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2SC4672

2SC4672 Rohm

2SC4672.pdf
Produktcode: 28699
Hersteller: Rohm
Gehäuse: SOT-89
fT: 210 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 2
h21: 270
ZCODE: SMD
verfügbar 91 Stück:
30 Stück - stock Köln
61 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.32 EUR
10+0.29 EUR
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2SC4672 2SC4672 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A4502363F6E0D6&compId=2SC4672.pdf?ci_sign=59e6ed7bdbec8811aeda7806bea919ca6f705e7d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...270
Mounting: SMD
Frequency: 210MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
266+0.27 EUR
530+0.13 EUR
1011+0.071 EUR
1124+0.064 EUR
1214+0.059 EUR
1273+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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2SC4672 2SC4672 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A4502363F6E0D6&compId=2SC4672.pdf?ci_sign=59e6ed7bdbec8811aeda7806bea919ca6f705e7d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...270
Mounting: SMD
Frequency: 210MHz
auf Bestellung 3341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
266+0.27 EUR
530+0.13 EUR
1011+0.071 EUR
1124+0.064 EUR
1214+0.059 EUR
1273+0.056 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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2SC4672 2SC4672 Hersteller : EVVO 5272_2SC4672.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+0.67 EUR
44+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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2SC4672 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor 5272_2SC4672.pdf NPN Transistor
auf Bestellung 804000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.059 EUR
60000+0.05 EUR
300000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
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2SC4672 Hersteller : JSMicro Semiconductor 5272_2SC4672.pdf Transistor NPN; 390; 500mW, 50V; 3A; 210MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC4672-R-TP; 2SC4672 JSMICRO T2SC4672 JSM
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2SC4672 2SC4672 Hersteller : EVVO 5272_2SC4672.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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2SC4672 Hersteller : ROHM Semiconductor 5272_2SC4672.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BCX53-16.115
Produktcode: 83357
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-89
fT: 125 MHz
U, V: 80 V
U, V: 100 V
I, А: 1 А
auf Bestellung 245 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.15 EUR
10+0.12 EUR
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BZV55-C9V1
Produktcode: 1362
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BZV55.pdf
BZV55-C9V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 13829 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.027 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 4827 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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ABS Gehäuse130x68x44mm Kunststoff-Universal-Gehäuse schwarz G1022B Gainta
Produktcode: 127978
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description g1022b-datasheet.pdf
ABS Gehäuse130x68x44mm Kunststoff-Universal-Gehäuse schwarz G1022B Gainta
Hersteller: Gainta
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Корпус універсальний
Reihe, Typ, Gruppe: Корпуси
Material: Пластик/ABS
Farbe: чорний
Abmessungen, LхBхH: 130,0 mm
Ширина, мм: 68,0 mm
Висота, мм: 44,0 mm
Загальні габарити: 130,0x68,0x44,0 mm
verfügbar: 289 Stück
62 Stück - stock Köln
227 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 Stück
100 Stück - erwartet 06.01.2026
Anzahl Preis
1+2.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SS8050-HQ
Produktcode: 177775
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SS8050-HQ _Data_sheet.pdf
SS8050-HQ
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 350
ZCODE: SMD
auf Bestellung 4404 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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