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IRFP4468PBF

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irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Produktcode: 36929
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
JHGF: THT
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.89 EUR
22+3.40 EUR
23+3.22 EUR
100+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
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13+11.04 EUR
25+6.75 EUR
50+6.46 EUR
100+5.33 EUR
250+4.51 EUR
800+3.67 EUR
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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800+3.62 EUR
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4468-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4468PBF Hersteller : IR irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN-3007043.pdf MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
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SMICA SOT-93 Dichtung Silikon 20x24mm fur SO-T93/TO-3P
Produktcode: 26111
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smicato220_.pdf
SMICA SOT-93 Dichtung Silikon 20x24mm fur SO-T93/TO-3P
Hersteller: NINIGI
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung Silikon, für SOT93/TOР-3, 0.4К/W, 10kV/mm
Größe: 24x20x0,3mm
Матеріал: Силікон
білий
verfügbar: 2112 Stück
6 Stück - stock Köln
2106 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.21 EUR
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TL431BIDBZR
Produktcode: 37676
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TL431_FAM.pdf
TL431BIDBZR
Hersteller: NXP
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: SOT-23
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
auf Bestellung 477 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
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2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano)
Produktcode: 3112
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ECR_081225.pdf
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 7060 Stück
474 Stück - stock Köln
6586 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 Stück
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.01 EUR
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2200uF 50V EXR 18x36mm (EXR222M50B-Hitano)
Produktcode: 2453
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EXR_080421.pdf
2200uF 50V EXR 18x36mm (EXR222M50B-Hitano)
+1
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x36mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 12 Stück
erwartet: 1000 Stück
1000 Stück - erwartet 15.07.2025
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
100+0.64 EUR
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 6105 Stück
65 Stück - stock Köln
6040 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.07 EUR
10+0.05 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.04 EUR
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