Suchergebnisse für "SPW20N60C3" : 17

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SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60C3 SPW20N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPW20N60C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.46 EUR
10+4.19 EUR
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SPW20N60C3E8177FKSA1 SPW20N60C3E8177FKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 239633 Stücke:
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97+4.71 EUR
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SPW20N60C3E8177FKSA1 Infineon Technologies SPW20N60C3E8177FKSA1
auf Bestellung 40369 Stücke:
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128+4.26 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.54 EUR
10000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 128
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SPW20N60C3E8177FKSA1 Infineon Technologies SPW20N60C3E8177FKSA1
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SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW20N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2744 Stücke:
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3+7.5 EUR
30+4.2 EUR
120+3.47 EUR
510+2.94 EUR
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SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies infineonspw20n60c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 240
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SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies infineonspw20n60c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 281 Stücke:
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240+2.66 EUR
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SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies infineonspw20n60c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 156 Stücke:
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21+7.03 EUR
37+3.82 EUR
120+2.95 EUR
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SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies infineonspw20n60c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
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SPW20N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPW20N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
auf Bestellung 52 Stücke:
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SPW20N60C3/TK20J60
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SPW20N60C3PB-FREE
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SPW20N60C3 SPW20N60C3
Produktcode: 30183
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Infineon Infineon-SPW20N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.19
JHGF: THT
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SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies infineonspw20n60c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SPW20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d
SPW20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPW20N60C3 Infineon_SPW20N60C3_DS_v02_05_en.pdf
SPW20N60C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 881 Stücke:
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SPW20N60C3E8177FKSA1
SPW20N60C3E8177FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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SPW20N60C3E8177FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
SPW20N60C3E8177FKSA1
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SPW20N60C3E8177FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
SPW20N60C3E8177FKSA1
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SPW20N60C3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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SPW20N60C3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
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Anzahl Preis
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SPW20N60C3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 281 Stücke:
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SPW20N60C3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 156 Stücke:
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SPW20N60C3FKSA1 infineonspw20n60c3dsv0205en.pdf
SPW20N60C3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+7.01 EUR
37+3.81 EUR
120+2.94 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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SPW20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.19
JHGF: THT
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SPW20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPW20N60C3FKSA1
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