Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > FDD3670 ON
FDD3670

FDD3670 ON

fdd3670-daatsheet.pdf
Produktcode: 66963
Hersteller: ON
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 34 A
Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2490/57
JHGF: SMD
auf Bestellung 26 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDD3670 nach Preis ab 0.6 EUR bis 5.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
82+1.76 EUR
84+1.65 EUR
110+1.22 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 FDD3670 Hersteller : onsemi fdd3670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 FDD3670 Hersteller : onsemi / Fairchild fdd3670-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 11553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.53 EUR
10+1.97 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 FDD3670 Hersteller : onsemi fdd3670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
auf Bestellung 6789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.6 EUR
10+3.65 EUR
100+2.54 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 FDD3670 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 FDD3670 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 Hersteller : fairchild fdd3670-d.pdf to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 Hersteller : FSC fdd3670-d.pdf
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 Hersteller : FAIRCHILD fdd3670-d.pdf D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 Hersteller : FAIRCHILD fdd3670-d.pdf TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 Hersteller : FAIRCHILD fdd3670-d.pdf 07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 Hersteller : ONSEMI fdd3670-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 100A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670 Hersteller : ONSEMI fdd3670-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 100A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

MC78M12CDTG
Produktcode: 39339
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

mc78m00-d-88441.pdf
MC78M12CDTG
Hersteller: ON
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 0,5 A
Udrop, V: 2 V
Bemerkung: Фіксований
auf Bestellung 109 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 8516
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

rc_series_hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30000 Stück
30000 Stück - erwartet 26.10.2025
Anzahl Preis
10+0.0028 EUR
100+0.0016 EUR
1000+0.0009 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
75 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4411
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

rc_series_hitano-datasheet.pdf
75 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 75 Ohm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 26563 Stück
5000 Stück - stock Köln
21563 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0024 EUR
100+0.0014 EUR
1000+0.00078 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3940
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
verfügbar: 6223 Stück
1200 Stück - stock Köln
5023 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 8000 Stück
8000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.02 EUR
100+0.0062 EUR
1000+0.0031 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N101J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3929
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

NPO.pdf
100pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N101J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
verfügbar: 4836 Stück
1200 Stück - stock Köln
3636 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 12000 Stück
12000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.02 EUR
100+0.0062 EUR
1000+0.0032 EUR
10000+0.0025 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH