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IRFP4668PBF

IRFP4668PBF

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Produktcode: 32680
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung: 135 St.
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Technische Details IRFP4668PBF IR

IRFP4668PBF Lestungs-Transistor  N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC

Hersteller     Infineon (IRF)        

Transistortyp          N-MOSFET              

Drain-Source Spannung  200V 

Drainstrom  130A 

Leistung        520W           

Gehäuse       TO247AC    

Gate-Source Spannung   ±30V 

Widerstand im Leitungszustand           9.7mΩ         

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    0.29K/W     

Montage      THT   

Serie  HEXFET®

Produktcode 32680

 

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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400+4.82 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 475 Stücke:
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
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32+5.6 EUR
400+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
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32+5.6 EUR
400+4.91 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.7 EUR
17+5.24 EUR
18+4.82 EUR
25+4.07 EUR
50+3.56 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 3096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.9 EUR
29+8.03 EUR
100+5.97 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
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25+12.96 EUR
50+12.16 EUR
100+11.47 EUR
250+10.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
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IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 177 Stücke:
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15+5.7 EUR
17+5.24 EUR
18+4.82 EUR
25+4.07 EUR
50+3.56 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRFP4668PBF 3732313.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 3096 Stücke:
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1000+4.5 EUR
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IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
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13+13.78 EUR
25+12.96 EUR
50+12.16 EUR
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250+10.95 EUR
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Wärmeleitpaste nicht aushärtend TS-2 (2-2,2 Вт/м·К), 100г, Dose
Produktcode: 152527
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Wärmeleitpaste nicht aushärtend TS-2 (2-2,2 Вт/м·К), 100г, Dose
Chemie > Wärmeleitende Materialien
Beschreibung: Wärmeleitfähigkeit bei 20 °C, mindestens 2 W/(m·K). Dichte 3,1 g/cm³. Betriebstemperaturbereich від -60 до +180 °C. Auf Basis von Silikonöl und einer Hybridmischung aus Mikropartikeln der speziell entwickelten Legierung "Thermostabil".
Verwendungszweck: Zur Wärmeableitung von auf dem Kühlkörper montierten Bauteilen
Verpackung / Größe: 100 g
Typ: Wärmeleitpaste
Wärmeleitfähigkeit: 2 W/(m·K)
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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LACK PVB 16 (Universallack für Leiterplatten) PVB Varnish, 400мл. (ART.AGT-115) AG TermoPasty
Produktcode: 116170
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description
LACK PVB 16 (Universallack für Leiterplatten) PVB Varnish, 400мл. (ART.AGT-115) AG TermoPastyLACK PVB 16 (Universallack für Leiterplatten) PVB Varnish, 400мл. (ART.AGT-115) AG TermoPastyLACK PVB 16 (Universallack für Leiterplatten) PVB Varnish, 400мл. (ART.AGT-115) AG TermoPasty
LACK PVB 16 (Universallack für Leiterplatten) PVB Varnish, 400мл. (ART.AGT-115) AG TermoPastyLACK PVB 16 (Universallack für Leiterplatten) PVB Varnish, 400мл. (ART.AGT-115) AG TermoPastyLACK PVB 16 (Universallack für Leiterplatten) PVB Varnish, 400мл. (ART.AGT-115) AG TermoPasty
Hersteller: AG TermoPasty
Chemie > Schutzbeschichtungen
Beschreibung: Universallack für Leiterplatten. Transparente, schnelltrocknende PVB-Beschichtung mit guten Isoliereigenschaften. Schützt Leiterplatten und andere Elemente, die unter ungünstigen atmosphärischen Bedingungen arbeiten, vor Korrosion. Die Beschichtung schützt Leiterplatten vor Kriechströmen und Kurzschlüssen. Bildet eine Schutz- und Isolierschicht gegen atmosphärische Einflüsse wie: Feuchtigkeit, Oxidation, Staub, chemische Verunreinigungen; Liegt gut an Metall-, Kunststoff- und Holzoberflächen an; Bildet eine gegen verdünnte Säuren, Laugen und atmosphärische Faktoren beständige Schicht; Löten durch die Lackschicht ist möglich; Verhindert Funkenbildung und Koronaentladung.
Verwendungszweck: Schützt Leiterplatten und andere Elemente, die unter ungünstigen atmosphärischen Bedingungen arbeiten, vor Korrosion. Die Beschichtung schützt Leiterplatten vor Kriechströmen und Kurzschlüssen.
Verpackung: 400 ml
verfügbar: 33 St.
  • 33 St. - stock Köln
erwartet: 504 St.
  • 504 St. - erwartet 15.09.2026
AnzahlPrivatkunde
1+21.15 EUR
10+19.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2430
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EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 980 St.
  • 980 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
auf Bestellung: 56 St.
  • 56 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.26 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.046 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
330uF 25V EFH 10x12,5mm (EFH331M25B – Hitano)
Produktcode: 114664
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efh_20160323.pdf
330uF 25V EFH 10x12,5mm (EFH331M25B – Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330 µF
Nennspannung: 25 В
Reihe: EFH
Typ: für Vorschaltgeräte, lange Lebensdauer, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5 mm
Lebensdauer: 7000 Stunden
auf Bestellung: 343 St.
  • 343 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 35V size-C 10% (TAJC106K035RNJ-AVX)
Produktcode: 121704
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taj-776811-datasheet.pdf
10uF 35V size-C 10% (TAJC106K035RNJ-AVX)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 10 мкФ
Nennspannung: 35 В
Toleranz: ±10%
Größentyp: Size-C
auf Bestellung: 502 St.
  • 502 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.46 EUR
10+0.42 EUR
100+0.38 EUR
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