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IRFB3077PBF

IRFB3077PBF

irfb3077pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 104275
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details IRFB3077PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:210A
  • On State Resistance:3.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
  • Cont Current Id @ 100`C:150A
  • Cont Current Id @ 25`C:210A
  • Max Voltage Vds:75V
  • Power Dissipation Pd:370W
  • Pulse Current Idm:850A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:9400pF
  • Voltage Vds:75V
  • Rth:0.4
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
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IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
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IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
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IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFB3077PBF Hersteller : International Rectifier Corporation infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf TO-200AB
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IRFB3077PBF IRFB3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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verfügbar: 1200 St.
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet 10.05.2026
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