Suchergebnisse für "IRLML0030TRPBF" : 18
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IRLML0030TRPBF Produktcode: 37076
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 30 Idd,A: 05.03.2015 Rds(on), Ohm: 0.027 Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
verfügbar: 10393 Stück
60 Stück - stock Köln
10333 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V |
auf Bestellung 168231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 262157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V |
auf Bestellung 168000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRLML0030TRPBF | IR |
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auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 383048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML0030TRPBF-1-ML | MOSLEADER |
Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 298800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML0030TR-(SOT-23) | Ningbo KLS electronic co.,ltd | IRLML0030TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML0030TRPBF Produktcode: 37076
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 10393 Stück
60 Stück - stock Köln
10333 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10333 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.09 EUR |
10+ | 0.08 EUR |
IRLML0030TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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193+ | 0.37 EUR |
258+ | 0.27 EUR |
IRLML0030TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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193+ | 0.37 EUR |
258+ | 0.27 EUR |
447+ | 0.16 EUR |
3000+ | 0.10 EUR |
IRLML0030TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
auf Bestellung 168231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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22+ | 0.83 EUR |
35+ | 0.51 EUR |
100+ | 0.32 EUR |
500+ | 0.24 EUR |
1000+ | 0.22 EUR |
IRLML0030TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
auf Bestellung 262157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 0.60 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
100+ | 0.24 EUR |
1000+ | 0.19 EUR |
3000+ | 0.14 EUR |
IRLML0030TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.15 EUR |
6000+ | 0.14 EUR |
9000+ | 0.13 EUR |
IRLML0030TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLML0030TRPBF |
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Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=30V; Id=5,2A; Rds=0,028 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=30V; Id=5,2A; Rds=0,028 Ohm
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.63 EUR |
10+ | 0.56 EUR |
100+ | 0.50 EUR |
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.12 EUR |
6000+ | 0.11 EUR |
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
456+ | 0.35 EUR |
500+ | 0.33 EUR |
1000+ | 0.31 EUR |
2500+ | 0.29 EUR |
5000+ | 0.27 EUR |
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 383048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
953+ | 0.17 EUR |
981+ | 0.16 EUR |
1185+ | 0.13 EUR |
6000+ | 0.08 EUR |
12000+ | 0.08 EUR |
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.11 EUR |
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLML0030TRPBF-1-ML |
auf Bestellung 298800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
299+ | 0.06 EUR |
1000+ | 0.06 EUR |
3000+ | 0.05 EUR |
6000+ | 0.05 EUR |
15000+ | 0.05 EUR |
30000+ | 0.05 EUR |
75000+ | 0.05 EUR |
150000+ | 0.04 EUR |
IRLML0030TR-(SOT-23) |
Hersteller: Ningbo KLS electronic co.,ltd
IRLML0030TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23
IRLML0030TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH