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STP20NM50

STP20NM50

STP20NM50.pdf
Produktcode: 2175
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1480/40
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 35 St.
  • 35 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+4.55 EUR
10+4.14 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stp20nm50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.14 EUR
18+4.87 EUR
25+4.56 EUR
50+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stb20nm50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.65 EUR
30+5.69 EUR
31+5.37 EUR
50+5.09 EUR
100+4.51 EUR
250+4.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stb20nm50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics en.CD00002374.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
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1+12.26 EUR
10+6.78 EUR
100+6.12 EUR
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1000+5.09 EUR
2000+4.96 EUR
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STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics en.CD00002374.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
auf Bestellung 339 Stücke:
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2+12.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP20NM50 STP20NM50 STMICROELECTRONICS SGSTS18852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP20NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP20NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP20NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP20NM50
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
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STP20NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
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STP20NM50
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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UU10LFNP-B332 Sumida Linienfilter
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UU10LFNP-B332 Sumida Linienfilter
Hersteller: Sumida
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Lineare Filter, Netzfilter, Drosseln auf Torus
Beschreibung: Linienfilter, L = 3.3mH, DCRmax = 0.71 Ohm, I = 650mA, vertikal 18.5x17mm, h = 23mm
Träger: vertikal 18.5x17mm, h = 23mm
verfügbar: 8 St.
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10nF 630V K (+/-10%), P = 10mm, 5,5x10x13mm (MER103K2JB-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 23335
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10nF 630V K (+/-10%), P = 10mm, 5,5x10x13mm (MER103K2JB-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 10 nF
Nennspannung, V: 630 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 10 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 5,5x10x13 mm
Part Nummer: MER103K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 18 St.
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MER 1,0nF 630V K (+/-10%), P = 10mm, 5.5x10x13mm (MER102K2JB-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 41897
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MER 1,0nF 630V K (+/-10%), P = 10mm, 5.5x10x13mm (MER102K2JB-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1 nF
Nennspannung, V: 630 VDC
Präzision: ±10% K
Anschlussraster und Abmessungen: 10 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 5,5x10x13 mm
Part Nummer: MER102K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 222 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.12 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.077 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PC817A
Produktcode: 18418
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PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+100°С
Kanalanzahl: 8542 39 90 00
auf Bestellung: 9641 St.
  • 9641 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.3 EUR
10+0.17 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
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100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31669
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100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 350 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -25...+105°C
Abmessungen: 18x36 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
erwartet: 29 St.
  • 29 St. - erwartet
auf Bestellung: 114 St.
  • 114 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
100+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH