IRFP4227PBF


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Produktcode: 26521
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
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Technische Details IRFP4227PBF IR

  • MOSFET, N, 200V, TO-247
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:65A
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:25ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:30V
  • Power Dissipation:330W
  • Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • SVHC:No SVHC
  • Case Style:TO-247
  • Cont Current Id:65A
  • Cont Current Id @ 100`C:46A
  • Cont Current Id @ 25`C:65A
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:260A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:240V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vds:200V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Rth:0.45

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON INFN-S-A0012838737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 893 Stücke:
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36+6.62 EUR
100+4.09 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Infineon Technologies infineonirfp4227datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 279 Stücke:
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100+7.95 EUR
250+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRFP4227PBF irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004 description IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power
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IRFP4227PBF description INFN-S-A0012838737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Produktcode: 23424
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Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Funktionsbeschreibung: Kanäle: 1; Vsup, V: 3.5...30; tpd, ns: 115; Ausgang: OK/OE; Voffset, mV: 7.5; Isup, mA: 7.5;
Versorgungsspannung Udss, V: 3,5...30 В
Strom Id, A: 0,05 A
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 30 St.
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
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1.5KE180CA
Produktcode: 32621
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1.5KE_CA.pdf
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 180 V
Diodenbauart: Bidirektional
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IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
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description infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung: 135 St.
  • 135 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+10.92 EUR
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IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
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irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
auf Bestellung: 54 St.
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