FDD3670 - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

FDD3670

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Produktcode: 66963
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Technische Details FDD3670

Preis FDD3670 ab 3.53 EUR bis 7.23 EUR

FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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37+ 4.34 EUR
42+ 3.53 EUR
FDD3670
FDD3670
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V NCh PowerTrench
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8+ 7.23 EUR
10+ 6.53 EUR
25+ 6.16 EUR
100+ 5.33 EUR
FDD3670
Hersteller:

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: FSC

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Hersteller: fairchild
to-252/d-pak
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Hersteller: FAIRCHILD
07+ TO-252
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Hersteller: FAIRCHILD
D-PAK/ TO-252
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FDD3670
Hersteller: FAIRCHILD
TO-252
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FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 100V NCh PowerTrench
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FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
FDD3670-D.PDF fdd3670-d.pdf FAIR-S-A0002365671-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 		auf Bestellung 2 Stücke
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FDD3670
FDD3670
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
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FDD3670
FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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FDD3670
FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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FDD3670
FDD3670
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRLR120NPBF
Produktcode: 32182		 техническая информация irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF 123 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 61 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
Möglichen Substitutionen
IRLR120NTRPBF
Produktcode: 22353
CDRH127/LDNP-820MC (82uH, ±20%, Idc=2.4А, Rdc max/typ=119/91 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Produktcode: 41286		 CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-820MC (82uH, ±20%, Idc=2.4А, Rdc max/typ=119/91 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln - Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 82 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 82uH, ±20%, Idc=2.4А, Rdc max/typ=119/91 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
№ 7: 8504 50 20 90
25 Stück - stock Köln
303 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.48 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.28 EUR
4,7 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2440
4,7 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: 26787
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 1206
Resistenz: Uni-Ohm
Präzision: 4,7 kOhm
P Nenn.,W: ±5% J
U Betriebs.,V: 0,25W
Größe Typ: 200V
Bemerkung: 1206
6262 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10000 Stück - erwartet 20.08.2022
10+ 0.0042 EUR
100+ 0.0036 EUR
1000+ 0.0028 EUR
3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2158		 rc_series_20150401_1.pdf
3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: 26763
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 1206
Resistenz: Hitano
Präzision: 3 kOhm
P Nenn.,W: ±1% F
U Betriebs.,V: 0,25W
Größe Typ: 200V
Bemerkung: 1206
10409 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10000 Stück - erwartet 15.07.2022
10+ 0.0042 EUR
100+ 0.0036 EUR
1000+ 0.0028 EUR