Suchergebnisse für "MJ11016G" : 12
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MJ11016G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11016G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJ11016G | ON-Semicoductor |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 3 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJ11016G | onsemi |
![]() ![]() Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJ11016G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11016G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11016G | ONSEMI |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
MJ11016G Produktcode: 173223
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MJ11016G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 27355
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Lieblingsprodukt
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ON |
![]() Gehäuse: TO-204 Uceo,V: 120 V Ucbo,V: 120 V Ic,A: 30 A Bem.: Дарлінгтон ZCODE: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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MJ11016G | ON Semiconductor |
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MJ11016G | ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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7+ | 10.52 EUR |
9+ | 8.38 EUR |
10+ | 7.92 EUR |
100+ | 7.79 EUR |
MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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7+ | 10.52 EUR |
9+ | 8.38 EUR |
10+ | 7.92 EUR |
100+ | 7.79 EUR |
MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ON-Semicoductor
darl.NPN 30A 120V 200W 4MHz MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
darl.NPN 30A 120V 200W 4MHz MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 22.27 EUR |
MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 11.55 EUR |
10+ | 7.78 EUR |
25+ | 6.79 EUR |
100+ | 5.65 EUR |
MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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14+ | 11.85 EUR |
50+ | 8.07 EUR |
100+ | 6.39 EUR |
MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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100+ | 5.14 EUR |
MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MJ11016G Produktcode: 173223
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MJ11016G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 27355
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204
Uceo,V: 120 V
Ucbo,V: 120 V
Ic,A: 30 A
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-204
Uceo,V: 120 V
Ucbo,V: 120 V
Ic,A: 30 A
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
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MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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