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IRFP4227PBF

IRFP4227PBF

irfp4227pbf.pdf
Produktcode: 26521
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung 27 St.:
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Technische Details IRFP4227PBF IR

  • MOSFET, N, 200V, TO-247
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:65A
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:25ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:30V
  • Power Dissipation:330W
  • Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • SVHC:No SVHC
  • Case Style:TO-247
  • Cont Current Id:65A
  • Cont Current Id @ 100`C:46A
  • Cont Current Id @ 25`C:65A
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:260A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:240V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vds:200V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Rth:0.45

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Infineon Technologies infineonirfp4227datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 279 Stücke:
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON INFN-S-A0012838737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1035 Stücke:
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IRFP4227PBF irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004 description IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power
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IRFP4227PBF description infineonirfp4227datasheeten.pdf
IRFP4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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Qualifikation: -
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MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFP4227PBF description irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004
IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power
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Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Funktionsbeschreibung: Кількість каналів: 1; Uпіт, В: 3,5…30; tз, нс: 115; Тип виходу: ОК/ОЕ; Uсм, мВ: 7,5; Iпотр, мА: 7,5;
Versorgungsspannung Udss, V: 3,5...30 V
Strom Id, A: 0.05 A
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 214 St.
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IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
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Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 180 V
Diodenbauart: Bidirektional
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung 141 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.08 EUR
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Produktcode: 37473
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auf Bestellung 54 St.:
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