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IRFR4620PBF

IRFR4620PBF

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Produktcode: 37550
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 24 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: SMD
auf Bestellung: 28 St.
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Technische Details IRFR4620PBF IR

  • MOSFET,N-CH 200V 24A DPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:15A
  • On State Resistance:78mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:144W
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR4620PBF Infineon irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 description DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF International Rectifier irfr4620pbf.pdf description DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF IRFR4620PBF Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 description Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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IRFR4620PBF IRFR4620PBF Infineon Technologies Infineon-IRFR4620-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
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IRFR4620PBF Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 description Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR4620PBF description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
Hersteller: Infineon
DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF description irfr4620pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
IRFR4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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IRFR4620PBF description Infineon-IRFR4620-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
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IRFR4620PBF description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRFB4115PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
auf Bestellung: 51 St.
  • 51 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Produktcode: 48508
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 63 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 23 St.
  • 23 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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FDD3670
Produktcode: 66963
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fdd3670-daatsheet.pdf
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 34 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 32 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2490/57
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+1.94 EUR
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33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-33R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4018
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33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-33R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 33 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 6463 St.
  • 6463 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
51 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-51K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3733
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RC_series.pdf
51 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-51K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 51 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
auf Bestellung: 15300 St.
  • 15300 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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