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IRFP4468PBF

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Produktcode: 36929
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 195 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,6 мОм
Montage: THT
auf Bestellung: 119 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4468PBF IRFP4468PBF Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
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20+8.84 EUR
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IRFP4468PBF International Rectifier irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори
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IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4468PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори
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ACS756SCA-100B-PFF-T
Produktcode: 22264
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description ACS756xCB.pdf
ACS756SCA-100B-PFF-T
Hersteller: Allegro
Aktive Bauelemente > Sensoren
Gehäuse: 5-CA
Beschreibung: Sensor для Messung Gleich- та Wechsel- Strom до 100А, Empfindlichkeit 20 mV / A, Genauigkeit ± 7%
Ausgang/Schnittstelle: Analog
Versorgung, V: 3...5,5 V
Temperatur, °C: -20...+85°C
Sensortyp: Stromsensor
Montagetyp: THT
auf Bestellung: 10 St.
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2SC4672
Produktcode: 28699
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2SC4672.pdf
2SC4672
Hersteller: Rohm
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
Transitfrequenz fT: 210 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 2 A
Stromverstärkung h21: 270
Montage: SMD
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.38 EUR
10+0.35 EUR
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0 Ohm 5% 3/4W 200V 2010 (RC2010JK-0R-Hitano)
Produktcode: 51174
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RC0603HIT.pdf
0 Ohm 5% 3/4W 200V 2010 (RC2010JK-0R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2010
Nennwiderstand: 0 Ohm
Toleranz: ±5%
P nenn, W: 0,75 W
U Betrieb, V: 200 V
Bauform: 2010
erwartet: 4000 St.
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auf Bestellung: 770 St.
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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100nF 100V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R0BB104-Yageo)
Produktcode: 105040
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yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 100V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R0BB104-Yageo)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-80CPQ150PBF
Produktcode: 196243
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VS-80CPQ150%28PbF%2CN3%29.pdf
VS-80CPQ150PBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-247AC
Sperrspannung Vrrm, V: 150 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 40 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,71 В
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 40 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 500 А
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 60 St.
  • 60 St. - erwartet 20.09.2026
AnzahlPrivatkunde
1+9.4 EUR
10+8.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH