Suchergebnisse für "IRFP4468PBF" : 4
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFP4468PBF Produktcode: 36929
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247AC Uds,V: 100 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm JHGF: THT |
auf Bestellung 32 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| Транзистор IRFP4468PBF | IR | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4468PBF Produktcode: 36929
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 32 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.92 EUR |
| IRFP4468PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 9.4 EUR |
| 25+ | 3.63 EUR |
| 100+ | 3.35 EUR |
| 125+ | 3.3 EUR |
| Транзистор IRFP4468PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 31.17 EUR |
| 10+ | 27.55 EUR |
| 100+ | 25.04 EUR |


