IRFB3077PBF
Produktcode: 104275
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details IRFB3077PBF IR
- MOSFET, N, 75V, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Cont Current Id:210A
- On State Resistance:3.3ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
- Cont Current Id @ 100`C:150A
- Cont Current Id @ 25`C:210A
- Max Voltage Vds:75V
- Power Dissipation Pd:370W
- Pulse Current Idm:850A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Typ Capacitance Ciss:9400pF
- Voltage Vds:75V
- Rth:0.4
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRFB3077PBF nach Preis ab 2.86 EUR bis 10.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 29000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 856 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3077PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 210A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg |
auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3077PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
auf Bestellung 1424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3077PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 183+ | 3.61 EUR |
| 500+ | 3.38 EUR |
| 1000+ | 3.12 EUR |
| 10000+ | 2.86 EUR |
| IRFB3077PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 183+ | 3.61 EUR |
| 500+ | 3.38 EUR |
| IRFB3077PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 4.86 EUR |
| 24+ | 3.56 EUR |
| IRFB3077PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.79 EUR |
| 33+ | 5.19 EUR |
| 100+ | 3.69 EUR |
| IRFB3077PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.84 EUR |
| 33+ | 5.33 EUR |
| 100+ | 3.86 EUR |
| IRFB3077PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.85 EUR |
| 10+ | 5.87 EUR |
| 100+ | 4.16 EUR |
| 500+ | 3.44 EUR |
| 1000+ | 3.39 EUR |
| IRFB3077PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.01 EUR |
| 10+ | 5.96 EUR |
| 50+ | 4.65 EUR |
| 100+ | 4.22 EUR |
| 500+ | 3.49 EUR |
| IRFB3077PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.61 EUR |
| 36+ | 6.54 EUR |
| 100+ | 4.26 EUR |
| 500+ | 3.51 EUR |
| 1000+ | 3.45 EUR |
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| IRFB4115PBF Produktcode: 37473
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
auf Bestellung: 49 St.
- 49 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.67 EUR |
| 10+ | 3.32 EUR |
| IRFB4110PBF Produktcode: 42666
4
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 800 St.
- 800 St. - erwartet 27.08.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.4 EUR |
| 10+ | 4.83 EUR |
| 100+ | 4.26 EUR |
| Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Produktcode: 123772
4
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Lieblingsprodukt
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Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13x18x0,3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13x18x0,3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
erwartet: 30000 St.
- 5000 St. - erwartet 09.08.2026
- 5000 St. - erwartet 09.08.2026
- 5000 St. - erwartet 09.08.2026
- 5000 St. - erwartet 09.08.2026
- 5000 St. - erwartet 09.08.2026
- 5000 St. - erwartet 09.08.2026
auf Bestellung: 7 St.
- 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.058 EUR |
| 10+ | 0.039 EUR |
| 100+ | 0.031 EUR |
| 1000+ | 0.019 EUR |
| STP14NK50ZFP Produktcode: 2275
2
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2000/69
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2000/69
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 5 St.
- 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 95 St.
- 95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.94 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| VCR-07D681KAB (S07K420,TVR07681,GNR-07D-681K) (Varistor) Produktcode: 2236
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 420/560 V
Varistorspannung, V: 680(612...748) V
Max. Spannung und Ansprechstrom, V@A: 1120@10 B@A
Imax.(8/20mcs): 1200 A
Leistung, W: 0,25 W
Kapazität, pF: 75 pF
Größe: 7D
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 420/560 V
Varistorspannung, V: 680(612...748) V
Max. Spannung und Ansprechstrom, V@A: 1120@10 B@A
Imax.(8/20mcs): 1200 A
Leistung, W: 0,25 W
Kapazität, pF: 75 pF
Größe: 7D
verfügbar: 145 St.
- 145 St. - stock Köln
erwartet: 1000 St.
- 1000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1048 St.
- 1048 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.086 EUR |











