Suchergebnisse für "SPW20N60C3" : 18
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SPW20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPW20N60C3E8177FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Obsolete |
auf Bestellung 181030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPW20N60C3E8177FKSA1 | Infineon Technologies | SPW20N60C3E8177FKSA1 |
auf Bestellung 199374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60C3E8177FKSA1 | Infineon Technologies | SPW20N60C3E8177FKSA1 |
auf Bestellung 40369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1086 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60C3FKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
SPW20N60C3 : SPW20N60C3FKSA1 : SPW20N60C3XK | Infineon Technologies | SPW20N60C3 N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
SPW20N60C3/TK20J60 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
SPW20N60C3PB-FREE |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
Транзистор польовий SPW20N60C3 20.7A 600V N-ch TO-247 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60C3 Produktcode: 30183
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
![]() Gehäuse: TO-247 Uds,V: 650 Idd,A: 20.07.2015 Rds(on), Ohm: 0.19 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
SPW20N60C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.11 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
16+ | 4.60 EUR |
17+ | 4.35 EUR |
30+ | 4.28 EUR |
SPW20N60C3 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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12+ | 6.11 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
16+ | 4.60 EUR |
17+ | 4.35 EUR |
30+ | 4.28 EUR |
SPW20N60C3E8177FKSA1 |
auf Bestellung 181030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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110+ | 4.62 EUR |
SPW20N60C3E8177FKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
SPW20N60C3E8177FKSA1
SPW20N60C3E8177FKSA1
auf Bestellung 199374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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122+ | 4.98 EUR |
500+ | 4.61 EUR |
1000+ | 4.19 EUR |
SPW20N60C3E8177FKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
SPW20N60C3E8177FKSA1
SPW20N60C3E8177FKSA1
auf Bestellung 40369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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122+ | 4.98 EUR |
500+ | 4.61 EUR |
1000+ | 4.19 EUR |
SPW20N60C3FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 9.64 EUR |
30+ | 5.46 EUR |
120+ | 4.54 EUR |
510+ | 3.86 EUR |
1020+ | 3.85 EUR |
SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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201+ | 3.65 EUR |
SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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18+ | 8.97 EUR |
39+ | 4.03 EUR |
120+ | 3.54 EUR |
510+ | 3.39 EUR |
SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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19+ | 8.94 EUR |
39+ | 4.02 EUR |
120+ | 3.44 EUR |
510+ | 3.28 EUR |
SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPW20N60C3 : SPW20N60C3FKSA1 : SPW20N60C3XK |
Hersteller: Infineon Technologies
SPW20N60C3 N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
SPW20N60C3 N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPW20N60C3/TK20J60 |
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPW20N60C3PB-FREE |
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий SPW20N60C3 20.7A 600V N-ch TO-247 |
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPW20N60C3 Produktcode: 30183
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.19
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.19
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH