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FDD3670

FDD3670 ON

fdd3670-daatsheet.pdf
Produktcode: 66963
Hersteller: ON
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 34 A
Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2490/57
JHGF: SMD
auf Bestellung 25 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1403 Stücke:
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98+1.5 EUR
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD3670-D.PDF MOSFETs 100V NCh PowerTrench
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2+2.59 EUR
10+2.01 EUR
100+1.14 EUR
2500+1.11 EUR
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : onsemi fdd3670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
auf Bestellung 1549 Stücke:
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5+3.52 EUR
10+2.25 EUR
100+1.53 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD3670 Hersteller : fairchild fdd3670-d.pdf to-252/d-pak
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD3670 Hersteller : FSC fdd3670-d.pdf
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FDD3670 Hersteller : FAIRCHILD fdd3670-d.pdf 07+ TO-252
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FDD3670 Hersteller : FAIRCHILD fdd3670-d.pdf TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FDD3670 Hersteller : FAIRCHILD fdd3670-d.pdf D-PAK/ TO-252
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : onsemi fdd3670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3670 FDD3670 Hersteller : ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3670 Hersteller : ONSEMI fdd3670-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 100A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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MC78M12CDTG
Produktcode: 39339
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mc78m00-d-88441.pdf
MC78M12CDTG
Hersteller: ON
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 0,5 A
Udrop, V: 2 V
Bemerkung: Фіксований
auf Bestellung 104 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 8516
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rc_series_hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 28600 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0028 EUR
100+0.0016 EUR
1000+0.0009 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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75 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4411
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rc_series_hitano-datasheet.pdf
75 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 75 Ohm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 24363 Stück
5000 Stück - stock Köln
19363 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0024 EUR
100+0.0014 EUR
1000+0.00078 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3940
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X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
verfügbar: 3404 Stück
1200 Stück - stock Köln
2204 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 8000 Stück
8000 Stück - erwartet 25.12.2025
Anzahl Preis
10+0.02 EUR
100+0.0062 EUR
1000+0.0031 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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100pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N101J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3929
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NPO.pdf
100pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N101J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
verfügbar: 3661 Stück
1200 Stück - stock Köln
2461 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 12000 Stück
12000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.02 EUR
100+0.0062 EUR
1000+0.0032 EUR
10000+0.0025 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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