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STP20NM50

STP20NM50

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Produktcode: 2175
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stp20nm50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.84 EUR
18+4.09 EUR
25+3.83 EUR
50+3.63 EUR
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STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stb20nm50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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30+4.94 EUR
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100+4.16 EUR
250+4.05 EUR
500+3.45 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stb20nm50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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30+4.83 EUR
31+4.56 EUR
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100+3.84 EUR
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500+3.03 EUR
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STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics en.CD00002374.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
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1000+4.28 EUR
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STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics en.CD00002374.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
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STP20NM50 STP20NM50 STMICROELECTRONICS SGSTS18852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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STP20NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
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STP20NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
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STP20NM50
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
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UU10LFNP-B332 Sumida Linearfilter
Produktcode: 41420
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UU10LF.pdf
UU10LFNP-B332 Sumida Linearfilter
Hersteller: Sumida
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Lineare Filter, Netzfilter, Drosseln auf Torus
Beschreibung: Linearfilter, L=3,3mH, DCRmax=0,71 Ohm, I=650mA, vertikal18,5x17mm, h=23mm
Karkase: vertikal18,5x17mm, h=23mm
verfügbar: 277 St.
  • 8 St. - stock Köln
  • 269 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
1+0.93 EUR
10+0.89 EUR
100+0.84 EUR
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MER 10nF 630V K(+/-10%), P=10mm, 5,5x10x13mm (MER103K2JB-Hitano)
Produktcode: 23335
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MER_070523.pdf
MER 10nF 630V K(+/-10%), P=10mm, 5,5x10x13mm (MER103K2JB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 10nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5,5x10x13mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER103K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 4527 St.
  • 18 St. - stock Köln
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MER 1,0nF 630V K(+/-10%), P=10mm, 5.5x10x13mm (MER102K2JB-Hitano) (Folienkondensator)
Produktcode: 41897
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MER_070523.pdf
MER 1,0nF 630V K(+/-10%), P=10mm, 5.5x10x13mm (MER102K2JB-Hitano) (Folienkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5,5x10x13mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER102K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 625 St.
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AnzahlPreis
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10+0.1 EUR
100+0.071 EUR
1000+0.065 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 9579 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.25 EUR
10+0.12 EUR
100+0.088 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 350V EXR 18x36mm (EXR101M2VB-Hitano)
Produktcode: 31669
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EXR_080421.pdf
100uF 350V EXR 18x36mm (EXR101M2VB-Hitano)100uF 350V EXR 18x36mm (EXR101M2VB-Hitano)
100uF 350V EXR 18x36mm (EXR101M2VB-Hitano)100uF 350V EXR 18x36mm (EXR101M2VB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 350V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 18x36mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 163 St.
  • 6 St. - stock Köln
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AnzahlPreis
1+1.1 EUR
10+0.95 EUR
100+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH