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IRFR4620PBF

IRFR4620PBF

irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
Produktcode: 37550
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
JHGF: SMD
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
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Technische Details IRFR4620PBF IR

  • MOSFET,N-CH 200V 24A DPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:15A
  • On State Resistance:78mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:144W
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR4620PBF IRFR4620PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr4620-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRFR4620PBF IRFR4620PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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IRFR4620PBF IRFR4620PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFR4620-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 9921 Stück
65 Stück - stock Köln
9856 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 Stück
Anzahl Preis
1+0.069 EUR
10+0.049 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.042 EUR
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470uF 50V ESX 13x21mm (ESX471M50B-Hitano)
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Kapazität: 470uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 8 Stück
erwartet: 4000 Stück
4000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.39 EUR
100+0.27 EUR
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FDD3670
Hersteller: ON
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Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 34 A
Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2490/57
JHGF: SMD
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Produktcode: 37473
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irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
IRFB4115PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
JHGF: THT
auf Bestellung 84 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.2 EUR
10+2 EUR
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 63
Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 57 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
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