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K9K8G08U0B-PCB0 Samsung Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, 0?70°C Replacement for: K9K8G08U0B-PCB0. K9K8G08U0D-SCB0 PEFNAND08G08-025
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K9K8G08U0A SAMSUNG
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K9K8G08U0A-PCB0T00 Samsung
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K9K8G08U0A-PIB0 SAMSUNG
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K9K8G08U0A-PIBO SAMSUNG
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K9K8G08U0APCB SAMSUNG
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K9K8G08U0APCB0 SAMSUNG
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K9K8G08U0APIB
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K9K8G08U0B-PIBO samsung 10+
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K9K8G08U0BPIB0 SAMSUNG
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K9K8G08U0D-SCB0000
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K9K8G08U0E-SCB Samsung
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K9K8G08U0E-SCB0000 Samsung
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K9K8G08U0F-SIB0 Samsung
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K9K8G08U0M-PCB0
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K9K8G08U0M-PCB0 SAMSUNG 0901+ TSSOP48
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K9K8G08U1A-IIBO SAMSUNG 07+
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K9K8G08U1A-IIBO SAMSUNG 07+
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K9K8G08U1A-PCB0
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K9K8G08U1A-PIB0 SAMSUNG
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K9K8G08U1APCB0 SAMSUNG
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K9K8G08U1APIB0 SAMSUNG
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K9K8G08UOA
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K9K8G08UOA-PIBO
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K9K8G08UOAPCB0 SAMSUNG
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K9K8G08UOAPIBO SAMSUNG
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K9K8G08UOB-PCB0
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K9K8G08UOB-PCBO
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K9K8G08UOB-PIBO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08UOB-PIBO SUMSUNG
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08UOB/PCBO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08UOBPIBO SAMSUNG
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08UOM SAMSUNG 03+ TSOP48
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08UOM-PCBO SAM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08UOM-PCBO SAMSU 09+
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K9K8G08UOM-PIBO SAM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08UOM-YCBO
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K9K8G08UOM-YIBO
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K9K8G08UOMPCBO SAMSUNG
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K9K8G08UOMPIBO SAM
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K9K8G08UOMYCBO SAMSUNG
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K9K8G08UOMYIBO SAMSUNG
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Nexperia BUK9K89-100E.pdf MOSFETs SOT1205 100V 12.5A
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2+1.73 EUR
10+1.17 EUR
100+0.89 EUR
500+0.78 EUR
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3000+0.53 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K89-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.67 EUR
16+1.12 EUR
100+0.85 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K8R7-40EX BUK9K8R7-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K8R7-40E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 8205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
16+1.16 EUR
100+0.9 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K8R7-40EX BUK9K8R7-40EX Nexperia BUK9K8R7-40E.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A
auf Bestellung 15937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.25 EUR
100+0.94 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K8R7-40EX BUK9K8R7-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K8R7-40E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.77 EUR
3000+0.75 EUR
4500+0.73 EUR
7500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
9503330000 9503330000 WEIDMULLER 2097780.pdf Description: WEIDMULLER - 9503330000 - END PLATE, KDKS FUSE TERMINAL BLOCK
tariffCode: 85366910
Art des Zubehörs: End Plate
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: KDKS 1PE/LD Indicating Fuse Terminal Blocks
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S34ML08G101TFI200 SPANSION download Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+26.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH58NVG3S0HTA00_TRAY Toshiba Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+27.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0B-PCB0
Produktcode: 149247
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IC > IC Speicher
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0B-PIB (K9K8G08U0B-PIB00)
Produktcode: 106521
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Samsung IC > IC Speicher
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0D-SIB0 (K9K8G08U0D-SIB0T00)
Produktcode: 103166
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Samsung IC > IC Speicher
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0E-SIB0000
Produktcode: 104985
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Samsung IC > IC Speicher
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K89-100E,115 NEXPERIA BUK9K89-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K89-100E,115 NEXPERIA BUK9K89-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K89-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0B-PCB0
Hersteller: Samsung
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, 0?70°C Replacement for: K9K8G08U0B-PCB0. K9K8G08U0D-SCB0 PEFNAND08G08-025
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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Anzahl Preis
2+22.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0A
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0A-PCB0T00
Hersteller: Samsung
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0A-PIB0
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0A-PIBO
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0APCB
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0APCB0
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0APIB
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0APIB0
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0APIBO
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0B-PIB0
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0B-PIBO
Hersteller: samsung
10+
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0BPIB0
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0D-SCB0000
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0E-SCB
Hersteller: Samsung
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0E-SCB0000
Hersteller: Samsung
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0F-SIB0
Hersteller: Samsung
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0M-PCB0
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0M-PCB0
SAMSUNG 0901+ TSSOP48
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U1A-IIBO
Hersteller: SAMSUNG
07+
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U1A-IIBO
Hersteller: SAMSUNG
07+
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U1A-PCB0
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U1A-PIB0
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 2100 Stücke:
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K9K8G08U1APCB0
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 200 Stücke:
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K9K8G08U1APIB0
Hersteller: SAMSUNG
auf Bestellung 300 Stücke:
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K9K8G08UOA
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K9K8G08UOM
Hersteller: SAMSUNG
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K9K8G08UOM-PCBO
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09+
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Hersteller: SAMSUNG
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Hersteller: SAM
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Hersteller: SAMSUNG
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Hersteller: SAMSUNG
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BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E.pdf
BUK9K89-100E,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 100V 12.5A
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.73 EUR
10+1.17 EUR
100+0.89 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E.pdf
BUK9K89-100E,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.67 EUR
16+1.12 EUR
100+0.85 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BUK9K8R7-40EX BUK9K8R7-40E.pdf
BUK9K8R7-40EX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 8205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.76 EUR
16+1.16 EUR
100+0.9 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BUK9K8R7-40EX BUK9K8R7-40E.pdf
BUK9K8R7-40EX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A
auf Bestellung 15937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.97 EUR
10+1.25 EUR
100+0.94 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BUK9K8R7-40EX BUK9K8R7-40E.pdf
BUK9K8R7-40EX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.77 EUR
3000+0.75 EUR
4500+0.73 EUR
7500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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9503330000 2097780.pdf
9503330000
Hersteller: WEIDMULLER
Description: WEIDMULLER - 9503330000 - END PLATE, KDKS FUSE TERMINAL BLOCK
tariffCode: 85366910
Art des Zubehörs: End Plate
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: KDKS 1PE/LD Indicating Fuse Terminal Blocks
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 215 Stücke:
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S34ML08G101TFI200 download
Hersteller: SPANSION
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
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Anzahl Preis
5+26.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TH58NVG3S0HTA00_TRAY
Hersteller: Toshiba
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+27.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0B-PCB0
Produktcode: 149247
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IC > IC Speicher
Produkt ist nicht verfügbar
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K9K8G08U0B-PIB (K9K8G08U0B-PIB00)
Produktcode: 106521
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Hersteller: Samsung
IC > IC Speicher
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0D-SIB0 (K9K8G08U0D-SIB0T00)
Produktcode: 103166
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Hersteller: Samsung
IC > IC Speicher
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K9K8G08U0E-SIB0000
Produktcode: 104985
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Hersteller: Samsung
IC > IC Speicher
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E.pdf
BUK9K89-100E,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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