IRFP4468PBF
Produktcode: 36929
Hersteller: IRGehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFP4468PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 360nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 360nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 2822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V |
auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg |
auf Bestellung 1419 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4468PBF | Hersteller : IR | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TL431BIDBZR Produktcode: 37676 |
Hersteller: NXP
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: SOT-23
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: SOT-23
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
auf Bestellung 450 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.29 EUR |
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) Produktcode: 3112 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 11810 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.0099 EUR |
IRF630 Produktcode: 3058 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
JHGF: THT
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1N5408 Produktcode: 2135 |
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 11335 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.069 EUR |
10+ | 0.049 EUR |
100+ | 0.044 EUR |
1000+ | 0.042 EUR |