulse
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 270 µH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: 0.91A
Typ: P1170
Abmessungen: 12,24x12,24x6 mm
Betriebsstrom, A: 0,91 A
auf Bestellung: 26 St.
  • 26 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.39 EUR
100+0.35 EUR
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