Suchergebnisse für "SPW20N60C3" : 6
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SPW20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SPW20N60C3 | Infineon Technologies |
N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| SPW20N60C3/TK20J60 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| SPW20N60C3PB-FREE |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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SPW20N60C3 Produktcode: 30183
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Lieblingsprodukt
|
Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Uds,V: 650 Idd,A: 20.07.2015 Rds(on), Ohm: 0.19 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SPW20N60C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SPW20N60C3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPW20N60C3/TK20J60 |
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPW20N60C3PB-FREE |
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPW20N60C3 Produktcode: 30183
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.19
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.19
JHGF: THT
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Stück im Wert von UAH


