Suchergebnisse für "ZXMN6A08" : 53

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ZXMN6A08E6 ZXMN6A08E6 DIODES INC. 1899070.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6 ZXMN6A08E6 DIODES INC. 1899070.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
14+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.72 EUR
10+1.26 EUR
100+0.84 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA DIODES INC. DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA DIODES INC. DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.92 EUR
15+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 6590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+1.16 EUR
100+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 6A8 DIODES/ZETEX N-MOSFET 60V 2.8A ZXMN6A08E6TA DIODES TZXMN6a08e6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.13 EUR
14+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQTC Diodes Zetex zxmn6a08gq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.6 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014377413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA DIODES INC. DIOD-S-A0014377413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated ZXMN6A08K.pdf MOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.86 EUR
100+0.59 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated ZXMN6A08K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
7500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated ZXMN6A08K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 7516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+1 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC DIODES INC. DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Diodes Zetex 13_lnk_090721002413.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC DIODES INC. DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6 ZETEX 06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TAO
auf Bestellung 2924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TAPBF
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08G ZETEX 07+ SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08G ZETEX SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UZXMN6A08E6TA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA
Produktcode: 124448
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ZXMN6A08E6.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA DIODES INCORPORATED ZXMN6A08E6Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 16A; 1.7W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT26
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Diodes Zetex 487zxmn6a08e6q.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A Automotive 6-Pin SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA DIODES INCORPORATED ZXMN6A08E6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 3.5A; 1.1W; SOT26; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Case: SOT26
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.5A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TC ZXMN6A08E6TC Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Zetex zxmn6a08gq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQTC Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQTC Diodes Zetex zxmn6a08gq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQTC Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CC192AE34A38BF&compId=ZXMN6A08G.pdf?ci_sign=5c5c007da9d53bfa5fa41ae02fb7da4d5b123662 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 2W
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC DIODES INCORPORATED ZXMN6A08K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Diodes Zetex 13_lnk_090721002413.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6 1899070.pdf
ZXMN6A08E6
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6 1899070.pdf
ZXMN6A08E6
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6Q.pdf
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6Q.pdf
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.04 EUR
14+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6Q.pdf
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.72 EUR
10+1.26 EUR
100+0.84 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.92 EUR
15+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 6590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.57 EUR
10+1.16 EUR
100+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.46 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 6A8
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 60V 2.8A ZXMN6A08E6TA DIODES TZXMN6a08e6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.13 EUR
14+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC zxmn6a08gq.pdf
ZXMN6A08GQTC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08G.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08G.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.6 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA DIOD-S-A0014377413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA DIOD-S-A0014377413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08GTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
ZXMN6A08KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.01 EUR
10+0.86 EUR
100+0.59 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
ZXMN6A08KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
7500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
ZXMN6A08KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 7516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.62 EUR
18+1 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC 13_lnk_090721002413.pdf
ZXMN6A08KTC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6
Hersteller: ZETEX
06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TAO
auf Bestellung 2924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TAPBF
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08G
Hersteller: ZETEX
07+ SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08G
Hersteller: ZETEX
SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UZXMN6A08E6TA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA
Produktcode: 124448
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ZXMN6A08E6.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 16A; 1.7W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT26
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA 487zxmn6a08e6q.pdf
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A Automotive 6-Pin SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 3.5A; 1.1W; SOT26; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Case: SOT26
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.5A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TC
ZXMN6A08E6TC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA zxmn6a08gq.pdf
ZXMN6A08GQTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC zxmn6a08gq.pdf
ZXMN6A08GQTC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTC
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CC192AE34A38BF&compId=ZXMN6A08G.pdf?ci_sign=5c5c007da9d53bfa5fa41ae02fb7da4d5b123662
ZXMN6A08GTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 2W
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA zxmn6a08g.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08G.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC 13_lnk_090721002413.pdf
ZXMN6A08KTC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH