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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC

IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC Infineon (IRF)


Produktcode: 32680
Hersteller: Infineon (IRF)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
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Technische Details IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC Infineon (IRF)

IRFP4668PBF Lestungs-Transistor  N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC

Hersteller     Infineon (IRF)        

Transistortyp          N-MOSFET              

Drain-Source Spannung  200V 

Drainstrom  130A 

Leistung        520W           

Gehäuse       TO247AC    

Gate-Source Spannung   ±30V 

Widerstand im Leitungszustand           9.7mΩ         

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    0.29K/W     

Montage      THT   

Serie  HEXFET®

Produktcode 32680

 

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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Mounting: THT
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Kind of package: tube
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