IRFP4468PBF

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irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Produktcode: 36929
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
JHGF: THT
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
14+5.18 EUR
25+4.09 EUR
50+3.36 EUR
100+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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18+7.88 EUR
31+4.51 EUR
50+4.3 EUR
100+3.46 EUR
250+2.77 EUR
800+2.63 EUR
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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18+8.16 EUR
19+7.79 EUR
31+4.47 EUR
50+4.25 EUR
100+3.42 EUR
250+2.74 EUR
800+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
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3+8.41 EUR
25+4.89 EUR
100+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFP4468PBF Hersteller : INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 290A, TO-247AC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
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ACS756SCA-100B-PFF-T
Produktcode: 22264
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description ACS756xCB.pdf
ACS756SCA-100B-PFF-T
Hersteller: Allegro
Aktive Bauelemente > Sensoren
Gehäuse: 5-CA
Beschreibung: HALL EFFECT SENSOR 100A
Ausgang/Schnittstelle: Аналоговий
Versorgung: 3...5,5V
Temperatur: -20...+85°C
Тип датчика: Датчик струму
Тип монтажа: THT
auf Bestellung 10 St.:
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2SC4672
Produktcode: 28699
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2SC4672.pdf
2SC4672
Hersteller: Rohm
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
fT: 210 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 2
h21: 270
ZCODE: SMD
verfügbar: 31 St.
30 St. - stock Köln
1 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.29 EUR
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0 Ohm 5% 3/4W 200V 2010 (RC2010JK-0R-Hitano)
Produktcode: 51174
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RC0603HIT.pdf
0 Ohm 5% 3/4W 200V 2010 (RC2010JK-0R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2010
Resistenz: 0 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,75W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 2010
auf Bestellung 2460 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.017 EUR
100+0.014 EUR
1000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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0,1 uF 100V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R0BB104-Yageo)
Produktcode: 105040
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yageo-datasheet-cap.pdf
0,1 uF 100V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R0BB104-Yageo)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 100V
Dielektrikum: X7R
Präzision: +/-10% K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 8985 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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VS-80CPQ150PBF
Produktcode: 196243
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VS-80CPQ150%28PbF%2CN3%29.pdf
VS-80CPQ150PBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-247AC
Vrrm(V): 150 V
If(A): 40 A
VF@IF: 0,71 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 40 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 500 A
auf Bestellung 58 St.:
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