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IRFP4468PBF IRFP4468PBF
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IR irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 195 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,6 мОм
Montage: THT
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 109 St.
  • 109 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+10.77 EUR
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.19 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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16+11.19 EUR
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IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.68 EUR
25+9.33 EUR
50+8.51 EUR
100+7.82 EUR
500+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 3110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.97 EUR
10+7.52 EUR
100+6.89 EUR
400+6.26 EUR
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.67 EUR
27+8.82 EUR
100+7.04 EUR
500+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
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28+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineon_irfp4468_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4468PBF International Rectifier/Infineon irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V, Vds 19860pF @ 50V ,520W,540nC @ 10V... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4468PBF International Rectifier irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори
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Транзистор польовий IRFP4468PBF IR Транзистор польовий IRFP4468PBF IR IR Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS   Транзистори польові
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IRFP4468PBF
Produktcode: 36929
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irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 195 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,6 мОм
Montage: THT
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 109 St.
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AnzahlPrivatkunde
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IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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16+11.19 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP4468PBF infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.19 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
IRFP4468PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.68 EUR
25+9.33 EUR
50+8.51 EUR
100+7.82 EUR
500+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 3110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.97 EUR
10+7.52 EUR
100+6.89 EUR
400+6.26 EUR
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IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 3732309.pdf
IRFP4468PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15+16.67 EUR
27+8.82 EUR
100+7.04 EUR
500+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFP4468PBF infineon_irfp4468_datasheet_en.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBFXKMA1 infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V, Vds 19860pF @ 50V ,520W,540nC @ 10V... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори
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Транзистор польовий IRFP4468PBF IR
Транзистор польовий IRFP4468PBF IR
Hersteller: IR
Транз. Пол. ВП N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS   Транзистори польові
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