Suchergebnisse für "IRF5803" : 35

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IRF5803TR Infineon Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
89+0.8 EUR
100+0.72 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 10340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
35+0.5 EUR
100+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5803_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
auf Bestellung 12998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.34 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf7807zpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON 2301997.pdf Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf7807zpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON 2301997.pdf Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf7807zpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2080+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2080
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf7807zpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2080+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2080
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf7807zpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 7004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 669
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803 IR Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 08+ DIP4
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF5803D2 IR irf5803d2.pdf 07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 IR irf5803d2.pdf SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 IR irf5803d2.pdf
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 IR irf5803d2.pdf 05+ SOP-8;
auf Bestellung 965 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR IR irf5803d2.pdf
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR IR irf5803d2.pdf 2004
auf Bestellung 3661 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IOR IRF5803D2PbF.pdf 09+
auf Bestellung 80043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IR IRF5803D2PbF.pdf 09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IR IRF5803D2PbF.pdf SOP8 0445+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF5803TRPBF IR Транзистор P-Channel MOSFET TSOP-6, -40В, -3,4А
auf Bestellung 2437 Stücke:
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1+2.37 EUR
10+2.16 EUR
100+2.02 EUR
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IRF5803
Produktcode: 28228
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Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF (TSOP6) IRF5803TRPBF (TSOP6)
Produktcode: 54658
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IR Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 40
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/25
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803 IRF5803 Infineon Technologies Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 IRF5803D2 Infineon Technologies irf5803d2.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2PBF IRF5803D2PBF Infineon Technologies IRF5803D2PbF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR IRF5803D2TR Infineon Technologies irf5803d2.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IRF5803D2TRPBF Infineon Technologies IRF5803D2PbF.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TR IRF5803TR Infineon Technologies Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf7807zpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Infineon Technologies irf7807zpbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TR Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
89+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F660770F4C8F1A303005056AB0C4F&compId=irf5803pbf.pdf?ci_sign=ea8fe42d8b837d27729d01f05b970f352b209186
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
89+0.8 EUR
100+0.72 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
auf Bestellung 10340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.79 EUR
35+0.5 EUR
100+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF Infineon_IRF5803_DS_v01_01_EN.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
auf Bestellung 12998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.34 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 2301997.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF 2301997.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2080+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2080
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2080+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2080
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 7004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
669+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 669
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803 Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
Hersteller: IR
08+ DIP4
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF5803D2 irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
07+ SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
05+ SOP-8;
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR irf5803d2.pdf
Hersteller: IR
2004
auf Bestellung 3661 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF5803D2TRPBF IRF5803D2PbF.pdf
Hersteller: IOR
09+
auf Bestellung 80043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF5803D2TRPBF IRF5803D2PbF.pdf
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IRF5803D2PbF.pdf
Hersteller: IR
SOP8 0445+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF5803TRPBF
Hersteller: IR
Транзистор P-Channel MOSFET TSOP-6, -40В, -3,4А
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.37 EUR
10+2.16 EUR
100+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803
Produktcode: 28228
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Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF (TSOP6)
Produktcode: 54658
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IRF5803TRPBF (TSOP6)
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 40
Id,A: 3.4
Rds(on),Om: 0.11
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/25
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803 Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
IRF5803
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2 irf5803d2.pdf
IRF5803D2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2PBF IRF5803D2PbF.pdf
IRF5803D2PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TR irf5803d2.pdf
IRF5803D2TR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803D2TRPBF IRF5803D2PbF.pdf
IRF5803D2TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TR Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
IRF5803TR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5803TRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF5803TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH