Suchergebnisse für "IRFP4468PBF" : 16

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IRFP4468PBF IRFP4468PBF
Produktcode: 36929
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IR irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 195 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,6 мОм
Montage: THT
auf Bestellung 119 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+9.04 EUR
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.94 EUR
20+8.98 EUR
25+7 EUR
50+6.38 EUR
100+5.81 EUR
250+4.51 EUR
800+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.94 EUR
20+8.79 EUR
25+6.75 EUR
50+6.03 EUR
100+5.36 EUR
250+4.05 EUR
800+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.24 EUR
26+9.26 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
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1+14.61 EUR
10+9.81 EUR
100+7.88 EUR
400+7 EUR
1200+6.26 EUR
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.78 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
32+7.28 EUR
100+5.59 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRFP4468PBF International Rectifier irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори
auf Bestellung 200 Stücke:
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
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IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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Транзистор польовий IRFP4468PBF IR Транзистор польовий IRFP4468PBF IR IR Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS   Транзистори польові
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IRFP4468PBF
Produktcode: 36929
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irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 195 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,6 мОм
Montage: THT
auf Bestellung 119 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.77 EUR
10+9.04 EUR
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+10.94 EUR
20+8.98 EUR
25+7 EUR
50+6.38 EUR
100+5.81 EUR
250+4.51 EUR
800+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+10.94 EUR
20+8.79 EUR
25+6.75 EUR
50+6.03 EUR
100+5.36 EUR
250+4.05 EUR
800+3.83 EUR
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IRFP4468PBF 3732309.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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26+9.26 EUR
100+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 3916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.61 EUR
10+9.81 EUR
100+7.88 EUR
400+7 EUR
1200+6.26 EUR
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IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.78 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.52 EUR
32+7.28 EUR
100+5.59 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
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IRFP4468PBF Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFP4468PBF IR
Транзистор польовий IRFP4468PBF IR
Hersteller: IR
Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS   Транзистори польові
Produkt ist nicht verfügbar
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