Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFB3077PBF
IRFB3077PBF

IRFB3077PBF

irfb3077pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 104275
Hersteller: IR
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 99 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFB3077PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:210A
  • On State Resistance:3.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
  • Cont Current Id @ 100`C:150A
  • Cont Current Id @ 25`C:210A
  • Max Voltage Vds:75V
  • Power Dissipation Pd:370W
  • Pulse Current Idm:850A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:9400pF
  • Voltage Vds:75V
  • Rth:0.4
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Weitere Produktangebote IRFB3077PBF nach Preis ab 0.98 EUR bis 6.28 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+1.95 EUR
124+1.15 EUR
129+1.07 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6B1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3077pbf.pdf?ci_sign=eb560ed04d0f30ce819df2a516ae68749dafec84 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
36+1.99 EUR
44+1.66 EUR
46+1.56 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6B1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3077pbf.pdf?ci_sign=eb560ed04d0f30ce819df2a516ae68749dafec84 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
36+1.99 EUR
44+1.66 EUR
46+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
188+2.96 EUR
500+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
188+2.96 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.44 EUR
42+3.29 EUR
100+2.81 EUR
500+2.40 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.69 EUR
27+5.46 EUR
42+3.31 EUR
100+2.82 EUR
500+2.41 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB3077_DataSheet_v01_01_EN-3363293.pdf MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 3381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.84 EUR
10+5.76 EUR
25+3.85 EUR
100+3.77 EUR
500+3.17 EUR
1000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.28 EUR
50+3.73 EUR
100+3.58 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF Hersteller : International Rectifier Corporation irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def TO-200AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

HCPL-3120-300E
Produktcode: 122265
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

oohcpl3120smd.pdf
HCPL-3120-300E
Hersteller: Avago
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SO-8
Typ: Драйвер затвора транзистора
U-isol, kV: 3,7 kV
Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
auf Bestellung 261 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307ZPBF
Produktcode: 37782
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irfs3307zpbf-datasheet.pdf
IRFB3307ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
JHGF: THT
auf Bestellung 77 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.24 EUR
10+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Сверло с титановым покрытием 1,2 мм
Produktcode: 126414
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Сверло с титановым покрытием 1,2 мм
Werkzeuge > Bohrmaschinen, Bohrer
Тип: Свердла
Опис: Свердло з титановим покриттям 1,2 мм
Діаметр свердла: 1,2 мм
auf Bestellung 26 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1768
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

RC_series.pdf
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 9313 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100000 Stück:
100000 Stück - erwartet 15.07.2025
Anzahl Preis
10+0.00 EUR
100+0.00 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408
Produktcode: 2135
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 6105 Stück
65 Stück - stock Köln
6040 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.07 EUR
10+0.05 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH