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FDD3670 ON

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Produktcode: 66963
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Hersteller: ON
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 34 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 32 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2490/57
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD3670 FDD3670 ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1403 Stücke:
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FDD3670 FDD3670 ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 1154 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD3670 FDD3670 ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3670 FDD3670 onsemi / Fairchild FDD3670-D.PDF MOSFETs 100V NCh PowerTrench
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FDD3670 FDD3670 onsemi FDD3670-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
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FDD3670 FDD3670 onsemi FDD3670-D.PDF MOSFETs 100V NCh PowerTrench
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1+5.09 EUR
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FDD3670 FDD3670 ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 1154 Stücke:
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FDD3670 FDD3670 ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3670
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 1154 Stücke:
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FDD3670 fdd3670-d.pdf
FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1403 Stücke:
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77+2.3 EUR
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FDD3670
Hersteller: onsemi / Fairchild
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FDD3670 FDD3670-D.PDF
FDD3670
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
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FDD3670
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
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10+3.27 EUR
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500+1.89 EUR
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FDD3670
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 1154 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
45+5.59 EUR
68+3.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FDD3670 fdd3670-d.pdf
FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4620PBF
Produktcode: 37550
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description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
IRFR4620PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 24 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: SMD
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  • 28 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR3110ZPBF (DPAK)
Produktcode: 48508
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IRLR3110ZPBF (DPAK)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 63 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 10 St.
  • 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.92 EUR
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STTH6003CW
Produktcode: 26370
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description STTH6003TV,CW.pdf
STTH6003CW
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Sperrspannung Vrr, V: 300 V
Mittlerer Strom Iav, A: 30 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 55 ns
Bemerkung: 2x30K
Montage: THT
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Schraubendreher Schlitz 89405A
Produktcode: 26252
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Schraubendreher Schlitz 89405A
Hersteller: Pro'sKit
Werkzeuge > Schraubendreher, Schraubenschlüssel , Sechseck
Typ: Schraubendreher
Beschreibung: Schraubendreher, Schlitz 3,2mm, Klingenlänge 100mm
Antriebsprofil: Schlitz
Antriebsgröße: 3,2 mm
Arbeitslänge: 100 mm
Werkzeuglänge: 185 mm
8205 40 00 00
auf Bestellung: 12 St.
  • 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+2.15 EUR
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Seitenschneider 1PK-037S
Produktcode: 22867
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product_detail.asp?catid=2&itemid=1PK-037S
Seitenschneider 1PK-037S
Hersteller: Pro'sKit
Werkzeuge > Zangen, Seitenschneider, Flachzangen, Kneifzangen
Typ: Seitenschneider, Kneifzangen
Beschreibung: Seitenschneider (Kneifzange), Länge 110mm, für Draht 1,6mm
8203 20 1000
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
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