Suchergebnisse für "STP20NM50" : 24
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STP20NM50 Produktcode: 2175
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Lieblingsprodukt
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ST |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 20 Rds(on), Ohm: 01.02.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
auf Bestellung 54 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP20NM50 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STP20NM50 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V |
auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP20NM50 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP20NM50 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP20NM50 | STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STP20NM50FD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP20NM50FD | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP20NM50FD | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP20NM50FD | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP20NM50FD | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 16941 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP20NM50FD | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 16940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP20NM50FP | ST |
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auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STP20NM50FP-SA1 | ST | TO220F 2007Дк1ФВ |
auf Bestellung 1433 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
STP20NM50FP.STP20NM60FP |
auf Bestellung 18498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP20NM50Z |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P20NM50FP(STP20NM50F |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
STP20NM50FP-SA1 Produktcode: 33019
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STP20NM50 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STP20NM50 | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STP20NM50FD | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STP20NM50FP | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
STP20NM50 Produktcode: 2175
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.46 EUR |
10+ | 2.14 EUR |
STP20NM50 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
STP20NM50 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 8.5 EUR |
50+ | 4.29 EUR |
100+ | 4.16 EUR |
500+ | 4.09 EUR |
STP20NM50 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 8.64 EUR |
10+ | 8.59 EUR |
25+ | 4.36 EUR |
STP20NM50 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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33+ | 4.44 EUR |
50+ | 4.12 EUR |
100+ | 3.83 EUR |
250+ | 3.57 EUR |
500+ | 3.34 EUR |
1000+ | 3.12 EUR |
STP20NM50 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP20NM50FD |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.92 EUR |
21+ | 3.52 EUR |
26+ | 2.8 EUR |
27+ | 2.66 EUR |
STP20NM50FD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.92 EUR |
21+ | 3.52 EUR |
26+ | 2.8 EUR |
27+ | 2.66 EUR |
250+ | 2.6 EUR |
STP20NM50FD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.41 EUR |
25+ | 5.77 EUR |
STP20NM50FD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 6.28 EUR |
50+ | 5.56 EUR |
100+ | 5.5 EUR |
500+ | 5.39 EUR |
STP20NM50FD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 3.91 EUR |
39+ | 3.64 EUR |
1000+ | 3.35 EUR |
2000+ | 3.18 EUR |
STP20NM50FD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 3.91 EUR |
STP20NM50FP |
![]() |
Hersteller: ST
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP20NM50FP-SA1 |
Hersteller: ST
TO220F 2007Дк1ФВ
TO220F 2007Дк1ФВ
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP20NM50FP.STP20NM60FP |
auf Bestellung 18498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP20NM50Z |
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
P20NM50FP(STP20NM50F |
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP20NM50FP-SA1 Produktcode: 33019
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
STP20NM50 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP20NM50 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP20NM50FD |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP20NM50FP |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
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