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IRFP4227PBF

IRFP4227PBF

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Produktcode: 26521
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 65
Rds(on), Ohm: 0.021
JHGF: THT
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Technische Details IRFP4227PBF IR

  • MOSFET, N, 200V, TO-247
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:65A
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:25ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:30V
  • Power Dissipation:330W
  • Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • SVHC:No SVHC
  • Case Style:TO-247
  • Cont Current Id:65A
  • Cont Current Id @ 100`C:46A
  • Cont Current Id @ 25`C:65A
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:260A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:240V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vds:200V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Rth:0.45

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4227datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFP4227PBF irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004 IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4227datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4227datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF Hersteller : International Rectifier IRFP4227PBF.pdf TO-247AC, -40 ... +175C, 21mOhm, 65A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFP4227PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon IRFP4227_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 65 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4600 @ 25, Qg, нКл = 98 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 46 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247AC О
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004 Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFP4227-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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LM311P
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Anzahl Kanale: 1; U-Strom, V: 3,5…30; tз, нс: 115; Typ-Ausgang: OK/OЭ; Uсм, мV: 7,5; I-verbr., mA: 7,5;
Udss,V: 3,5...30 V
Id,A: 0.05 A
Bemerkung: 0...+70°C
verfügbar: 232 St.
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202 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1617 St.:
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1.5KE180CA
Produktcode: 32621
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1.5KE_CA.pdf
1.5KE180CA
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 180
n: Двоспрямований
auf Bestellung 1432 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 141 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+6.79 EUR
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IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
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IRFB4115PBF
Hersteller: IR
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150 V
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