Suchergebnisse für "IRF5803" : 38
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF5803TR | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 13808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 32474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | IR |
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auf Bestellung 2524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 19954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5803 | IR |
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auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803D2 | IR |
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auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803D2 | IR |
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auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803D2 | IR |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803D2 | IR |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803D2TR | IR |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803D2TR | IR |
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auf Bestellung 3661 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803D2TRPBF | IR |
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auf Bestellung 20018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803D2TRPBF | IR |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803D2TRPBF | IOR |
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auf Bestellung 80043 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5803TRPBF | International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5803 Produktcode: 28228
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Lieblingsprodukt
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IRF5803TRPBF (TSOP6) Produktcode: 54658
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TSOP-6 Uds,V: 40 Id,A: 3.4 Rds(on),Om: 0.11 Ciss, pF/Qg, nC: 1110/25 /: SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5803 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
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IRF5803D2 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
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IRF5803D2PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
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IRF5803D2TR | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
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IRF5803D2TRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5803D2TRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5803TR | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5803TRPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF5803TR |
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Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 0.80 EUR |
IRF5803TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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132+ | 0.54 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
199+ | 0.36 EUR |
358+ | 0.20 EUR |
376+ | 0.19 EUR |
IRF5803TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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132+ | 0.54 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
199+ | 0.36 EUR |
358+ | 0.20 EUR |
376+ | 0.19 EUR |
3000+ | 0.18 EUR |
IRF5803TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.27 EUR |
6000+ | 0.25 EUR |
9000+ | 0.24 EUR |
15000+ | 0.23 EUR |
IRF5803TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
auf Bestellung 13808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 0.95 EUR |
10+ | 0.59 EUR |
100+ | 0.37 EUR |
500+ | 0.33 EUR |
1000+ | 0.30 EUR |
3000+ | 0.25 EUR |
9000+ | 0.22 EUR |
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 32474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 1.23 EUR |
24+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.49 EUR |
500+ | 0.37 EUR |
1000+ | 0.33 EUR |
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.22 EUR |
6000+ | 0.16 EUR |
9000+ | 0.15 EUR |
15000+ | 0.14 EUR |
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.23 EUR |
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: IR
Транзистор P-Channel MOSFET TSOP-6, -40В, -3,4А
Транзистор P-Channel MOSFET TSOP-6, -40В, -3,4А
auf Bestellung 2524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.61 EUR |
10+ | 2.38 EUR |
100+ | 2.23 EUR |
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2482+ | 0.24 EUR |
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 19954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
503+ | 0.32 EUR |
585+ | 0.27 EUR |
1000+ | 0.23 EUR |
3000+ | 0.17 EUR |
6000+ | 0.16 EUR |
12000+ | 0.13 EUR |
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.22 EUR |
6000+ | 0.16 EUR |
9000+ | 0.15 EUR |
IRF5803TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803 |
![]() |
Hersteller: IR
08+ DIP4
08+ DIP4
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803D2 |
![]() |
Hersteller: IR
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803D2 |
![]() |
Hersteller: IR
05+ SOP-8;
05+ SOP-8;
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803D2 |
![]() |
Hersteller: IR
07+ SO-8
07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803D2 |
![]() |
Hersteller: IR
SO-8
SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803D2TR |
![]() |
Hersteller: IR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803D2TR |
![]() |
Hersteller: IR
2004
2004
auf Bestellung 3661 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803D2TRPBF |
![]() |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803D2TRPBF |
![]() |
Hersteller: IR
SOP8 0445+
SOP8 0445+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803D2TRPBF |
![]() |
Hersteller: IOR
09+
09+
auf Bestellung 80043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803TRPBF |
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Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET P-CH 40V 3.4A TSOP-6
MOSFET P-CH 40V 3.4A TSOP-6
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803 Produktcode: 28228
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRF5803TRPBF (TSOP6) Produktcode: 54658
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 40
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/25
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 40
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/25
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5803 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5803D2 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5803D2PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5803D2TR |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5803D2TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5803D2TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5803TR |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
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IRF5803TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
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