IRFP4227PBF
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.4 EUR |
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Technische Details IRFP4227PBF IR
- MOSFET, N, 200V, TO-247
- Transistor Polarity:N
- Max Current Id:65A
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:25ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:30V
- Power Dissipation:330W
- Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
- Transistor Case Style:TO-247
- SVHC:No SVHC
- Case Style:TO-247
- Cont Current Id:65A
- Cont Current Id @ 100`C:46A
- Cont Current Id @ 25`C:65A
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:260A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:240V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Voltage Vds:200V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Rth:0.45
Weitere Produktangebote IRFP4227PBF nach Preis ab 2.36 EUR bis 9.41 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFP4227PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 3148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg |
auf Bestellung 3724 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 6224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFP4227PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP90N20DPBF Produktcode: 23066 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 94
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 94
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
JHGF: THT
auf Bestellung 50 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.88 EUR |
330uF 63V EXR 13x21mm (EXR331M63B-Hitano) Produktcode: 38816 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 227 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.17 EUR |
SS16 Produktcode: 160670 |
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA-W
Vrrm(V): 60 V
If(A): 1 А
VF@IF: 0,7 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA-W
Vrrm(V): 60 V
If(A): 1 А
VF@IF: 0,7 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
auf Bestellung 967 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)BD912 Produktcode: 2464 |
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 15
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 15
h21,max: 250
auf Bestellung 350 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.4 EUR |
10+ | 0.38 EUR |
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz) Produktcode: 2455 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 102 Stück
erwartet:
5000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.29 EUR |
10+ | 0.24 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
1000+ | 0.19 EUR |