Suchergebnisse für "rd16hhf1" : 6
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Stück im Wert von UAH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| RD16HHF1 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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RD16HHF1 Produktcode: 28673
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Lieblingsprodukt
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Mitsubishi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V Drain-Strom Idd, A: 5 A Bemerkung: 30 Mz Montage: THT |
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| RD16HHF1 | Mitsubishi | Транзистори |
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| RD16HHF1-101 | Mitsubishi | RF Power MOSFET 30MHz 16W Транзистори |
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| RD16HHF1-501 | Mitsubishi | TO220 Транзистори |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD16HHF1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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| RD16HHF1 Produktcode: 28673
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Bemerkung: 30 Mz
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Bemerkung: 30 Mz
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.85 EUR |
| RD16HHF1 |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| RD16HHF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
RF Power MOSFET 30MHz 16W Транзистори
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| RD16HHF1-501 |
Hersteller: Mitsubishi
TO220 Транзистори
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD16HHF1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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