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MJ802G
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 		MJ802G ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.51 EUR
11+6.68 EUR
12+6.31 EUR
50+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G
+1
 		MJ802G ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.51 EUR
11+6.68 EUR
12+6.31 EUR
50+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802G onsemi mj802-d.pdf Description: TRANS NPN 90V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 4652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.15 EUR
10+8.97 EUR
100+6.62 EUR
500+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802G onsemi MJ802_D-1811677.pdf Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.55 EUR
10+8.54 EUR
100+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802G ONSEMI ONSM-S-A0013299383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+7.66 EUR
50+6.79 EUR
100+6.27 EUR
300+5.88 EUR
500+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 MOT en.CD00003658.pdf 01+ TO-3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 ON/MOT en.CD00003658.pdf
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
pxa16vc180mj802416
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ4502G MJ4502G ONSEMI ONSM-S-A0013298816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802G
Produktcode: 117194
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mj802-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 MJ802 onsemi MJ802_D-2315845.pdf Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 MJ802 STMicroelectronics en.CD00003658.pdf Description: TRANS NPN 90V 30A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 MJ802 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00003658.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Darlington Power
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MJ802G MJ802G ON Semiconductor mj802-d.pdf Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.51 EUR
11+6.68 EUR
12+6.31 EUR
50+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.51 EUR
11+6.68 EUR
12+6.31 EUR
50+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 90V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 4652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.15 EUR
10+8.97 EUR
100+6.62 EUR
500+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G MJ802_D-1811677.pdf
MJ802G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.55 EUR
10+8.54 EUR
100+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G ONSM-S-A0013299383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ802G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+7.66 EUR
50+6.79 EUR
100+6.27 EUR
300+5.88 EUR
500+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 en.CD00003658.pdf
Hersteller: MOT
01+ TO-3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 en.CD00003658.pdf
Hersteller: ON/MOT
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
pxa16vc180mj802416
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ4502G ONSM-S-A0013298816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ4502G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G
Produktcode: 117194
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mj802-d.pdf
MJ802G
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 MJ802_D-2315845.pdf
MJ802
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 en.CD00003658.pdf
MJ802
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 90V 30A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802 stmicroelectronics_cd00003658.pdf
MJ802
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Darlington Power
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH