Suchergebnisse für "MJ11016G" : 14

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MJ11016G MJ11016G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD06DD5BEF7C469&compId=MJ11015.PDF?ci_sign=1b5754fa5687a6a406255f198426aba85fd3c2a7 description Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 80 Stücke:
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16+4.6 EUR
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MJ11016G ON-Semicoductor mj11012-d.pdf description Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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MJ11016G ON-Semicoductor mj11012-d.pdf description Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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5+21.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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MJ11016G MJ11016G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD06DD5BEF7C469&compId=MJ11015.PDF?ci_sign=1b5754fa5687a6a406255f198426aba85fd3c2a7 description Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
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MJ11016G MJ11016G onsemi MJ11012-D.PDF description Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
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MJ11016G MJ11016G ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJ11016G
Produktcode: 173223
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mj11012-d.pdf description Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJ11016G (Bipolartransistor NPN) MJ11016G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27355
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ON mj11012-d-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204
Uceo,V: 120 V
Ucbo,V: 120 V
Ic,A: 30 A
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11016G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD06DD5BEF7C469&compId=MJ11015.PDF?ci_sign=1b5754fa5687a6a406255f198426aba85fd3c2a7
MJ11016G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.36 EUR
16+4.6 EUR
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MJ11016G description mj11012-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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Anzahl Preis
3+21.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJ11016G description mj11012-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+21.02 EUR
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MJ11016G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD06DD5BEF7C469&compId=MJ11015.PDF?ci_sign=1b5754fa5687a6a406255f198426aba85fd3c2a7
MJ11016G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
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MJ11016G description MJ11012-D.PDF
MJ11016G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 1567 Stücke:
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Anzahl Preis
1+7.78 EUR
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MJ11016G description mj11012d.pdf
MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis
100+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJ11016G description mj11012d.pdf
MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJ11016G description ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ11016G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJ11016G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27355
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MJ11016G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204
Uceo,V: 120 V
Ucbo,V: 120 V
Ic,A: 30 A
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G description mj11012d.pdf
MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G description mj11012d.pdf
MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
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