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IRFB4115PBF

IRFB4115PBF

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Produktcode: 37473
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 104 A
Montage: THT
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+2.38 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.93 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.33 EUR
10000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.68 EUR
26+3.33 EUR
28+3.12 EUR
33+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.75 EUR
66+2.59 EUR
100+2.24 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.77 EUR
66+2.67 EUR
100+2.34 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1803 Stücke:
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47+3.8 EUR
50+3.59 EUR
100+3.4 EUR
250+3.22 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.47 EUR
53+3.3 EUR
100+2.8 EUR
500+2.33 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Infineon Technologies irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f Description: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 3273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
10+4.59 EUR
100+3.19 EUR
500+2.58 EUR
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2000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON INFN-S-A0012838127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
226+2.93 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.33 EUR
10000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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IRFB4115PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+3.68 EUR
26+3.33 EUR
28+3.12 EUR
33+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.75 EUR
66+2.59 EUR
100+2.24 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.77 EUR
66+2.67 EUR
100+2.34 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFB4115PBF infineonirfb4115datasheetv0101en.pdf
IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1803 Stücke:
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47+3.8 EUR
50+3.59 EUR
100+3.4 EUR
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500+3.08 EUR
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.47 EUR
53+3.3 EUR
100+2.8 EUR
500+2.33 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB4115PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
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3+7.08 EUR
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2000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4115PBF INFN-S-A0012838127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4115PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFP4227PBF
Produktcode: 26521
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IRFP4227PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung 27 St.:
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IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
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IRFP4668PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung 141 St.:
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IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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IRF3415PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 43 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/200
Montage: THT
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR4620PBF
Produktcode: 37550
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IRFR4620PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: SMD
auf Bestellung 28 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFB3077PBF
Produktcode: 104275
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IRFB3077PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 120 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 63 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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