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IRFR4620PBF

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Produktcode: 37550
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 24 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: SMD
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Technische Details IRFR4620PBF IR

  • MOSFET,N-CH 200V 24A DPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:15A
  • On State Resistance:78mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:144W
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR4620PBF Infineon irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 description DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF International Rectifier irfr4620pbf.pdf description DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF IRFR4620PBF Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 description Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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IRFR4620PBF IRFR4620PBF Infineon Technologies Infineon-IRFR4620-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
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IRFR4620PBF Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 description Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR4620PBF description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
Hersteller: Infineon
DPAK=TO-252AA Транзистори
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Hersteller: International Rectifier
DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR4620PBF description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
IRFR4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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IRFR4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
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IRFR4620PBF description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
verfügbar: 65 St.
  • 65 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4084 St.
  • 4084 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.082 EUR
100+0.075 EUR
1000+0.07 EUR
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470uF 50V ESX 13x21mm (low imp., 5000h) (ESX471M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31679
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 13x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 8 St.
  • 8 St. - stock Köln
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.6 EUR
10+0.46 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
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IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
auf Bestellung: 54 St.
  • 54 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.67 EUR
10+3.32 EUR
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IRLR3110ZPBF (DPAK)
Produktcode: 48508
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 63 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 37 St.
  • 37 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.15 EUR
10+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 34 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 32 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2490/57
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.15 EUR
10+1.94 EUR
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