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IRFR4620PBF

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Produktcode: 37550
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: SMD
auf Bestellung 28 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFR4620PBF IR

  • MOSFET,N-CH 200V 24A DPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:15A
  • On State Resistance:78mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:144W
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR4620PBF Infineon irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 description DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF International Rectifier irfr4620pbf.pdf description DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF IRFR4620PBF Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 description Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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IRFR4620PBF IRFR4620PBF Infineon Technologies Infineon-IRFR4620-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
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IRFR4620PBF description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
Hersteller: Infineon
DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF description irfr4620pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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IRFR4620PBF description Infineon-IRFR4620-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 V
verfügbar: 6074 St.
  • 65 St. - stock Köln
  • 6009 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.082 EUR
10+0.058 EUR
100+0.052 EUR
1000+0.05 EUR
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470uF 50V ESX 13x21mm (low imp., 5000Stunden) (ESX471M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31679
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ESX_080418.pdf
470uF 50V ESX 13x21mm (low imp., 5000Stunden) (ESX471M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 13x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 8 St.
    erwartet: 4000 St.
    • 4000 St. - erwartet 10.08.2026
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.6 EUR
    10+0.46 EUR
    100+0.32 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFB4115PBF
    Produktcode: 37473
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    		irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
    IRFB4115PBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
    Drain-Strom Idd, A: 104 A
    Montage: THT
    auf Bestellung 54 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+2.62 EUR
    10+2.38 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRLR3110ZPBF (DPAK)
    Produktcode: 48508
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    IRLR3110ZPBF (DPAK)
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: D-Pak (TO-252)
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
    Drain-Strom Idd, A: 63 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 14 mOhm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
    Bemerkung: Logikpegelsteuerung
    Montage: SMD
    auf Bestellung 50 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.34 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDD3670
    Produktcode: 66963
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    		fdd3670-daatsheet.pdf
    Hersteller: ON
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: D-Pak (TO-252)
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
    Drain-Strom Idd, A: 34 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 32 mOhm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2490/57
    Montage: SMD
    auf Bestellung 1 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH