FDD3670 - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Technische Details FDD3670
Preis FDD3670 ab 3.53 EUR bis 7.23 EUR
FDD3670 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R ![]() ![]() ![]() |
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FDD3670 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET 100V NCh PowerTrench ![]() |
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FDD3670 Hersteller: ![]() ![]() ![]() |
1280 Stücke |
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FDD3670 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R ![]() |
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FDD3670 Hersteller: FSC ![]() ![]() ![]() |
2100 Stücke |
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FDD3670 Hersteller: fairchild to-252/d-pak ![]() ![]() ![]() |
30000 Stücke |
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FDD3670 Hersteller: FAIRCHILD 07+ TO-252 ![]() ![]() ![]() |
21000 Stücke |
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FDD3670 Hersteller: FAIRCHILD D-PAK/ TO-252 ![]() ![]() ![]() |
9500 Stücke |
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FDD3670 Hersteller: FAIRCHILD TO-252 ![]() ![]() ![]() |
21000 Stücke |
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FDD3670 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R ![]() ![]() ![]() |
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FDD3670 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 100V NCh PowerTrench ![]() |
auf Bestellung 1539 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDD3670 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R ![]() ![]() ![]() |
auf Bestellung 2 Stücke ![]() Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3670 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V ![]() |
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FDD3670 Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-252 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ![]() |
auf Bestellung 5022 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD3670 Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ![]() |
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FDD3670 Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) ![]() |
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IRLR120NPBF Produktcode: 32182 |
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Möglichen Substitutionen |
IRLR120NTRPBF Produktcode: 22353 |
CDRH127/LDNP-820MC (82uH, ±20%, Idc=2.4А, Rdc max/typ=119/91 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida Produktcode: 41286 |
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Hersteller: Sumida
Drosseln - Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 82 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 82uH, ±20%, Idc=2.4А, Rdc max/typ=119/91 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
№ 7: 8504 50 20 90
25 Stück - stock KölnDrosseln - Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 82 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 82uH, ±20%, Idc=2.4А, Rdc max/typ=119/91 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
№ 7: 8504 50 20 90
303 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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4,7 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 2440 |

Hersteller: 26787
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 1206
Resistenz: Uni-Ohm
Präzision: 4,7 kOhm
P Nenn.,W: ±5% J
U Betriebs.,V: 0,25W
Größe Typ: 200V
Bemerkung: 1206
6262 Stück - lieferbar in 3-4 WochenWiderstande SMD - SMD-Widerstande 1206
Resistenz: Uni-Ohm
Präzision: 4,7 kOhm
P Nenn.,W: ±5% J
U Betriebs.,V: 0,25W
Größe Typ: 200V
Bemerkung: 1206
10000 Stück - erwartet 20.08.2022
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3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 2158 |
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Hersteller: 26763
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 1206
Resistenz: Hitano
Präzision: 3 kOhm
P Nenn.,W: ±1% F
U Betriebs.,V: 0,25W
Größe Typ: 200V
Bemerkung: 1206
10409 Stück - lieferbar in 3-4 WochenWiderstande SMD - SMD-Widerstande 1206
Resistenz: Hitano
Präzision: 3 kOhm
P Nenn.,W: ±1% F
U Betriebs.,V: 0,25W
Größe Typ: 200V
Bemerkung: 1206
10000 Stück - erwartet 15.07.2022
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