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MJ802G
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 		MJ802G ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.51 EUR
11+6.68 EUR
12+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJ802G
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 		MJ802G ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.51 EUR
11+6.68 EUR
12+6.32 EUR
50+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJ802G MJ802G onsemi MJ802-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
auf Bestellung 616 Stücke:
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1+11.04 EUR
10+8.17 EUR
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MJ802G MJ802G ONSEMI ONSM-S-A0013299383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.21 EUR
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auf Bestellung 568 Stücke:
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50+8.55 EUR
100+6.68 EUR
300+6.39 EUR
500+5.37 EUR
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MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
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MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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100+6.36 EUR
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MJ802 MOT en.CD00003658.pdf 01+ TO-3
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MJ4502G MJ4502G ONSEMI ONSM-S-A0013298816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 233 Stücke:
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MJ802G MJ802G
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MJ802 MJ802 onsemi en.CD00003658.pdf Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
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MJ802 MJ802 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00003658.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Darlington Power
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MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ802G
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.51 EUR
11+6.68 EUR
12+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJ802G
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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11+6.68 EUR
12+6.32 EUR
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MJ802G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.04 EUR
10+8.17 EUR
100+6.62 EUR
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MJ802G ONSM-S-A0013299383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ802G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
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Anzahl Preis
100+6.25 EUR
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MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+11.83 EUR
50+8.55 EUR
100+6.68 EUR
300+6.39 EUR
500+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJ802 en.CD00003658.pdf
Hersteller: ON/MOT
auf Bestellung 1860 Stücke:
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Hersteller: MOT
01+ TO-3
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJ4502G ONSM-S-A0013298816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ4502G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJ802G
Produktcode: 117194
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MJ802G
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJ802 en.CD00003658.pdf
MJ802
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJ802 stmicroelectronics_cd00003658.pdf
MJ802
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Darlington Power
Produkt ist nicht verfügbar
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MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH