Suchergebnisse für "K6X1008C2D-GF55" : 7

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K6X1008C2D-GF55 SAMSUNG   SOP32
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K6X1008C2DGF55 SAMSUNG
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K6X1008C2DGF55T00 SAMSUNG
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IS62C1024AL-35QLI IS62C1024AL-35QLI ISSI 62_65C1024AL.pdf description SRAM 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async SRAM 5v
auf Bestellung 1894 Stücke:
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1+4.03 EUR
10+3.75 EUR
25+3.64 EUR
50+3.52 EUR
84+3.41 EUR
252+3.36 EUR
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K6X1008C2D-GF55
Produktcode: 58502
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Samsung i7yd9yuiudgwgfejksw45.pdf IC > IC Speicher
Gehäuse: SOP-32
Beschreibung: 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
Strom.V: 4,5…5,5V
T°C: -40...+85°C
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1+1.62 EUR
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K6X1008C2DGF55 K6X1008C2D-GF55 Samsung ds_k6x1008c2d_rev30.pdf Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт
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AS6C1008-55SIN AS6C1008-55SIN ALLIANCE MEMORY AS6C1008.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf description Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
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Hersteller: SAMSUNG  
SOP32
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IS62C1024AL-35QLI description 62_65C1024AL.pdf
IS62C1024AL-35QLI
Hersteller: ISSI
SRAM 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async SRAM 5v
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Hersteller: Samsung
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Gehäuse: SOP-32
Beschreibung: 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
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AS6C1008-55SIN description AS6C1008.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS6C1008-55SIN
Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 55ns
IC width: 450mils
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
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