Suchergebnisse für "MJ11016G" : 12

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MJ11016G MJ11016G ONSEMI MJ11015.PDF description Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.52 EUR
9+8.38 EUR
10+7.92 EUR
100+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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MJ11016G MJ11016G ONSEMI MJ11015.PDF description Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.52 EUR
9+8.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
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MJ11016G ON-Semicoductor mj11012-d.pdf description darl.NPN 30A 120V 200W 4MHz MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+22.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJ11016G MJ11016G onsemi mj11012-d.pdf description Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+11.85 EUR
50+8.07 EUR
100+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJ11016G MJ11016G ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJ11016G
Produktcode: 173223
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mj11012-d.pdf description Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJ11016G (Bipolartransistor NPN) MJ11016G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27355
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ON mj11012-d-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204
Uceo,V: 120 V
Ucbo,V: 120 V
Ic,A: 30 A
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11016G description MJ11015.PDF
MJ11016G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.52 EUR
9+8.38 EUR
10+7.92 EUR
100+7.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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MJ11016G description MJ11015.PDF
MJ11016G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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9+8.38 EUR
10+7.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
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MJ11016G description mj11012-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
darl.NPN 30A 120V 200W 4MHz MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+22.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+11.55 EUR
10+7.78 EUR
25+6.79 EUR
100+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+11.85 EUR
50+8.07 EUR
100+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G description ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ11016G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJ11016G
Produktcode: 173223
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MJ11016G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27355
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MJ11016G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204
Uceo,V: 120 V
Ucbo,V: 120 V
Ic,A: 30 A
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
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MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
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