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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC

IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC Infineon (IRF)

Produktcode: 32680
Hersteller: Infineon (IRF)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
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Technische Details IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC Infineon (IRF)

IRFP4668PBF Lestungs-Transistor  N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC

Hersteller     Infineon (IRF)        

Transistortyp          N-MOSFET              

Drain-Source Spannung  200V 

Drainstrom  130A 

Leistung        520W           

Gehäuse       TO247AC    

Gate-Source Spannung   ±30V 

Widerstand im Leitungszustand           9.7mΩ         

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    0.29K/W     

Montage      THT   

Serie  HEXFET®

Produktcode 32680

 

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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50+3.16 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1200+2.80 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
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1000+3.17 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
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5200+3.57 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Hersteller : INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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X7R_X5R.pdf
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 300pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
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TLP250[F]
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TLP250[F]
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Typ: Optokoppler logisch Ausgang
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 20/1500
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 0.5/0.5
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
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10uF 35V size-C 10% (TAJC106K035RNJ-AVX)
Produktcode: 121704
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taj-776811-datasheet.pdf
10uF 35V size-C 10% (TAJC106K035RNJ-AVX)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 35 V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-C
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Produktcode: 180122
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TW-59 Изоляционная втулка для TO-3, 6,2мм
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білий
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erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet
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Beschreibung: Isolierhulse fur TO-220
Größe: fuer Gehause TO-220
Матеріал: Пластик
білий
verfügbar: 35909 Stück
454 Stück - stock Köln
35455 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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