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ZXMN6A08E6 ZXMN6A08E6 DIODES INC. 1899070.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6 ZXMN6A08E6 DIODES INC. 1899070.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
14+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.72 EUR
10+1.26 EUR
100+0.84 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA DIODES INC. DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA DIODES INC. DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA DIODES INCORPORATED ZXMN6A08E6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 3.5A; 1.1W; SOT26; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Case: SOT26
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.5A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 4447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.6 EUR
15+1.19 EUR
100+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 6855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.16 EUR
100+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.41 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 351
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Zetex 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.41 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 6A8 DIODES/ZETEX N-MOSFET 60V 2.8A ZXMN6A08E6TA DIODES TZXMN6a08e6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
14+1.27 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC DIODES INCORPORATED ZXMN6A08GQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 2W; SOT223; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Case: SOT223
Gate charge: 5.8nC
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQTC Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQTC Diodes Zetex zxmn6a08gq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.41 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC DIODES INCORPORATED ZXMN6A08K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated ZXMN6A08K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
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ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated ZXMN6A08K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 7586 Stücke:
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21+0.87 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated ZXMN6A08K.pdf MOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
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3+1.01 EUR
10+0.86 EUR
100+0.59 EUR
500+0.51 EUR
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2500+0.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC DIODES INC. DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC DIODES INC. DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6 ZETEX 06+;
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
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ZXMN6A08E6TAO
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ZXMN6A08E6TAPBF
auf Bestellung 1300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08G ZETEX 07+ SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08G ZETEX SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
auf Bestellung 25000 Stücke:
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UZXMN6A08E6TA
auf Bestellung 200 Stücke:
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ZXMN6A08E6TA
Produktcode: 124448
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ZXMN6A08E6.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA DIODES INCORPORATED ZXMN6A08E6Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 16A; 1.7W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT26
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Diodes Zetex 487zxmn6a08e6q.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A Automotive 6-Pin SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TC ZXMN6A08E6TC Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA Diodes Zetex zxmn6a08gq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQTC Diodes Incorporated ZXMN6A08GQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQTC Diodes Zetex zxmn6a08gq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CC192AE34A38BF&compId=ZXMN6A08G.pdf?ci_sign=5c5c007da9d53bfa5fa41ae02fb7da4d5b123662 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 2W
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Zetex zxmn6a08g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Diodes Zetex 13_lnk_090721002413.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6 1899070.pdf
ZXMN6A08E6
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6 1899070.pdf
ZXMN6A08E6
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6Q.pdf
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.74 EUR
14+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6Q.pdf
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.72 EUR
10+1.26 EUR
100+0.84 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6Q.pdf
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 3.5A; 1.1W; SOT26; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Case: SOT26
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.5A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 4447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.6 EUR
15+1.19 EUR
100+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 6855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.56 EUR
10+1.16 EUR
100+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.41 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
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351+0.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 33193629207549196zxmn6a08e6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.41 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA 6A8
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 60V 2.8A ZXMN6A08E6TA DIODES TZXMN6a08e6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.01 EUR
14+1.27 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 2W; SOT223; automotive industry; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Case: SOT223
Gate charge: 5.8nC
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTC
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC zxmn6a08gq.pdf
ZXMN6A08GQTC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08G.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.41 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08G.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.41 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA zxmn6a08g.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA zxmn6a08g.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.38 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
ZXMN6A08KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.35 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
ZXMN6A08KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
auf Bestellung 7586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.04 EUR
21+0.87 EUR
100+0.6 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
ZXMN6A08KTC
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.01 EUR
10+0.86 EUR
100+0.59 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC DIODS12175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN6A08KTC
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6
Hersteller: ZETEX
06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TAO
auf Bestellung 2924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TAPBF
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08G
Hersteller: ZETEX
07+ SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08G
Hersteller: ZETEX
SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08K.pdf
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UZXMN6A08E6TA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TA
Produktcode: 124448
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ZXMN6A08E6.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 16A; 1.7W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT26
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6QTA 487zxmn6a08e6q.pdf
ZXMN6A08E6QTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A Automotive 6-Pin SOT-26
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08E6TC
ZXMN6A08E6TC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTA zxmn6a08gq.pdf
ZXMN6A08GQTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC ZXMN6A08GQ.pdf
ZXMN6A08GQTC
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GQTC zxmn6a08gq.pdf
ZXMN6A08GQTC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CC192AE34A38BF&compId=ZXMN6A08G.pdf?ci_sign=5c5c007da9d53bfa5fa41ae02fb7da4d5b123662
ZXMN6A08GTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 2W
Drain current: 2.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA zxmn6a08g.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
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ZXMN6A08KTC 13_lnk_090721002413.pdf
ZXMN6A08KTC
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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