Suchergebnisse für "IRF5803" : 38

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IRF5803TR Infineon Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
167+0.43 EUR
199+0.36 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
167+0.43 EUR
199+0.36 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5803_DS_v01_01_EN-1227349.pdf MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
auf Bestellung 13808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+0.59 EUR
100+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.30 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 32474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IR irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Транзистор P-Channel MOSFET TSOP-6, -40В, -3,4А
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1+2.61 EUR
10+2.38 EUR
100+2.23 EUR
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2482+0.24 EUR
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auf Bestellung 114 Stücke:
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IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.32 EUR
585+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
12000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 503
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON 2301997.pdf Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON 2301997.pdf Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803 IR Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 08+ DIP4
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 IR irf5803d2.pdf
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 IR irf5803d2.pdf 05+ SOP-8;
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 IR irf5803d2.pdf 07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 IR irf5803d2.pdf SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR IR irf5803d2.pdf
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR IR irf5803d2.pdf 2004
auf Bestellung 3661 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IR IRF5803D2PbF.pdf 09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IR IRF5803D2PbF.pdf SOP8 0445+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IOR IRF5803D2PbF.pdf 09+
auf Bestellung 80043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF International Rectifier Corporation irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 MOSFET P-CH 40V 3.4A TSOP-6
auf Bestellung 31 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803
Produktcode: 28228
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Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF  (TSOP6) IRF5803TRPBF (TSOP6)
Produktcode: 54658
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IR Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 40
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/25
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803 IRF5803 Infineon Technologies Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 IRF5803D2 Infineon Technologies irf5803d2.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2PBF IRF5803D2PBF Infineon Technologies IRF5803D2PbF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR IRF5803D2TR Infineon Technologies irf5803d2.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IRF5803D2TRPBF Infineon Technologies IRF5803D2PbF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IRF5803D2TRPBF Infineon Technologies IRF5803D2PbF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TR IRF5803TR Infineon Technologies Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
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IRF5803TR Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
167+0.43 EUR
199+0.36 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
167+0.43 EUR
199+0.36 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF Infineon_IRF5803_DS_v01_01_EN-1227349.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
auf Bestellung 13808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.95 EUR
10+0.59 EUR
100+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.30 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 32474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.22 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
Hersteller: IR
Транзистор P-Channel MOSFET TSOP-6, -40В, -3,4А
auf Bestellung 2524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.61 EUR
10+2.38 EUR
100+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2482+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2482
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IRF5803TRPBF 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 19954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
503+0.32 EUR
585+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
12000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 503
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 2301997.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 252703423492157irf5803pbf.pdffileid5546d462533600a4015355e3e4e019b6.pdffileid554.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.22 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 2301997.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803 Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
Hersteller: IR
08+ DIP4
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF5803D2 irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
05+ SOP-8;
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
2004
auf Bestellung 3661 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF5803D2TRPBF IRF5803D2PbF.pdf
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: IR
SOP8 0445+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF5803D2TRPBF IRF5803D2PbF.pdf
Hersteller: IOR
09+
auf Bestellung 80043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET P-CH 40V 3.4A TSOP-6
auf Bestellung 31 Stücke:
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IRF5803
Produktcode: 28228
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IRF5803TRPBF (TSOP6)
Produktcode: 54658
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IRF5803TRPBF  (TSOP6)
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 40
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/25
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803 Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
IRF5803
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 irf5803d2.pdf
IRF5803D2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2PBF IRF5803D2PbF.pdf
IRF5803D2PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF5803D2TR irf5803d2.pdf
IRF5803D2TR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IRF5803D2PbF.pdf
IRF5803D2TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IRF5803D2PbF.pdf
IRF5803D2TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
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IRF5803TR Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
IRF5803TR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
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IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
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