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IRFP4468PBF IRFP4468PBF
Produktcode: 36929
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IR irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 93 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.92 EUR
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.4 EUR
25+3.63 EUR
100+3.35 EUR
125+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.4 EUR
25+3.63 EUR
100+3.35 EUR
125+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 5275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.19 EUR
24+5.81 EUR
400+5.16 EUR
800+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 5272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.21 EUR
24+5.82 EUR
400+5.18 EUR
800+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.5 EUR
25+4.97 EUR
100+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.36 EUR
10+7.85 EUR
25+5.05 EUR
100+4.19 EUR
250+4.14 EUR
400+3.56 EUR
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Power MOSFET 100V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+7.8 EUR
20+7.08 EUR
50+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Power MOSFET 100V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.08 EUR
22+6.59 EUR
34+4.04 EUR
100+3.32 EUR
250+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Power MOSFET 100V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.07 EUR
22+6.58 EUR
33+4.16 EUR
100+3.36 EUR
250+2.83 EUR
400+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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Транзистор IRFP4468PBF IR Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+31.17 EUR
10+27.55 EUR
100+25.04 EUR
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Power MOSFET 100V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4468PBF
Produktcode: 36929
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irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 93 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.4 EUR
25+3.63 EUR
100+3.35 EUR
125+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.4 EUR
25+3.63 EUR
100+3.35 EUR
125+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF 3732309.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 5275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+9.19 EUR
24+5.81 EUR
400+5.16 EUR
800+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 5272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+9.21 EUR
24+5.82 EUR
400+5.18 EUR
800+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.5 EUR
25+4.97 EUR
100+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_00-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.36 EUR
10+7.85 EUR
25+5.05 EUR
100+4.19 EUR
250+4.14 EUR
400+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET 100V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+7.8 EUR
20+7.08 EUR
50+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET 100V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+7.08 EUR
22+6.59 EUR
34+4.04 EUR
100+3.32 EUR
250+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 3732309.pdf
IRFP4468PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET 100V
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Anzahl Preis
21+7.07 EUR
22+6.58 EUR
33+4.16 EUR
100+3.36 EUR
250+2.83 EUR
400+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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Транзистор IRFP4468PBF
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+31.17 EUR
10+27.55 EUR
100+25.04 EUR
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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