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IRFP4227PBF

IRFP4227PBF

irfp4227pbf.pdf
Produktcode: 26521
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
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Technische Details IRFP4227PBF IR

  • MOSFET, N, 200V, TO-247
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:65A
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:25ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:30V
  • Power Dissipation:330W
  • Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • SVHC:No SVHC
  • Case Style:TO-247
  • Cont Current Id:65A
  • Cont Current Id @ 100`C:46A
  • Cont Current Id @ 25`C:65A
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:260A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:240V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vds:200V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Rth:0.45

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Infineon Technologies infineonirfp4227datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Infineon Technologies infineonirfp4227datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004 description IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power
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Hersteller: Infineon Technologies
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IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power
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IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
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1.5KE180CA
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 180 V
Diodenbauart: Bidirektional
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Produktcode: 32680
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
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10+3.32 EUR
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10 kOhm 1% 0,5W bedrahtet (MFR050SSFTB-10KR-Hitano)
Produktcode: 50289
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FMF-MFR_120622ds.pdf
10 kOhm 1% 0,5W bedrahtet (MFR050SSFTB-10KR-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1%, ±100ppm
Nennleistung, W: 0,5 W
U Betrieb, V: 200 V
Größe / Typ: 3.2x1.5 mm; D-Anschl.=0.45 mm
Typ: Metallschicht Miniatur
verfügbar: 954 St.
  • 954 St. - stock Köln
erwartet: 5005 St.
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AnzahlPrivatkunde
10+7.83 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH