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IRFB3077PBF

IRFB3077PBF

irfb3077pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 104275
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 57 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFB3077PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:210A
  • On State Resistance:3.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
  • Cont Current Id @ 100`C:150A
  • Cont Current Id @ 25`C:210A
  • Max Voltage Vds:75V
  • Power Dissipation Pd:370W
  • Pulse Current Idm:850A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:9400pF
  • Voltage Vds:75V
  • Rth:0.4
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.55 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
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187+3.55 EUR
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1000+3.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.86 EUR
24+3.56 EUR
50+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.16 EUR
36+4.91 EUR
100+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.16 EUR
36+4.81 EUR
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.03 EUR
10+5.97 EUR
100+4.24 EUR
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2000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
10+6.18 EUR
100+4.49 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.62 EUR
2000+3.39 EUR
5000+3.12 EUR
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IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1436 Stücke:
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IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3077PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
auf Bestellung 71 Stücke:
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18+4.86 EUR
24+3.56 EUR
50+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3077PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
auf Bestellung 2263 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
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10+6.18 EUR
100+4.49 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.62 EUR
2000+3.39 EUR
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IRFB3077PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
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HCPL-3120-300E
Produktcode: 122265
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oohcpl3120smd.pdf
HCPL-3120-300E
Hersteller: Avago
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SO-8
Typ: Transistor-Gate-Treiber
Isolationsspannung Uisol, kV: 3,7 кВ
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Betriebstemperatur, °C: -40…+100°С
auf Bestellung 15 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 400 St.:
400 St. - erwartet 25.07.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3685
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20 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 20 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 10450 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 9250 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
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IRFB4115PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
auf Bestellung 54 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.62 EUR
10+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Produktcode: 123772
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Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13x18x0,3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
auf Bestellung 582 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14NK50ZFP
Produktcode: 2275
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description STP14NK50ZFP.pdf
STP14NK50ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2000/69
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 104 St.
  • 5 St. - stock Köln
  • 99 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH